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伯東 KRI 離子源成功應用于離子濺射鍍膜 (IBSD)

來源:伯東企業(yè)(上海)有限公司 更新時間:2023-03-01 10:33:19 閱讀量:165

美國考夫曼公司Gridded Ion Sources (柵極離子源) 系列 RFCIP離子源  (射頻電源式考夫曼離子源), KDC 離子源 (直流電源式考夫曼離子源) 已廣泛被應用于離子濺射鍍膜 (IBSD) 工藝.

 

離子濺射鍍膜是在部分真空的濺射室中輝光放電, 產(chǎn)生正的氣體離子;在陰極(靶)和陽極(試樣)間電壓的加速作用下, 荷正電的離子轟擊陰極表面, 使陰極表面材料原子化;形成的中性原子, 從各個方向濺出, 射落到試樣的表面, 于是在試樣表面上形成一層均勻的薄膜.

 

伯東 KRI考夫曼離子源可控制離子的強度及濃度, 使濺射 (Sputtering) 時靶材 (Target) 被轟擊出具有中和性材料分子而獲得高致密, 高質(zhì)量之薄膜. 考夫曼離子源可依客戶濺射 (Sputtering) 工藝條件選擇 RFICP 離子源 (射頻電源式考夫曼離子源) 或是 KDC 離子源 (直流電原式考夫曼離子源).

規(guī)格如下:

RFCIP 離子源 (射頻式考夫曼離子源) : RFICP 40, RFICP 100, RFICP 140, RFICP 220, RFICP 380 

KDC 離子源 (直流式考夫曼離子源): KDC10, KDC40, KDC75, KDC100, KDC160.

 

伯東公司為 Kaufman & Robinson, Inc (美國考夫曼公司) KRI 離子源大中國區(qū)總代理.

 

伯東是德國 Pfeiffer 真空泵, 檢漏儀, 質(zhì)譜儀, 真空計, 美國 KRI 考夫曼離子源, Gel-Pak 芯片包裝盒, 美國 inTEST 高低溫沖擊測試機, 美國 Ambrell 感應加熱設備和日本 NS 離子蝕刻機等進口知名品牌的指定代理商.

 

http://www.hakuto-china.cn/uploadforck/images/image-20200724135740-1.jpeg

 

若您需要進一步的了解詳細信息或討論, 請參考以下聯(lián)絡方式:

上海伯東: 羅先生                               臺灣伯東: 王女士
T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490                    F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076                  M: +886-939-653-958
www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw

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