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2025-01-10 10:52:40光致發(fā)光量子效率: 光致發(fā)光量子效率是描述材料在光激發(fā)下發(fā)光效率的物理量。它表示材料吸收的光子數(shù)與發(fā)射的光子數(shù)之比，是評估材料發(fā)光性能的關鍵參數(shù)。高量子效率意味著材料能夠更有效地將吸收的光能轉化為發(fā)光，對于開發(fā)高效發(fā)光材料、提升光電器件性能具有重要意義。

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光致發(fā)光量子效率資訊

新加坡國立大學合成新型近紅外發(fā)光量子點，光致發(fā)光量子效率可達25%|國際用戶簡訊

斯托克斯位移是指熒光光譜較相應的吸收光譜紅移（斯托克斯位移=發(fā)射波長-吸收波長）。斯托克斯位移越大，熒光太陽能光電轉換效率越高。

HORIBA（中國） 469
2022-07-19
太陽能轉換器件熒光光譜

光致發(fā)光量子效率文章

東譜科技光致發(fā)光量子效率測量系統(tǒng)HiYield-PL

東譜科技（廣州）有限責任公司 209
2024-06-28
量子效率 PLQY 衰減比率

光致發(fā)光量子效率產(chǎn)品

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光致發(fā)光量子效率問答

2023-01-06 13:11:28熒光量子效率測試儀QY使用指南: Quantaurus-QY熒光量子效率測量儀（以下簡稱QY）是一款緊湊，操作便捷的測量儀，基于濱松已經(jīng)開發(fā)的 C9920-02，-02G / 03，-03G系統(tǒng)而研發(fā)，主要用于絕對法測量熒光量子效率（光致發(fā)光）。該設備可以為客戶提高發(fā)光材料質量提供參考，并且操作簡單，可廣泛應用于各種發(fā)光材料，例如聚集誘導發(fā)光材料( AIE)、鈣鈦礦材料（Perovskite）、有機電致發(fā)光材料（OLED）、量子點材料（Quantum Dots）等。本文主要是以視頻的形式分6期為大家介紹QY的外觀性能、面板硬件、固體樣品裝樣操作、溶液樣品裝樣操作、基本軟件操作以及更換常規(guī)配件操作等。一、儀器外觀性能介紹本期視頻主要介紹QY熒光量子效率測量儀的外觀、尺寸以及內部測量相關的4種器件，點擊下方圖片了解該設備詳細外觀性能介紹。二、面板硬件介紹本期視頻主要是介紹QY面板上包含開關、TIME COUNTER、拉桿等硬件的操作使用指南以及注意事項。三、固體樣品裝樣本期視頻主要講解固體樣品裝樣的8個操作步驟，點擊下圖視頻了解操作詳情。因為樣品的取出步驟與裝樣步驟一致，因此不再重復講解。注意：所有裝樣過程需全程佩戴橡膠手套。四、溶液樣品裝樣本期視頻主要講解溶液樣品裝樣操作。溶液樣品與固體樣品裝樣的重要區(qū)之一是一定要保證溶液樣品裝樣時光路推桿處于位置A處。在保證推桿位置準確無誤的前提下才可進行后續(xù)操作。五、軟件基本操作本期視頻主要講解QY軟件相關的基本操作指南，在視頻中工程師會從點開軟件開始以實際操作演練帶大家熟悉一下軟件中包含的各個按鈕，視頻時長近20分鐘，建議先收藏后觀看。六、更換常規(guī)配件本期視頻主要講解QY設備中氙燈與固體樣品積分球墊的更換操作。首先是氙燈的講解之后是固體樣品積分球墊的更換操作說明，大家可以按照進度條上的標注按需觀看。有關熒光量子效率測試儀QY的操作使用指南到此就已經(jīng)全部講解完畢，如果大家有任何不清楚之處歡迎在評論區(qū)留言，工程師會第一時間為您解答。

2023-08-21 11:41:24熱點應用丨OLED的光致發(fā)光和電致發(fā)光共聚焦成像: 要點光致發(fā)光和電致發(fā)光是有機發(fā)光二極管（OLED）視覺顯示發(fā)展的重要技術。與共聚焦顯微鏡相結合，使用RMS1000共聚焦顯微拉曼光譜儀對OLED器件的光電特性進行成像研究。光譜和時間分辨成像獲得了比宏觀測試更詳細的器件組成和質量信息。介紹近年來，有機發(fā)光二極管（OLED）已成為高端智能手機和電視全彩顯示面板的領先技術之一1。使用量的快速增長是因為OLED提供了比液晶顯示器（LCD）更卓越的性能。例如，它們更薄、更輕、更靈活、功耗更低、更明亮2。在典型的OLED器件中，電子和空穴被注入到傳輸層中，然后在中心摻雜發(fā)光層中復合。這種復合產(chǎn)生的能量通過共振轉移到摻雜分子中，從而使其發(fā)光。OLED發(fā)光的顏色取決于發(fā)光層中所摻雜分子的化學結構。當新的有機電致發(fā)光器件開發(fā)出來時，可以利用光致發(fā)光（PL）和電致發(fā)光（EL）光譜來表征單個元件和整個器件的光電特性。在本文中，RMS1000共聚焦顯微拉曼光譜儀用于表征四種成像模式下OLED器件的光電特性：PL、EL、時間分辨PL（TRPL）和時間分辨EL（TREL）。使用共聚焦顯微拉曼光譜儀來表征OLED的光譜和時間分辨特性獲得了比宏觀測試更詳細的信息。材料和方法測試樣品為磷光OLED器件，由圣安德魯斯大學有機半導體光電研究組提供。將樣品放置在冷熱臺（LINKAM）上，通過兩個鎢探針連接到器件電極上實現(xiàn)成像。使用RMS1000共聚焦顯微拉曼光譜儀進行PL、EL、時間分辨PL（TRPL）和時間分辨EL（TREL）成像，如圖1。圖1 PL、TRPL、EL和TREL成像的實驗裝置。將裝載樣品的冷熱臺放置在顯微鏡樣品臺上，如圖2所示。對于PL測試，使用532 nm CW激光器和背照式CCD探測器；對于TRPL測試，使用外部耦合的EPL-405皮秒脈沖激光器、MCS模式和快速響應的PMT。對于EL測試，使用Keithley 2450 SMU向OLED器件加電壓，并用CCD探測器檢測；對于TREL測試，使用Tektronix 31102 AFG向OLED加一系列短脈沖電壓，使用MCS模式測試每個脈沖下的衰減。圖2 (a)安裝在RMS1000上的冷熱臺；(b) OLED器件電致發(fā)光寬場成像。測試結果與討論大面積光致發(fā)光和電致發(fā)光光譜成像OLED首次采用PL和EL光譜相結合的方法進行研究。當使用共聚焦顯微拉曼光譜儀成像時，可以表征材料在整個器件中的分布以及在發(fā)光強度和顏色均勻性方面的整體質量。圖3中的PL成像和相應的光譜提供了器件上4個區(qū)域發(fā)光層分布的信息，還顯示了電極的位置。圖3 (a)OLED器件的PL光譜強度成像；(b)a中標記的點1和點2的PL光譜。白色和灰色代表PL強度，顯示了有機發(fā)光層的位置?；疑珔^(qū)域為發(fā)光層被頂部電極覆蓋的位置。在頂部電極穿過發(fā)光層的地方，PL強度降低為未覆蓋區(qū)域強度的一半以下。這是由于頂部電極材料削弱了激光強度和光致發(fā)光強度。對于EL成像，鎢探針連接到與區(qū)域2相交的電極上。圖4中得到的EL圖像和相應的光譜表明了EL發(fā)光僅發(fā)生在區(qū)域2中的發(fā)光層與電極重疊的區(qū)域。在PL成像中，空間分辨率主要取決于樣品上激光光斑的大小。而在EL成像中，由于沒有激光，因此是通過改變共焦針孔直徑來改變空間分辨率（將針孔直徑減小到25 μm）。圖4 (a)OLED器件的EL光譜強度成像；(b)a中標記的點1和點2的EL光譜。EL強度在整個有源像素上不均勻，這對器件的質量有影響。在區(qū)域外邊緣有兩個（白色）垂直條帶，強度比其余部分強。此外，存在許多EL強度降低的非發(fā)光區(qū)域。這表明器件有缺陷，理想情況下，OLED將在每個像素上呈現(xiàn)出密集和均勻的發(fā)光。高分辨率光致發(fā)光和電致發(fā)光光譜成像為了進一步研究，使用PL和EL對EL有源像素上的較小區(qū)域（圖5a和圖5b）進行高分辨成像。圖5b網(wǎng)格內的上部區(qū)域是發(fā)光層與電極重疊的地方，下部區(qū)域是單獨的發(fā)光層。圖5c為 PL強度成像，再次表明被電極覆蓋的發(fā)光層PL強度小于未覆蓋的發(fā)光層。PL峰值波長圖像（圖5d）表明，有電極覆蓋的發(fā)光層與未覆蓋的發(fā)光層（611 nm）相比，PL發(fā)射峰發(fā)生紅移（620 nm）。峰值波長的變化表明在不同的區(qū)域中能級不同。圖5 (a) OLED器件電致發(fā)光寬場成像；(b)a網(wǎng)格內的高分辨率寬場成像；(c)PL強度成像；(d)相同區(qū)域的PL峰值波長成像；(e)EL強度成像；(f)相同區(qū)域的EL峰值波長成像。EL成像顯示，與其余部分相比發(fā)射強度較弱的缺陷（圖5e）波長發(fā)生明顯紅移（圖5f）。這是由于缺陷處的EL能帶的信號強度降低以及在662 nm處EL能帶信號強度同時增加引起的。另外，在EL有源區(qū)域的最底部的區(qū)域中，發(fā)生藍移，這與在PL圖像上看到的波長變化一致。高分辨率時間分辨光致發(fā)光和電致發(fā)光成像為獲得額外信息，在同一區(qū)域進行TRPL和TREL成像，如圖6所示。分別用激光脈沖和電脈沖，在MCS模式下測試614 nm處OLED的PL和EL衰減。利用單指數(shù)模型擬合衰減曲線。在圖6a的TRPL成像中，EL活性區(qū)域（上部區(qū)域）中的PL壽命比EL非活性區(qū)域（下部區(qū)域）中的PL壽命短大約200 ns。如圖6c所示，分別為800 ns和600 ns。這里觀察到與圖4中PL強度和波長圖像的類似梯度，沿圖向下方向的發(fā)射強度增強，并且發(fā)生了藍移。因此，根據(jù)TRPL數(shù)據(jù)可得：當光激發(fā)時，通過摻雜帶可獲得不同的能級。在圖6b中的TREL成像中，整個區(qū)域的壽命相似，大約為470 ns。發(fā)現(xiàn)EL壽命顯著短于相同區(qū)域的PL壽命。圖6 (a)OLED的時間分辨PL成像；(b)OLED的時間分辨EL成像；(c)a中選定區(qū)域的PL衰減曲線；(d)b中圖像的EL衰減曲線。結論RMS1000共聚焦顯微拉曼光譜儀用于測試OLED器件的PL、EL、TRPL和TREL成像。這些不同的成像模式提供了關于發(fā)光層和電極在整個器件中位置的詳細信息，在工作條件下器件的發(fā)光強度和顏色均勻性，以及關于PL和EL過程中帶隙能量的相對信息。參考文獻1. A. Salehi et al., Recent Advances in OLED Optical Design, Adv. Funct. Mater., 2019, 29, 1808803, DOI: 10.1002/adfm.201808803.2. J. M. Ha et al., Recent Advances in Organic Luminescent Materials with Narrowband Emission, NPG Asia Mater., 2021, 13, 1–36, DOI: 10.1038/s41427-021-00318-8.天美分析更多資訊

2022-11-25 13:34:50天美講堂丨測試時間分辨光致發(fā)光光譜時激光光源的選擇: 隨著光致發(fā)光(PL)研究的發(fā)展，對測量微弱的光致發(fā)光信號的高靈敏度儀器的需求日益增長。除了具有良好雜散光抑制能力的光子計數(shù)探測器和單色器外，激發(fā)樣品的光源也是測試時需要考慮的關鍵因素。皮秒脈沖二極管激光器和亞納秒LED是時間相關單光子計數(shù)(TCSPC)的傳統(tǒng)脈沖光源，該技術用于測量ps-μs范圍內的PL衰減光譜。愛丁堡儀器公司的時間分辨PL光譜儀可以配備各種類型的脈沖激光器和LED，能夠在TCSPC和多通道掃描(MCS)模式下工作，如EPL/EPLED, VPL/VPLED和HPL系列。Fig. 1 EPL-375, VPL-635, and HPL-785 sources from Edinburgh Instruments.EPL&EPLED -皮秒脈沖激光器&LEDsEPL及被廣泛應用于時間分辨PL光譜，可提供高達20 MHz的重復頻率和典型的脈沖寬度~100 ps，波長從375 nm到980nm。EPLED系列脈沖二極管相比于EPL具有較長的脈沖寬度(典型＜1000 ps)，但EPLED系列能夠覆蓋的紫外波長低至250 nm。EPLs和EPLEDs可以在TCSPC及MCS雙模式下進行工作。在TCSPC模式下工作，可測試發(fā)光壽命的范圍為10 ps-50 us，在MCS模式下工作，發(fā)光壽命為10ns-400 ms。廣泛通用于大多數(shù)時間分辨的光致發(fā)光實驗測試，EPL和EPLED光源的組合可以滿足大多數(shù)的研究需求。HPL -高功率和高重復率皮秒脈沖激光器HPL是高功率和高重復率皮秒脈沖激光器?？梢栽诟哌_80MHz的重復頻率下工作，并提供兩種操作模式:標準及高功率模式。在高功率模式下，HPL激光器產(chǎn)生的脈沖強度能夠提高50倍之多。這對于低光致發(fā)光量子產(chǎn)率(PLQY)和壽命長于幾納秒的樣品十分重要。與EPL的EPLED源類似，HPL可以同時用于TCSPC和MCS模式。VPL&VPLED – 脈寬可調激光器&LEDsVPL和VPLED光源被設計成在MCS模式下工作，是PL衰變壽命從~100 ns到秒的理想選擇。它們的輸出是一個正方形脈沖，其長度由激光源上的脈寬刻度盤控制，范圍從100 ns到1 ms，可選擇連續(xù)(CW)出光模式。不僅可以作為磷光壽命測試的激發(fā)光源，還可以用于連續(xù)波模式下穩(wěn)態(tài)光致發(fā)光光譜的激發(fā)光源。測試實例激發(fā)源的選擇取決于樣品的衰減特性。使用各種愛丁堡儀器脈沖源的熱門研究領域的例子如下所示。實例1：鈣鈦礦樣品的時間分辨光譜鹵化物鈣鈦礦是近年來備受關注的一種新型太陽能電池材料。在鈣鈦礦太陽能電池中，光吸收產(chǎn)生載流子，然后向電極擴散。優(yōu)化電池的效率涉及到最小化載流子重組，因此需要表征鈣鈦礦材料的發(fā)光壽命。測量鈣鈦礦的PL壽命具有挑戰(zhàn)性。光致發(fā)光衰減是由短壽命(ns)組分和長(μs)壽命組分。因此在TCSPC模式下進行測量，以更好地解析快速組分。同時使用較低的激光重復頻率來獲取衰減的整個尾部。TCSPC和低重復率的結合導致相對較慢的數(shù)據(jù)采集。此外，部分鈣鈦礦樣品還可能發(fā)生降解。因此選擇高功率激發(fā)源可以大大縮短鈣鈦礦樣品在TCSPC中的采集時間。下面的例子(圖2)顯示了高功率HPL激光器如何優(yōu)于相同波長的EPL光源:在相同條件下，HPL激光器的捕獲時間大約短20倍。Fig.2 TCSPC decays of a perovskite sample acquired in an FLS1000 spectrometer with (a) EPL-405 laser or (b) HPL-405 laser for excitation: experimental decay (red), Instrument Response Function (blue), and fit result (black). All other measurement conditions were identical. Fitted average lifetime tave and acquisition time tacq indicated in the graph.實例2：近紅外成像探針的光致發(fā)光壽命生物成像實驗通常包括熒光探針，標記樣品，并在顯微鏡下觀察。生物成像探針典型理想特性是生物相容性，易于功能化，穩(wěn)定性高等。量子點是目前最有前途的成像探針材料之一，它們尺寸大小和組成可以調控，以微調其化學性質和激發(fā)/發(fā)射范圍。Ag2S量子點的發(fā)射光譜在近紅外范圍內，適合于生物成像實驗。這些樣品通常是分散在低濃度的懸浮液中，因此它們的光致發(fā)光信號相對較低。此外，光子計數(shù)近紅外探測器的靈敏度低于可見光探測器。因此建議使用HPL激光器而不是EPL進行測試。圖3顯示了在1170 nm處Ag2S量子點在甲苯中的TCSPC衰減。樣品的亮度較低，用EPL二極管激光器測量需要1小時，相比之下，用HPL-670光源可以在20分鐘內獲得衰減。Fig.3 TCSPC decay (red) and exponential fit result (black) for Ag2S quantum dots in toluene, excited with an HPL-670 operating in high power mode at 1 kHz repetition rate in an FLS1000 spectrometer. The fitted average lifetime tacq is shown in the graph.實例3：單線態(tài)氧的光致發(fā)光壽命單重態(tài)分子氧(1O2)具有多種實際用途，包括光動力治療和合成有機化學。一種廣泛的檢測1O2的方法是測量它在1270 nm處的發(fā)光。然而，單線態(tài)氧磷光信號很弱，在低濃度下很難測量。除了使用高靈敏度的近紅外探測器外，強大的激光光源也十分重要。1O2的光致發(fā)光發(fā)生在微秒尺度，因此可以通過使用VPL激光器的MCS測量激發(fā)。圖4顯示了一個典型的例子，用VPL-445激光器在甲苯中激發(fā)四苯基卟啉(H2TPP)光敏劑溶液。激光激發(fā)的H2TPP將能量轉移到溶液中的氧分子，產(chǎn)生1O2，然后緩慢衰變到基態(tài)發(fā)光。在圖4中， VPL源的脈寬為50 us時，發(fā)光信號上升，在激光脈沖關閉時，在接下來的100 us時，發(fā)光信號衰減。Fig.4 MCS decay (red) and 1270nm exponential Fit Result (black) for a solution of H2TTP in toluene excited with a VPL445 in an FLS1000spectrometer. The VPL source operated produced 50 us pulses at 5 kHz repetition rate. The fit tave lifetime is shown in the graph.實例4：近紅外探針的光致發(fā)光光譜VPL和 VPLED源是為時間分辨光譜瞬態(tài)測試而設計。但它們同時也可以在連續(xù)波CW模式下獲取樣品的PL發(fā)射光譜。對于這類型的實驗，最常見的配置是將氙燈耦合到激發(fā)單色器，但如果激發(fā)波長不需要調諧，也可以考慮直接使用VPL激光器。根據(jù)所使用的波長和帶寬，VPL可以比Xe燈更強。如圖5所示，分別使用150 W Xe燈、VPL-635（CW模式）和HPL-670作為激發(fā)光源的FS5熒光光譜儀中獲得的Ag2S量子點的PL發(fā)射光譜。Fig. 5 Photoluminescence emission spectra from Ag2S quantum dots in toluene acquired in FS5 Spectrofluorometer with Xe lamp, VPL-635 and HPL-670 for excitation. An excitation bandwidth of 10 nm was employed for the Xe lamp spectrum. The VPL-635 data were acquired with the laser operating in CW mode, and the HPL-670 data with the laser running at 80 MHz in high power mode. All other measurement conditions were identical between curves. 結論光致發(fā)光測試光源的選擇取決于要研究的樣品類型、可用的檢測儀器和用戶對采集速度的需求。愛丁堡儀器提供多種脈沖源，廣泛的靈活性，以滿足其特定的需求，能夠實現(xiàn)優(yōu)化脈沖寬度和能量，并減少采集時間，快速提高測試效率。

2020-06-01 17:11:46 6月5日線上講座《贏得量子材料競賽：利用變溫拉曼和光致發(fā)光快速測量新特性》: [報告簡介]顯微拉曼光譜經(jīng)常用來表征包括化學、磁性、電子、對稱性和二維材料的層取向在內的各種性質。材料的多種新奇物理現(xiàn)象發(fā)生在4K-500K溫度范圍，我們可以通過變溫測量獲得關于樣品有趣的新特性。本次報告中我們將展示使用全自動、超低振動的變溫顯微拉曼和光致發(fā)光測試平臺在整個溫度范圍(4K - 500K)對二維材料的高分辨率、GX率的光譜測量和二維成像測試結果。實驗采用超低振動變溫平臺、低熱容樣品臺、高NA物鏡、低散光光路、高性能光譜儀系統(tǒng)，完全克服了變溫過程中樣品位置漂移等多種變溫測量面臨的挑戰(zhàn)。推動新型量子材料在電子和光電子領域應用的一個重要方面是“加工”2D半導體異質結材料，形成合適的帶隙。例如將一層MoS2剝離，將其置于另一層或幾層的單晶(WS2)之上，再加入另一層二維晶體，以此類推。由此產(chǎn)生的異質結構代表了新的人工材料，它們按照指定的順序以單層精度在范德瓦爾斯力的作用下保持在一起。而變溫顯微拉曼和熒光測量平臺在對這些新型材料的表征方面具有獨特的優(yōu)勢，使您在量子材料的研究上一路凱歌。[注冊鏈接]PC端用戶點擊https://live.vhall.com/849574068?報名，手機用戶請掃描上方二維碼進入報名[主講人介紹]Craig Wall，北卡羅萊納大學物理化學博士，伊利諾伊大學厄巴納-香檳分校貝克曼研究所的博士后。25年的顯微鏡和科學儀器開發(fā)經(jīng)驗，在掃描探針顯微鏡、AFM-Raman和TERS、納米壓痕、納米力學測試設備和臺式場發(fā)射掃描電子顯微鏡等領域工作多年。Craig Wall博士于2017年加入領軍低溫光譜的Montana Instruments公司，擔任應用和市場開發(fā)科學家。[報告時間]開始 2020年06月05日 10:00結束 2020年06月05日 11:00請點擊注冊報名鏈接，預約參加在線講座[直播好禮]看直播贏好禮，更多大獎：藍牙運動手環(huán)、智能測溫水杯、多功能數(shù)據(jù)線... ...