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2025-01-10 10:52:50濺射鍍膜設(shè)備: 濺射鍍膜設(shè)備是一種利用濺射現(xiàn)象進(jìn)行鍍膜的技術(shù)設(shè)備。它通過(guò)高能粒子轟擊靶材，使靶材表面的原子或分子被濺射出來(lái)，并沉積在基片表面形成薄膜。該設(shè)備具有鍍膜質(zhì)量好、附著力強(qiáng)、可鍍材料廣泛等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于電子、光學(xué)、航空航天等領(lǐng)域。濺射鍍膜設(shè)備通常由真空系統(tǒng)、濺射源、基片加熱及旋轉(zhuǎn)系統(tǒng)、控制系統(tǒng)等部分組成，能夠?qū)崿F(xiàn)精確控制鍍膜厚度、成分及結(jié)構(gòu)，滿足各種復(fù)雜鍍膜需求。

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濺射鍍膜設(shè)備文章

伯東 KRI 射頻離子源和分子泵組用于氧化物濺射鍍膜設(shè)備

 伯東企業(yè)（上海）有限公司 188
2023-02-21

濺射鍍膜設(shè)備產(chǎn)品

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濺射鍍膜設(shè)備問(wèn)答

2023-07-29 15:21:33小型濺射儀問(wèn)題解答: 小型濺射儀儀問(wèn)儀答最近小伙伴對(duì)于濺射儀使用和技術(shù)參數(shù)問(wèn)的問(wèn)題比較多，今天總結(jié)一下濺射儀的一些常見(jiàn)的技術(shù)問(wèn)題：1、膜厚檢測(cè)儀原理：膜厚監(jiān)測(cè)儀是采用石英晶體振蕩原理，利用頻率測(cè)量技術(shù)加上先進(jìn)的數(shù)學(xué)算法，進(jìn)行膜厚的在線鍍膜速率和實(shí)時(shí)厚度計(jì)算。主要應(yīng)用于MBE、OLED或金屬熱蒸發(fā)、磁控濺射設(shè)備的薄膜制備過(guò)程中，對(duì)膜層厚度及鍍膜速率進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)。2、濺射儀是否可以鍍鎳：可以鍍鎳但是鎳是導(dǎo)磁金屬所以需要靶材盡量薄 0.5mm-1mm 太厚磁場(chǎng)無(wú)法穿透濺射速率很低。3、直流濺射鍍膜調(diào)節(jié)：1 靶材需要良好的導(dǎo)電性, 如果具備這個(gè)條件可以鍍 2 遇到容易氧化的金屬需要配備分子泵把本底真空抽到1E-3Pa 放氬氣維持真空到1Pa左右鍍膜的金屬接近本色。鄭科探小型濺射儀KT-Z1650PVD以上是小伙伴近期問(wèn)的比較多的問(wèn)題，如果還有什么問(wèn)題歡迎咨詢。

2023-08-22 15:39:43小型金屬濺射鍍膜機(jī)優(yōu)點(diǎn): 鄭科探小型濺射儀功能優(yōu)勢(shì)1、樣品臺(tái)旋轉(zhuǎn)，多樣品同時(shí)鍍膜時(shí)，鍍膜厚度比較均勻。2、預(yù)濺射擋板功能，剛開(kāi)始鍍膜的時(shí)候腔室里會(huì)有些雜質(zhì)，擋板可以保護(hù)樣品，提高薄膜質(zhì)量3、帶有水冷系統(tǒng)，可以長(zhǎng)時(shí)間濺射鍍膜，厚度可達(dá)1微米以上。4、直流磁控濺射，提高附著力，濺射速率快，比離子濺射快上一個(gè)量級(jí)。針對(duì)某些金屬最快能達(dá)到1-2納米每秒，5、不但可以電鏡制樣，還可以制作金屬電極。6、可擴(kuò)展膜厚監(jiān)測(cè)，監(jiān)測(cè)薄膜厚度。濺射儀使用需注1 靶材需要良好的導(dǎo)電性, 如果具備這個(gè)條件可以鍍 2 遇到容易氧化的金屬需要配備分子泵把本底真空抽到1E-3Pa 放氬氣維持真空到1Pa左右鍍膜的金屬接近本色

2023-04-18 10:41:21小型濺射儀問(wèn)題解答: 最近小伙伴對(duì)于濺射儀使用和技術(shù)參數(shù)問(wèn)的問(wèn)題比較多，今天總結(jié)一下濺射儀的一些常見(jiàn)的技術(shù)問(wèn)題：1、膜厚檢測(cè)儀原理：膜厚監(jiān)測(cè)儀是采用石英晶體振蕩原理，利用頻率測(cè)量技術(shù)加上先進(jìn)的數(shù)學(xué)算法，進(jìn)行膜厚的在線鍍膜速率和實(shí)時(shí)厚度計(jì)算。主要應(yīng)用于MBE、OLED或金屬熱蒸發(fā)、磁控濺射設(shè)備的薄膜制備過(guò)程中，對(duì)膜層厚度及鍍膜速率進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)。2、濺射儀是否可以鍍鎳：可以鍍鎳但是鎳是導(dǎo)磁金屬所以需要靶材盡量薄 0.5mm-1mm 太厚磁場(chǎng)無(wú)法穿透濺射速率很低。3、直流濺射鍍膜調(diào)節(jié)：1 靶材需要良好的導(dǎo)電性, 如果具備這個(gè)條件可以鍍 2 遇到容易氧化的金屬需要配備分子泵把本底真空抽到1E-3Pa 放氬氣維持真空到1Pa左右鍍膜的金屬接近本色。鄭科探小型濺射儀KT-Z1650PVD以上是小伙伴近期問(wèn)的比較多的問(wèn)題，如果還有什么問(wèn)題歡迎咨詢。

2021-03-18 15:46:05KRI射頻離子源RFICP380濺射沉積NSN70隔熱膜: 某機(jī)構(gòu)采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380 輔助磁控濺射在柔性基材表面沉積多層 NSN70 隔熱膜, 制備出的 NSN70 隔熱膜具有陽(yáng)光控制功能, 很好的解決了普通窗簾或百葉窗隔熱效果不明顯的問(wèn)題. KRI 射頻離子源 RFICP380 技術(shù)參數(shù):射頻離子源型號(hào)RFICP380Discharge 陽(yáng)極射頻 RFICP離子束流>1500 mA離子動(dòng)能100-1200 V柵極直徑30 cm Φ離子束聚焦, 平行, 散射流量15-50 sccm通氣Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型壓力< 0.5m Torr長(zhǎng)度39 cm直徑59 cm中和器LFN 2000 在柔性基材 PET 上沉積 AgCu 合金制備的 NSN 系列隔熱膜, 繼承了單 Ag 隔熱膜良好的光譜選擇性, 同時(shí)能有效的解決 Ag 易硫化的難題, 還具有抗氧化功能, 以防止隔熱膜長(zhǎng)期放置透射率指標(biāo)變化過(guò)大. NSN70 隔熱膜是沉積 AgCu 合金的金屬膜系結(jié)構(gòu)產(chǎn)品, 它生產(chǎn)效率高、隔熱性好. KRI 離子源的獨(dú)特功能實(shí)現(xiàn)了更好的性能, 增強(qiáng)的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經(jīng)獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術(shù)的情況下是無(wú)法實(shí)現(xiàn)的.

2021-03-01 13:17:38KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 濺射沉積半導(dǎo)體: 河北某大學(xué)實(shí)驗(yàn)室在研究 IGZO 薄膜的特性試驗(yàn)中采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 作為濺射源, 濺射沉積半導(dǎo)體 IGZO 薄膜. 伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 技術(shù)參數(shù):型號(hào)RFICP140DischargeRFICP 射頻離子束流>600 mA離子動(dòng)能100-1200 V柵極直徑14 cm Φ離子束聚焦, 平行, 散射流量5-30 sccm通氣Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型壓力< 0.5m Torr長(zhǎng)度24.6 cm直徑24.6 cm中和器LFN 2000 試驗(yàn)采用射頻（RF）磁控濺射沉積方法, 在室溫不同壓強(qiáng)下在石英玻璃襯底上制備出高透光率與較好電學(xué)性質(zhì)的透明氧化物半導(dǎo)體 InGaZnO4（IGZO）薄膜, 并對(duì)薄膜進(jìn)行X線衍射（XRD）、生長(zhǎng)速率、電阻率和透光率的測(cè)試與表征.結(jié)果表明:實(shí)驗(yàn)所獲樣品 IGZO 薄膜為非晶態(tài), 薄膜最小電阻率為1.3×10^-3Ω·cm, 根據(jù)光學(xué)性能測(cè)試結(jié)果, IGZO 薄膜在 200～350nm 的紫外光區(qū)有較強(qiáng)吸收, 在 400～900nm 的可見(jiàn)光波段的透過(guò)率為75％～97％. 相比傳統(tǒng)的有以下優(yōu)點(diǎn)：更小的晶體尺寸, 設(shè)備更輕??；全透明, 對(duì)可見(jiàn)光不敏感, 能夠大大增加元件的開(kāi)口率, 提高亮度, 降低功耗的電子遷移率大約為, 比傳統(tǒng)材料進(jìn)步非常明顯, 面板比傳統(tǒng)面板有了全面的提升. KRI 離子源的獨(dú)特功能實(shí)現(xiàn)了更好的性能, 增強(qiáng)的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經(jīng)獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術(shù)的情況下是無(wú)法實(shí)現(xiàn)的. KRI 離子源是領(lǐng)域公認(rèn)的, 已獲得許多ZL. KRI 離子源已應(yīng)用于許多已成為行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的過(guò)程中.