全文請(qǐng)?jiān)L問(wèn)：http://www.spm.com.cn/papers/p29.pdf
利用掃描電子顯微鏡(SEM) 原子力顯微鏡(AFM) 透射電子顯微鏡(TEM)和X射線衍射(XRD) 技術(shù)研究了低壓金屬有機(jī)化學(xué)氣相淀積(LP-MOCVD) 的立方相GaN/ GaAs (001) 外延層的表面起伏特征,及其與外延層極性和內(nèi)部六角相立方相微孿晶之間的聯(lián)系. 結(jié)果表明外延表面存在有大量沿[110 ]方向延伸的條帶狀臺(tái)階,而表面起伏處對(duì)應(yīng)著高密度的六角相或立方相微孿晶,在表面平整的區(qū)域內(nèi)其密度則較低. {111}Ga和{111}N 面上形成六角相和微孿晶概率的明顯差異是導(dǎo)致外延層表面臺(tái)階狀起伏特征的根本原因 全文請(qǐng)?jiān)L問(wèn)：http://www.spm.com.cn/papers/p29.pdf 掃描探針顯微鏡(SPM/AFM/STM)