隨著現(xiàn)代大規(guī)模集成電路的線寬的持續(xù)縮小，對在加工過程中所使用的試劑（高純水，無機酸，有機溶劑等）的純度的要求也隨之越來越高SEMI(半導體設備和材料國際機構(gòu)，www.semi.org)負責制定這些試劑中的微量金屬的Z高容許量對線寬在0.2微米以下的集成電路的生產(chǎn)廠家的指導濃度（作為試劑純度的進一步需要）低到了10 pg g-1無機酸使用于集成電路生產(chǎn)的各個階段，比如：硫酸和鹽酸用于除去硅晶元上有機的和金屬的污染清洗過程中Zda的微量金屬的污染往往就來自于清洗試劑本身對微量金屬的含量如此敏感是因為污染的程度直接影響產(chǎn)量因為有多元素同時分析的能力和高靈敏度，ICP質(zhì)譜儀被普遍應用于集成電路工廠的過程試劑分析對簡單基體的試劑，如高純水和雙氧水，無前處理的直接分析是可能的但對復雜基體的試劑，如硫酸（不純物含量在ng g-1級），SEMI的指導方法是先蒸發(fā)再溶解于希硝酸中這種推薦去除基體的指導方法是基于以下的理由： • 基體的存在YZ儀器的靈敏度 • 基體對ICP質(zhì)譜儀的樣品導入系統(tǒng)的負擔太大 • 基體起因的干涉對檢出下限產(chǎn)生負面影響 但是，對于Z高等級的高純試劑（SEMI的C等級，不純物含量在pg g-1 級），至今還沒有一個指導方法可以參照而且由于傳統(tǒng)的蒸發(fā)等前處理方法在處理過程中的污染而不能應用，需要開發(fā)一種全新的ICP質(zhì)譜儀方法 半導體級無機酸分析需要一種全新的ICP質(zhì)譜儀方法