用MOCVD法在藍(lán)寶石襯底上生長ZnO外延膜用理學(xué)D/max 2550轉(zhuǎn)靶衍射儀測量ZnO外延膜織構(gòu)觀察到試樣存在兩種晶體取向關(guān)系：ZnO[11-20]//Al2O3[10-10]及ZnO[10-10]//Al2O3[10-10]計(jì)算得到晶格取向極點(diǎn)分布平均半高寬為12.26O，且前一種取向晶體的數(shù)量是后者的13倍探討了兩種取向的熱力學(xué)穩(wěn)定性給出了外延膜取向特性的逐層分析結(jié)果 小分子單晶X射線分析裝置 使用影像板IP曝光讀數(shù)一體式的X射線LAUE照相機(jī) 組合式多功能X射線衍射儀Ultima IV系列 智能X射線衍射儀