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SiC外延片測試方案
SiC由于其禁帶寬度大、熱導率高、電子的飽和漂移速度大、臨界擊穿電壓高和介電常數(shù)低等特點，在高頻、高功率、耐高溫的半導體功率器件和紫外探測器等領域有著廣泛的應用前景，特別是在電動汽車、電源、航天等領域備受歡迎。
外延材料是實現(xiàn)器件制造的關鍵，主要技術指標有外延層厚度、晶格布局，材料結構，形貌以及物理性質，表面粗糙度和摻雜濃度等。下面闡述SiC外延表面常見的測試手段，詳細文章在附件中，請下載。
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