OAI UV Led 光源
OAI UV Led 光源
OAI 紫外光刻機(jī) Model 200 型
OAI Model 212 型紫外光刻機(jī)
OAI Model 800E 紫外光刻機(jī)
晶片接合在MST,MEMS和微工程領(lǐng)域中已經(jīng)發(fā)現(xiàn)了許多應(yīng)用。 這些包括壓力傳感器,加速度計(jì),微型泵和其他流體處理裝置的制造。 該工藝還用于硅微結(jié)構(gòu)的一級封裝以隔離封裝引起的應(yīng)力。
OAI AML晶片接合器促進(jìn)在高真空室中原位進(jìn)行對準(zhǔn)和接合。 對于陽極接合,將晶片冷加載并在處理室中加熱。 對于高精度對準(zhǔn),晶片被對準(zhǔn)并且僅在達(dá)到工藝溫度之后才接觸,因此避免了可能損害對準(zhǔn)的不同的熱膨脹效應(yīng)。 AML晶片接合器非常適合陽極接合,硅直接和熱壓接合應(yīng)用。 這些特性使焊接機(jī)能夠與幾乎任何加工工具一起使用。
AML Wafer Bonder
Wafer bonding has found many applications in the field of MST, MEMS and micro engineering. These include the fabrication of pressure sensors, accelerometers, micro-pumps and other fluid hand領(lǐng) devices. The process is also used for first-order packaging of silicon microstructures to isolate package-induced stresses.
The OAI AML Wafer Bonder facilitates both the alignment and bonding to be performed in-situ, in a high vacuum chamber. For anodic bonding the wafers are loaded cold and heated in the process chamber. For high accuracy alignment the wafers are aligned and brought into contact only after the process temperature has been reached, thus avoiding differential thermal expansion effects which can compromise alignment. The AML Wafer Bonder is excellent for anodic bonding, silicon direct and thermal compression bonding applications. These features enable the bonder to be used with virtually any processing tool.
報價:面議
已咨詢1055次美國 OAI
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已咨詢4305次晶圓原位對準(zhǔn)鍵合機(jī)
報價:¥95000
已咨詢71次高頻介電常數(shù)測試儀
報價:¥95000
已咨詢93次高頻介電常數(shù)測試儀
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已咨詢379次美國LatticeGear切割工具
報價:面議
已咨詢431次磁性材料檢測設(shè)備
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已咨詢1483次晶圓檢查機(jī)
報價:面議
已咨詢919次晶圓檢查機(jī)
IXION 193 SLM 是一款單頻全固態(tài)激光系統(tǒng),適用于光學(xué)計(jì)量、193 nm 步進(jìn)光學(xué)元件校準(zhǔn)或高功率 ArF 準(zhǔn)分子激光器的帶寬控制等應(yīng)用。
IXION 193 SLM 是一款單頻全固態(tài)激光系統(tǒng),適用于光學(xué)計(jì)量、193 nm 步進(jìn)光學(xué)元件校準(zhǔn)或高功率 ArF 準(zhǔn)分子激光器的帶寬控制等應(yīng)用。
ASML 光刻機(jī) Twinscan NXT:1980Di
Syskey 緊湊式濺射系統(tǒng) Compact Sputter,靈活的基板尺寸,最大可達(dá)6英寸,基板架加熱溫度最高可達(dá)500℃,出色的薄膜均勻性,誤差小于±3%, 最多可配備5個6英寸磁控濺射源(可選配3或4個),支持射頻、直流或脈沖直流電源,最多可支持3條氣體管路,支持順序沉積和共沉積。
Syskey 緊湊式熱蒸發(fā)系統(tǒng) Compact Thermal ,靈活的基板尺寸,最大可達(dá)6英寸, 基板架加熱溫度最高可達(dá)500℃,出色的薄膜均勻性,誤差小于±3%,可選配電子束或熱舟蒸發(fā)源(最多3個),速率控制沉積,可沉積多層薄膜,選用特定目標(biāo)材料
高真空濺射系統(tǒng) HV Sputter,靈活的基板尺寸,最大可達(dá)12英寸或200×200毫米, 基板架加熱溫度最高可達(dá)800℃,出色的薄膜均勻性,誤差小于±3%
超高真空磁控濺射鍍膜機(jī) UHV Sputter,? 基板支架加熱至 800 °C ? 優(yōu)異的薄膜均勻性小于 ±3% ? 磁控濺射源(數(shù)量最多 8 個),可選強(qiáng)磁版本
Syskey 高真空熱蒸發(fā)鍍膜機(jī)HV Thermal 高真空熱蒸發(fā)系統(tǒng)可提供的真空環(huán)境 用于常見薄膜沉積,包括金屬、有機(jī)物、鈣鈦礦和化合物。全自動系統(tǒng)可滿足各種應(yīng)用要求,包括OLED、OPV、OPD等。