磁控濺射儀為一種用于物理學領(lǐng)域的分析儀器，于2015年05月25日啟用。

磁控濺射為物理氣相沉積的一種。金屬、半導(dǎo)體、絕緣體等多材料的制備通常會采用一般的濺射法，其的特點為有著較為簡單的設(shè)備，控制起來不困難，有著較大的鍍膜面積以及有著較強的附著力等。在上世紀 70 年代發(fā)展起來的磁控濺射法更是使高速、低溫、低損傷得以實現(xiàn)。由于高速濺射是在低氣壓下進行，必須要使氣體的離化率得到有效地提高。磁控濺射利用將磁場往靶陰極表面引入，通過磁場約束帶電粒子來使得等離子體密度提高進而使得濺射率增加。

磁控濺射儀使用應(yīng)注意事項

1、將機械泵打開抽大氣時，應(yīng)當緩慢打旁抽閥。

2、如果發(fā)生突然停電的狀況，那么需要復(fù)位所有電源，在5到7分鐘以后，才可以對分子泵重新啟動。

3、在將偏壓施加給樣品時，應(yīng)當拔起定位鎖，必須在靶擋板上方放置機械手。

4、系統(tǒng)通過大氣抽到低真空的過程中和鍍膜過程中不要將烘烤燈和照明燈打開。

5、在將樣品和靶材取出或者對其進行更換時，真空室的清潔尤為值得注意，與此同時，需要對屏蔽罩與靶材之間的距離比1毫米大比3毫米小加以保證。

6、當磁控靶、分子泵工作時，必須要通水進行冷卻。

7、當磁控濺射室在大氣暴露以前必須要將閘板閥關(guān)緊，從而避免對分子泵造成損壞，與此同時必須要將氣路截止閥關(guān)緊，從而防止氣路受到污染。

8、在結(jié)束了室體內(nèi)濺射以后，能夠隨爐冷卻樣品，在真空室內(nèi)溫度不高于60攝氏度才可以在大氣中暴露。

9、在對屏蔽罩進行升降時，一定要在靶擋板的下方位置放置靶擋板。

10、插板閥一端是大氣,一端是真空的條件下將閘板閥打開要禁止。