氣相沉積技術(shù)是對(duì)氣相中發(fā)生的物理、化學(xué)過(guò)程加以利用，對(duì)工件表面成分進(jìn)行改變，使得具有特殊性能(例如超硬耐磨層或具有特殊的光學(xué)、電學(xué)性能)的金屬或化合物涂層在表面形成的新技術(shù)。氣相沉積一般是將厚度大概為0.5-10微米的一層過(guò)渡族元素(鈦、釩、鉻、鋯、鉬、鉭、鈮及鉿)與碳、氮、氧和硼的化合物覆蓋于工件表面。氣相沉積根據(jù)過(guò)程的本質(zhì)包括物理氣相沉積以及化學(xué)氣相沉積兩大類。氣相沉積為強(qiáng)化模具表面的新技術(shù)之一，已經(jīng)在各類模具的表面硬化處理方面得到了非常廣泛地應(yīng)用。TiC，TiN為主要應(yīng)用的沉積層。

氣相沉積技術(shù)概述

化學(xué)家和物理學(xué)家花了很多時(shí)間來(lái)對(duì)如何使高質(zhì)量的沉積薄膜得到來(lái)進(jìn)行考慮。他們已經(jīng)得出結(jié)論表示：shou先是在晶片表面的化學(xué)反應(yīng)使“成核點(diǎn)”形成，之后由這些“成核點(diǎn)”處生長(zhǎng)使薄膜獲得，如此可以淀積出來(lái)較好質(zhì)量的薄膜。除此以外，另一種結(jié)論表示，反應(yīng)的中間產(chǎn)物在反應(yīng)室內(nèi)的某處形成，在晶片上滴落這一中間產(chǎn)物，從這一中間產(chǎn)物上淀積使薄膜形成。該種薄膜往往為一種劣質(zhì)薄膜。

化學(xué)氣相沉積法為傳統(tǒng)的制備薄膜的技術(shù)，其原理為通過(guò)氣態(tài)的先驅(qū)反應(yīng)物，利用原子、分子間化學(xué)反應(yīng)，使得氣態(tài)前驅(qū)體中的某些成分分解，而在基體上使薄膜形成。金屬有機(jī)化合物沉積、激光輔助化學(xué)沉積、等離子體輔助化學(xué)沉積以及常壓化學(xué)氣相沉積均包含于化學(xué)氣相沉積中。