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儀器網(wǎng)> 資料庫(kù)>晶圓上的光刻膠殘留和有機(jī)污染物的可視化

晶圓上的光刻膠殘留和有機(jī)污染物的可視化

本文由 徠卡顯微系統(tǒng)(上海)貿(mào)易有限公司 整理匯編

2024-08-22 14:50 424閱讀次數(shù)

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電子行業(yè)如何通過(guò)使用熒光顯微鏡對(duì)晶圓和半導(dǎo)體進(jìn)行檢測(cè)?無(wú)論是質(zhì)量控制、失 效分析和研發(fā)都能從中受益 對(duì)更強(qiáng)大、更快速的電子設(shè)備(智能手機(jī)、計(jì)算機(jī)、平板電腦、顯示器等)的需求不斷增長(zhǎng),這推動(dòng)了集成電路(IC)芯片 和半導(dǎo)體組件的圖案尺寸縮小到10納米以下[1-3]。為了實(shí)現(xiàn)更小的納米級(jí)尺寸,紫外光刻圖案化步驟的數(shù)量已經(jīng)增加,隨 之而來(lái)的是刻蝕過(guò)程中的缺陷和有機(jī)污染的可能性增加[2]。這種殘留污染可能對(duì)工藝控制、產(chǎn)量以及電子組件的性能和可 靠性產(chǎn)生負(fù)面影響

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