本文由 大昌洋行（上海）有限公司（大昌華嘉科學(xué)儀器部） 整理匯編

2014-01-02 00:00 799閱讀次數(shù)

收藏 評價 舉報

• 分享

立即下載

參與評論

評論

登錄后參與評論

登錄或新用戶注冊

• 微信登錄
• 密碼登錄
• 短信登錄

請用手機微信掃描下方二維碼
快速登錄或注冊新賬號

微信掃碼，手機電腦聯(lián)動

注冊登錄即表示同意《儀器網(wǎng)服務(wù)條款》和《隱私協(xié)議》

賬  號：

密  碼：

圖片碼： 看不清？
換一張？

手機和郵箱號注冊新賬號>> 忘記密碼？

手機號：

圖片碼： 看不清？
換一張？

短信碼： 獲取短信碼

手機和郵箱號注冊新賬號>> 忘記密碼？

更多資料

• 使用原子層沉積（ALD）技術(shù)在顆粒表面沉積固體潤滑涂層-FT

  使用原子層沉積（ALD）技術(shù)在顆粒表面沉積固體潤滑涂層-FT[詳細]

  2014-01-02 00:00

  課件

  |

  • 
  • 
  • 
  • 

• ALD 原子層沉積

  ALD原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結(jié)構(gòu)的保形沉積，這方面ALD原子層沉積遠超過其它沉積技術(shù)。由于前驅(qū)體流量的隨意性不會帶來影響，所以在ALD原子層沉積中有序、自限制的表面反應(yīng)將會帶來非統(tǒng)計的沉積。這使得ALD原子層沉積膜保持高度的光滑、連續(xù)以及無孔的特性，可以提供優(yōu)異的薄膜性能。ALD原子層工藝也可以實現(xiàn)到大基片上。[詳細]

  2022-07-28 11:42

  產(chǎn)品樣冊

  |

  • 
  • 
  • 
  • 

• (ALD)原子層沉積技術(shù)理論資料

  (ALD)原子層沉積技術(shù)理論資料[詳細]

  2024-09-11 18:03

  其它

  |

  • 
  • 
  • 
  • 

• ALD原子層沉積系統(tǒng)資料

  ALD原子層沉積系統(tǒng)資料[詳細]

  2012-04-16 00:00

  標準

  |

  • 
  • 
  • 
  • 

• ALD原子層沉積設(shè)備-SVT產(chǎn)品樣冊

  ALD原子層沉積設(shè)備-SVT產(chǎn)品樣冊[詳細]

  2016-10-19 18:09

  報價單

  |

  • 
  • 
  • 
  • 

• 原速 原子層沉積系統(tǒng)（ALD）中文樣本

  原速 原子層沉積系統(tǒng)（ALD）的儀器原理、儀器型號、應(yīng)用領(lǐng)域等[詳細]

  2023-06-25 10:32

  產(chǎn)品樣冊

  |

  • 
  • 
  • 
  • 

• 原子層沉積技術(shù) PICOSUN? P-300 Advanced產(chǎn)品樣冊

  原子層沉積技術(shù) PICOSUN? P-300 Advanced產(chǎn)品樣冊[詳細]

  2016-10-18 14:55

  安裝說明

  |

  • 
  • 
  • 
  • 

• PICOSUN P-1000 Pro原子層沉積技術(shù)產(chǎn)品樣冊

  PICOSUN P-1000 Pro原子層沉積技術(shù)產(chǎn)品樣冊[詳細]

  2016-10-18 14:55

  安裝說明

  |

  • 
  • 
  • 
  • 

• AN # 133表征原子層沉積金屬膜和納米層

  AN # 133表征原子層沉積金屬膜和納米層[詳細]

  2016-09-07 00:00

  安裝說明

  |

  • 
  • 
  • 
  • 

• Picousn原子層沉積系統(tǒng)中文樣本2016

  Picousn原子層沉積系統(tǒng)中文樣本2016[詳細]

  2016-09-05 00:00

  實驗操作

  |

  • 
  • 
  • 
  • 

• 高通量粉末原子層沉積技術(shù)開發(fā)高性能鋰離子電池

  高通量粉末原子層沉積技術(shù)開發(fā)高性能鋰離子電池[詳細]

  2024-09-14 04:48

  應(yīng)用文章

  |

  • 
  • 
  • 
  • 

• 原子層沉積設(shè)備 P-300 Pro產(chǎn)品樣冊

  原子層沉積設(shè)備 P-300 Pro產(chǎn)品樣冊[詳細]

  2024-10-06 03:38

  專利

  |

  • 
  • 
  • 
  • 

• 一文了解粉末原子層沉積（PALD）技術(shù)及其實現(xiàn)方法

  一文了解粉末原子層沉積（PALD）技術(shù)及其實現(xiàn)方法[詳細]

  2024-09-14 19:11

  應(yīng)用文章

  |

  • 
  • 
  • 
  • 

• 用原子層沉積系統(tǒng)在硅片上沉積氧化鉿HfO2和Al2O3，以及砷As參雜多晶硅研究

  用原子層沉積系統(tǒng)在硅片上沉積氧化鉿HfO2和Al2O3，以及砷As參雜多晶硅研究[詳細]

  2008-09-16 00:00

  其它

  |

  • 
  • 
  • 
  • 

• 且談石墨負極瀝青包覆的替代技術(shù) —— 原子層沉積

  且談石墨負極瀝青包覆的替代技術(shù) —— 原子層沉積[詳細]

  2024-09-16 12:41

  應(yīng)用文章

  |

  • 
  • 
  • 
  • 

• 用PEALD等離子增強原子層沉積系統(tǒng)制備Ge2Sb2Te5薄膜

  用PEALD等離子增強原子層沉積系統(tǒng)制備Ge2Sb2Te5薄膜[詳細]

  2024-09-14 02:48

  標準

  |

  • 
  • 
  • 
  • 

• 用原子層沉積系統(tǒng)生長SrTiO3以提高其電學(xué)特性

  用原子層沉積系統(tǒng)生長SrTiO3以提高其電學(xué)特性[詳細]

  2024-09-14 05:25

  其它

  |

  • 
  • 
  • 
  • 

• 西安交通大學(xué)老師發(fā)表利用Picosun ALD沉積石墨烯的技術(shù)應(yīng)用文章

  西安交通大學(xué)老師發(fā)表利用Picosun ALD沉積石墨烯的技術(shù)應(yīng)用文章[詳細]

  2015-12-31 00:00

  課件

  |

  • 
  • 
  • 
  •