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掃描電鏡下鋼鐵材料的晶體取向分析-冷軋板、雙相不銹鋼
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本文由 捷歐路(北京)科貿(mào)有限公司 整理匯編
2016-01-15 00:00 1081閱讀次數(shù)
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掃描電鏡下鋼鐵材料的晶體取向分析-冷軋板、雙相不銹鋼
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掃描電鏡下鋼鐵材料的晶體取向分析-冷軋板、雙相不銹鋼
- 掃描電鏡下鋼鐵材料的晶體取向分析-冷軋板、雙相不銹鋼[詳細(xì)]
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2016-01-15 00:00
選購指南
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掃描電鏡下金屬材料的晶體取向分析-鍍鋅板
- 掃描電鏡下金屬材料的晶體取向分析-鍍鋅板[詳細(xì)]
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2016-01-15 00:00
安裝說明
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掃描電鏡下金屬鐵材料的晶體取向分析-鋁、銅
- 掃描電鏡下金屬鐵材料的晶體取向分析-鋁、銅[詳細(xì)]
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2016-01-15 00:00
課件
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掃描電鏡下的腎結(jié)石碎石
- 大家了解腎結(jié)石嗎?腎結(jié)石是由什么引起的呢?今天,小編將結(jié)合掃描電鏡與大家一起觀察腎結(jié)石微觀結(jié)構(gòu),以及排出腎結(jié)石時導(dǎo)致身體疼痛不已的原因。 [詳細(xì)]
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2020-06-30 14:34
應(yīng)用文章
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掃描電鏡下的凈水器濾芯修改
- 水是生命之源,人不吃飯可以活 4-6 周,但是不喝水,卻Z多只能活 7 天。人類對“水”的依賴與重視,是亙古不變的話題。但是隨著近現(xiàn)代工業(yè)的發(fā)展,水污染也越來越嚴(yán)重,從萊茵河污染事件到北美死湖事件,可謂觸目驚心。據(jù)世界衛(wèi)生組織(WHO)調(diào)查表明,全世 界約 80%的疾病和 50%的兒童死亡都與飲用水水質(zhì)不良有關(guān)! 我國各地的水質(zhì)狀況也不容樂觀,東北、華中地區(qū)水質(zhì)硬度較高,西北西南多苦咸水,華東華南部分地區(qū)存在酸雨。即便是飲用的自來水,也存在諸多隱患。
[詳細(xì)]
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2024-09-28 22:59
應(yīng)用文章
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場發(fā)射掃描電鏡下獲得金屬樣品的結(jié)構(gòu)分析(EBSD)
- 場發(fā)射掃描電鏡下獲得金屬樣品的結(jié)構(gòu)分析(EBSD)[詳細(xì)]
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2015-12-25 00:00
操作手冊
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ARL iSpark 8860分析鋼鐵材料
- ARL iSpark 8860分析鋼鐵材料[詳細(xì)]
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2015-05-25 00:00
專利
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鋼鐵材料中碳硫元素分析測量方法
- 鋼鐵材料中碳硫元素分析測量方法[詳細(xì)]
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2013-02-05 00:00
應(yīng)用文章
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無機(jī)材料之取向分析
- 取向是晶體材料的重要基本參數(shù),拉曼光譜雖然不能像 EBSD 一樣直接進(jìn)行晶面指數(shù)
的分析,但是對于很多無機(jī)材料來說,取向不同其拉曼特征峰也會產(chǎn)生積分強(qiáng)度不同或者
峰位有所偏移的情況[詳細(xì)]
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2024-09-10 22:20
應(yīng)用文章
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應(yīng)用織構(gòu)極圖研究ZnO外延膜的晶體取向特征
- 應(yīng)用織構(gòu)極圖研究ZnO外延膜的晶體取向特征[詳細(xì)]
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2024-09-11 17:56
標(biāo)準(zhǔn)
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不銹鋼的分析
- 不銹鋼的分析[詳細(xì)]
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2010-06-24 00:00
標(biāo)準(zhǔn)
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不銹鋼的分析
- 不銹鋼的分析[詳細(xì)]
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2024-09-15 11:50
應(yīng)用文章
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可充電鋰電池循環(huán)納米晶體HT-LiCoO2陰極的掃描電鏡研究
- 可充電鋰電池循環(huán)納米晶體HT-LiCoO2陰極的掃描電鏡研究[詳細(xì)]
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2024-09-15 15:34
報(bào)價(jià)單
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無機(jī)材料之取向應(yīng)力分析
- 應(yīng)力測試也是無機(jī)材料分析的重要方面,目前微區(qū)應(yīng)力分布測試主要手段是 EBSD,
通過測試取向差的分布來間接的反應(yīng),但是 EBSD 分析手段又有一定的局限性。
拉曼光譜也可以間接的反應(yīng)應(yīng)力的情況。如果存在壓縮應(yīng)力,特征峰會往高波數(shù)方向
移動;反之,若存在拉伸應(yīng)力,特征峰會向低波數(shù)方向移動。且應(yīng)力越大,特征峰的位移
越大[詳細(xì)]
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2024-09-12 18:30
應(yīng)用文章
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先進(jìn)鋼鐵材料研究
- 先進(jìn)鋼鐵材料研究[詳細(xì)]
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2024-09-20 15:25
安裝說明
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室溫下脂肪酸的分析
- 室溫下脂肪酸的分析[詳細(xì)]
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2024-09-29 05:21
操作手冊
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快速雙相脈沖
- 介紹
有時,您可能需要使用電化學(xué)工作站發(fā)出快速脈沖信號來進(jìn)行實(shí)驗(yàn)工作。例如,神經(jīng)科學(xué)家有時將這種脈沖用于神經(jīng)元實(shí)驗(yàn)。電鍍化學(xué)家在執(zhí)行電鍍時可以使用此類脈沖。測試電池時,快速脈沖充電可能比純直流充電更有效率。Gamry電化學(xué)工作站對雙相(正,中性,然后負(fù))脈沖有哪些物理限制?
問題
哪些因素限制電化學(xué)工作站的脈沖速度?
有關(guān)Gamry電化學(xué)工作站工作原理介紹,請參考我們的技術(shù)報(bào)告“理解電化學(xué)工作站的技術(shù)參數(shù)”。影響電壓或電流快速脈沖的參數(shù)有:
上升時間,電化學(xué)工作站對信號突變的響應(yīng)速度有多快
Z小時基,電化學(xué)工作站對傳入信號采取的Z快采樣率
速度設(shè)置,可以控制信號的快速變化
顯然,對于快速脈沖,電化學(xué)工作站必須具有快速上升時間,較小的Z小時基,較高的速度設(shè)置。[詳細(xì)]
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2024-09-28 04:20
實(shí)驗(yàn)操作
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掃描電鏡下樣品降解效應(yīng):產(chǎn)生原因及解決辦法
- 當(dāng)使用掃描電子顯微鏡(SEM)時,隨著觀察時間增加,電子束可以改變甚至降解在被觀察樣品。我們并不喜歡這種降解過程,因?yàn)樗鼤淖兓蛏踔疗茐挠^察細(xì)節(jié),從而影響實(shí)驗(yàn)結(jié)果。本文會講述降解效應(yīng)的產(chǎn)生原因以及解決辦法。在掃描電鏡SEM中是使用聚焦電子束掃描樣品表面,獲取信號并處理來獲得圖像。電子由燈絲產(chǎn)生并被高壓電場加速。高壓一般在1kV至30kV之間,典型的束流一般在納安范圍。經(jīng)過高壓加速的電子與樣品表面相互作用,對于不導(dǎo)電樣品,這種相互作用可能損害樣品和降解樣品。該過程表現(xiàn)為樣品表面產(chǎn)生的裂紋,或者是材料熔化甚至沸騰。降解速度隨加速電壓,觀察束流和放大倍數(shù)的變化而變化。圖1:不同種類非導(dǎo)電材料的降解現(xiàn)象對于那些看起來像是熔化或沸騰了的樣品,你可能會認(rèn)為是由于材料被電子束加熱導(dǎo)致的。然而實(shí)際模擬結(jié)果表明,只有對于極端案例,溫度才會達(dá)到材料的熔點(diǎn)。在這些極端案例中,是用極大束流、極高倍數(shù)聚焦極低熱導(dǎo)系數(shù)的樣品。不過,在低束流和低放大倍數(shù)下也可以發(fā)生降解效應(yīng),只是需要的時間更久些。是什么原因?qū)е陆到庑?yīng)?入射電子照射到樣品上之后,與樣品原子中的電子發(fā)生相互作用。如果價(jià)電子碰巧被激發(fā),它將留下一個空穴。該電子空穴必須在100飛秒內(nèi)(即原子振動周期)被另一個電子填充,否則化學(xué)鍵將斷裂。在導(dǎo)電材料中,這不是問題,因?yàn)殡娮涌昭ㄌ畛湓?飛秒(fs)內(nèi)。但是對于非導(dǎo)電材料,可能需要多達(dá)幾微秒來填充電子空穴,導(dǎo)致化學(xué)鍵被破壞,進(jìn)而改變化學(xué)材料及其形態(tài)。如何減緩降解效應(yīng)?降解速度因材料不同而有很大差異,有些樣品你可能根本看不到。如果樣品降解并且會干擾您的結(jié)果,那么這里有一些提示可以減緩降解:用噴金設(shè)備濺射金膜涂覆樣品以減緩降解。金膜越厚,效果越好。但要小心,不要用金膜遮蓋細(xì)節(jié)。降低電流和加速電壓。在樣品的非重要區(qū)域調(diào)整拍照參數(shù)(例如對焦和對比度)。當(dāng)設(shè)置好之后,移動到目標(biāo)區(qū)域,立即拍照并迅速離開,這樣就盡可能減少了電子束照射時間。[詳細(xì)]
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2018-08-22 10:00
產(chǎn)品樣冊
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磁性樣品的掃描電鏡觀察與分析
- 磁性樣品的掃描電鏡觀察與分析[詳細(xì)]
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2024-09-27 23:46
其它
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有機(jī)顆粒樣品掃描電鏡分析
- 掃描電鏡使用技巧Get,有機(jī)顆粒樣品分析有妙招飛納臺式掃描電鏡顆粒統(tǒng)計(jì)分析測量系統(tǒng)(PhenomParticleMetric),簡稱顆粒系統(tǒng),由荷蘭Phenom-World公司發(fā)布于2013年11月。顆粒系統(tǒng)通過顆粒與背景襯度的差異對顆粒進(jìn)行圖像識別,在獲取SEM圖像的同時可以獲取所有顆粒的形貌數(shù)據(jù),例如直徑、等效面積、等效體積、圓度等。并且可以將這些數(shù)據(jù)進(jìn)行統(tǒng)計(jì)。顆粒探測范圍:100nm-0.1mm,顆粒探測速度高達(dá)1000顆/分。圖1.PhenomParticleMetric配置圖在實(shí)際操作過程中,顆粒與背景元素差異大的顆粒可以很好的識別,但由于圖像識別技術(shù)局限性,如顆粒與背景元素差異較小,例如有機(jī)顆粒,則軟件難以進(jìn)行有效識別,在這種情況下,我們可以采用噴金的辦法人為創(chuàng)造出黑色顆粒邊界,從而增加軟件識別的準(zhǔn)確性。粘在導(dǎo)電膠表面的顆粒與導(dǎo)電膠之間形成空隙區(qū),如圖2右上所示,在噴金過程中,此孔隙區(qū)無法被金覆蓋。噴金完成之后,結(jié)構(gòu)示意圖如圖3所示。此時在SEM視圖下,可以清晰看到顆粒邊緣的黑色邊界,圖4為顆粒在噴金后陰影邊界與顆粒識別案例。識別結(jié)果證明適當(dāng)噴金有利于提升顆粒系統(tǒng)識別的準(zhǔn)確性。而噴金多少呢?我們通過實(shí)踐總結(jié)規(guī)律得出,噴金厚度為顆粒尺寸5~10%范圍內(nèi),可以有效增強(qiáng)顆粒系統(tǒng)識別的準(zhǔn)確性。圖2.顆粒樣品噴金過程示意圖圖3.顆粒樣品噴金結(jié)果示意圖圖4.噴金后陰影邊界與顆粒識別案例在拍照過程中,應(yīng)注意調(diào)節(jié)圖像的亮度/對比度,如亮度對比度都較低,則容易造成軟件識別率下降,如圖5所示。因此,[詳細(xì)]
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2018-08-22 10:00
產(chǎn)品樣冊
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