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掃描電鏡下金屬材料的晶體取向分析-鍍鋅板
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本文由 捷歐路（北京）科貿(mào)有限公司 整理匯編
2016-01-15 00:00 1065閱讀次數(shù)
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掃描電鏡下金屬材料的晶體取向分析-鍍鋅板
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掃描電鏡下金屬材料的晶體取向分析-鍍鋅板- 掃描電鏡下金屬材料的晶體取向分析-鍍鋅板[詳細(xì)]
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2016-01-15 00:00
安裝說(shuō)明
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- 掃描電鏡下鋼鐵材料的晶體取向分析-冷軋板、雙相不銹鋼
- 掃描電鏡下鋼鐵材料的晶體取向分析-冷軋板、雙相不銹鋼[詳細(xì)]
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2016-01-15 00:00
選購(gòu)指南
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- 掃描電鏡下金屬鐵材料的晶體取向分析-鋁、銅
- 掃描電鏡下金屬鐵材料的晶體取向分析-鋁、銅[詳細(xì)]
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2016-01-15 00:00
課件
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- 掃描電鏡下的腎結(jié)石碎石
- 大家了解腎結(jié)石嗎？腎結(jié)石是由什么引起的呢？今天，小編將結(jié)合掃描電鏡與大家一起觀察腎結(jié)石微觀結(jié)構(gòu)，以及排出腎結(jié)石時(shí)導(dǎo)致身體疼痛不已的原因。 [詳細(xì)]
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2020-06-30 14:34
應(yīng)用文章
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- 掃描電鏡下的凈水器濾芯修改
- 水是生命之源，人不吃飯可以活 4-6 周，但是不喝水，卻Z多只能活 7 天。人類對(duì)“水”的依賴與重視，是亙古不變的話題。但是隨著近現(xiàn)代工業(yè)的發(fā)展，水污染也越來(lái)越嚴(yán)重，從萊茵河污染事件到北美死湖事件，可謂觸目驚心。據(jù)世界衛(wèi)生組織(WHO)調(diào)查表明，全世 界約 80%的疾病和 50%的兒童死亡都與飲用水水質(zhì)不良有關(guān)！ 我國(guó)各地的水質(zhì)狀況也不容樂(lè)觀，東北、華中地區(qū)水質(zhì)硬度較高，西北西南多苦咸水，華東華南部分地區(qū)存在酸雨。即便是飲用的自來(lái)水，也存在諸多隱患。
[詳細(xì)]
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2024-09-28 22:59
應(yīng)用文章
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場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡下獲得金屬樣品的結(jié)構(gòu)分析（EBSD）- 場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡下獲得金屬樣品的結(jié)構(gòu)分析（EBSD）[詳細(xì)]
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2015-12-25 00:00
操作手冊(cè)
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- IS 1608 金屬材料在環(huán)境溫度下的拉伸測(cè)試
- IS 1608 金屬材料在環(huán)境溫度下的拉伸測(cè)試[詳細(xì)]
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2024-09-26 02:08
課件
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- 無(wú)機(jī)材料之取向分析
- 取向是晶體材料的重要基本參數(shù)，拉曼光譜雖然不能像 EBSD 一樣直接進(jìn)行晶面指數(shù)
的分析，但是對(duì)于很多無(wú)機(jī)材料來(lái)說(shuō)，取向不同其拉曼特征峰也會(huì)產(chǎn)生積分強(qiáng)度不同或者
峰位有所偏移的情況[詳細(xì)]
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2024-09-10 22:20
應(yīng)用文章
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- 應(yīng)用織構(gòu)極圖研究ZnO外延膜的晶體取向特征
- 應(yīng)用織構(gòu)極圖研究ZnO外延膜的晶體取向特征[詳細(xì)]
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2024-09-11 17:56
標(biāo)準(zhǔn)
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- 可充電鋰電池循環(huán)納米晶體HT-LiCoO2陰極的掃描電鏡研究
- 可充電鋰電池循環(huán)納米晶體HT-LiCoO2陰極的掃描電鏡研究[詳細(xì)]
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2024-09-15 15:34
報(bào)價(jià)單
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- COXEM臺(tái)式掃描電鏡在材料學(xué)中的應(yīng)用-金屬材料
- COXEM臺(tái)式掃描電鏡在材料學(xué)中的應(yīng)用-金屬材料[詳細(xì)]
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2024-09-29 12:13
應(yīng)用文章
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- 無(wú)機(jī)材料之取向應(yīng)力分析
- 應(yīng)力測(cè)試也是無(wú)機(jī)材料分析的重要方面，目前微區(qū)應(yīng)力分布測(cè)試主要手段是 EBSD，
通過(guò)測(cè)試取向差的分布來(lái)間接的反應(yīng)，但是 EBSD 分析手段又有一定的局限性。
拉曼光譜也可以間接的反應(yīng)應(yīng)力的情況。如果存在壓縮應(yīng)力，特征峰會(huì)往高波數(shù)方向
移動(dòng)；反之，若存在拉伸應(yīng)力，特征峰會(huì)向低波數(shù)方向移動(dòng)。且應(yīng)力越大，特征峰的位移
越大[詳細(xì)]
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2024-09-12 18:30
應(yīng)用文章
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- 室溫下脂肪酸的分析
- 室溫下脂肪酸的分析[詳細(xì)]
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2024-09-29 05:21
操作手冊(cè)
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- IS 1608，ISO 6892:1998 金屬材料在環(huán)境溫度下的拉伸測(cè)試
- IS 1608，ISO 6892:1998 金屬材料在環(huán)境溫度下的拉伸測(cè)試[詳細(xì)]
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2014-08-07 00:00
實(shí)驗(yàn)操作
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- 掃描電鏡下樣品降解效應(yīng)：產(chǎn)生原因及解決辦法
- 當(dāng)使用掃描電子顯微鏡（SEM）時(shí)，隨著觀察時(shí)間增加，電子束可以改變甚至降解在被觀察樣品。我們并不喜歡這種降解過(guò)程，因?yàn)樗鼤?huì)改變或甚至破壞觀察細(xì)節(jié)，從而影響實(shí)驗(yàn)結(jié)果。本文會(huì)講述降解效應(yīng)的產(chǎn)生原因以及解決辦法。在掃描電鏡SEM中是使用聚焦電子束掃描樣品表面，獲取信號(hào)并處理來(lái)獲得圖像。電子由燈絲產(chǎn)生并被高壓電場(chǎng)加速。高壓一般在1kV至30kV之間，典型的束流一般在納安范圍。經(jīng)過(guò)高壓加速的電子與樣品表面相互作用，對(duì)于不導(dǎo)電樣品，這種相互作用可能損害樣品和降解樣品。該過(guò)程表現(xiàn)為樣品表面產(chǎn)生的裂紋，或者是材料熔化甚至沸騰。降解速度隨加速電壓，觀察束流和放大倍數(shù)的變化而變化。圖1：不同種類非導(dǎo)電材料的降解現(xiàn)象對(duì)于那些看起來(lái)像是熔化或沸騰了的樣品，你可能會(huì)認(rèn)為是由于材料被電子束加熱導(dǎo)致的。然而實(shí)際模擬結(jié)果表明，只有對(duì)于極端案例，溫度才會(huì)達(dá)到材料的熔點(diǎn)。在這些極端案例中，是用極大束流、極高倍數(shù)聚焦極低熱導(dǎo)系數(shù)的樣品。不過(guò)，在低束流和低放大倍數(shù)下也可以發(fā)生降解效應(yīng)，只是需要的時(shí)間更久些。是什么原因?qū)е陆到庑?yīng)？入射電子照射到樣品上之后，與樣品原子中的電子發(fā)生相互作用。如果價(jià)電子碰巧被激發(fā)，它將留下一個(gè)空穴。該電子空穴必須在100飛秒內(nèi)（即原子振動(dòng)周期）被另一個(gè)電子填充，否則化學(xué)鍵將斷裂。在導(dǎo)電材料中，這不是問(wèn)題，因?yàn)殡娮涌昭ㄌ畛湓?飛秒（fs）內(nèi)。但是對(duì)于非導(dǎo)電材料，可能需要多達(dá)幾微秒來(lái)填充電子空穴，導(dǎo)致化學(xué)鍵被破壞，進(jìn)而改變化學(xué)材料及其形態(tài)。如何減緩降解效應(yīng)?降解速度因材料不同而有很大差異，有些樣品你可能根本看不到。如果樣品降解并且會(huì)干擾您的結(jié)果，那么這里有一些提示可以減緩降解：用噴金設(shè)備濺射金膜涂覆樣品以減緩降解。金膜越厚，效果越好。但要小心，不要用金膜遮蓋細(xì)節(jié)。降低電流和加速電壓。在樣品的非重要區(qū)域調(diào)整拍照參數(shù)（例如對(duì)焦和對(duì)比度）。當(dāng)設(shè)置好之后，移動(dòng)到目標(biāo)區(qū)域，立即拍照并迅速離開，這樣就盡可能減少了電子束照射時(shí)間。[詳細(xì)]
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2018-08-22 10:00
產(chǎn)品樣冊(cè)
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- 金屬材料的解決方案
- 金屬材料的解決方案[詳細(xì)]
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2008-03-17 00:00
期刊論文
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- 磁性樣品的掃描電鏡觀察與分析
- 磁性樣品的掃描電鏡觀察與分析[詳細(xì)]
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2024-09-27 23:46
其它
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- 有機(jī)顆粒樣品掃描電鏡分析
- 掃描電鏡使用技巧Get，有機(jī)顆粒樣品分析有妙招飛納臺(tái)式掃描電鏡顆粒統(tǒng)計(jì)分析測(cè)量系統(tǒng)（PhenomParticleMetric），簡(jiǎn)稱顆粒系統(tǒng)，由荷蘭Phenom-World公司發(fā)布于2013年11月。顆粒系統(tǒng)通過(guò)顆粒與背景襯度的差異對(duì)顆粒進(jìn)行圖像識(shí)別，在獲取SEM圖像的同時(shí)可以獲取所有顆粒的形貌數(shù)據(jù)，例如直徑、等效面積、等效體積、圓度等。并且可以將這些數(shù)據(jù)進(jìn)行統(tǒng)計(jì)。顆粒探測(cè)范圍：100nm-0.1mm，顆粒探測(cè)速度高達(dá)1000顆/分。圖1.PhenomParticleMetric配置圖在實(shí)際操作過(guò)程中，顆粒與背景元素差異大的顆?？梢院芎玫淖R(shí)別，但由于圖像識(shí)別技術(shù)局限性，如顆粒與背景元素差異較小，例如有機(jī)顆粒，則軟件難以進(jìn)行有效識(shí)別，在這種情況下，我們可以采用噴金的辦法人為創(chuàng)造出黑色顆粒邊界，從而增加軟件識(shí)別的準(zhǔn)確性。粘在導(dǎo)電膠表面的顆粒與導(dǎo)電膠之間形成空隙區(qū)，如圖2右上所示，在噴金過(guò)程中，此孔隙區(qū)無(wú)法被金覆蓋。噴金完成之后，結(jié)構(gòu)示意圖如圖3所示。此時(shí)在SEM視圖下，可以清晰看到顆粒邊緣的黑色邊界，圖4為顆粒在噴金后陰影邊界與顆粒識(shí)別案例。識(shí)別結(jié)果證明適當(dāng)噴金有利于提升顆粒系統(tǒng)識(shí)別的準(zhǔn)確性。而噴金多少呢？我們通過(guò)實(shí)踐總結(jié)規(guī)律得出，噴金厚度為顆粒尺寸5~10%范圍內(nèi)，可以有效增強(qiáng)顆粒系統(tǒng)識(shí)別的準(zhǔn)確性。圖2.顆粒樣品噴金過(guò)程示意圖圖3.顆粒樣品噴金結(jié)果示意圖圖4.噴金后陰影邊界與顆粒識(shí)別案例在拍照過(guò)程中，應(yīng)注意調(diào)節(jié)圖像的亮度/對(duì)比度，如亮度對(duì)比度都較低，則容易造成軟件識(shí)別率下降，如圖5所示。因此，[詳細(xì)]
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2018-08-22 10:00
產(chǎn)品樣冊(cè)
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- 金屬材料熱處理工藝與技術(shù)分析
- 近幾年，伴隨著我國(guó)先進(jìn)技術(shù)的快速發(fā)展，在熱處理金屬材料和采用技術(shù)上也得到了快速發(fā)展。一方面由于對(duì)熱處理金屬材料時(shí)，不可避免會(huì)造成金屬資源的大量浪費(fèi)，更會(huì)對(duì)環(huán)境造成污染。另一方面在金屬制品中，它的質(zhì)量直接與金屬材料的熱處理技術(shù)水平高低有關(guān)。所以，在當(dāng)前階段，隨著金屬熱材料的技術(shù)的快速發(fā)展，我們更應(yīng)該重視如何在熱處理中做到節(jié)能減排等問(wèn)題?；诖吮疚南葘?duì)金屬材料進(jìn)行簡(jiǎn)要概述，然后具體分析了金屬材料熱處理新工藝與技術(shù)，并提出了熱處理工藝與技術(shù)展望，以供參考。[詳細(xì)]
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2018-08-25 14:07
期刊論文
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- 掃描電鏡的基礎(chǔ)知識(shí)
- 掃描電鏡的基礎(chǔ)知識(shí)[詳細(xì)]
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2024-09-15 06:48
課件
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