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  821379441 2016-06-21 00:00:00

  　　電磁干擾基本概念 　　廣告插播信息 　　維庫(kù)Z新熱賣(mài)芯片： OPA620KU LM376N ICS9111 SSM2126A BCM4306KFB EPF6016ATI144-2 SNJ54LS38J HA2-2522-2 CY7C4201-1C LM1117DT-ADJ 　　在復(fù)雜的電磁環(huán)境中，任何電子及電氣產(chǎn)品除了本身能夠承受一定的外來(lái)電磁干擾（Electromagnetic InterferenceEMI）而保持正常工作外，還不會(huì)對(duì)其他電子及電氣設(shè)備產(chǎn)生不可承受的電磁干擾，該產(chǎn)品即具有電磁兼容性（Electromagnetic CompatibilityEMC）[1]。 　　21世紀(jì)將是信息爆炸的時(shí)代，信息的產(chǎn)生、傳遞、接收、處理和儲(chǔ)存等都需要依賴(lài)電磁波作為載體。廣義地說(shuō)，聲波、無(wú)線(xiàn)電波、光波均可作為信息載體，因此，廣義的電磁兼容性概念也應(yīng)拓展到聲、光、電的廣闊領(lǐng)域。 　　電子及電氣產(chǎn)品的電磁干擾發(fā)射或受到電磁干擾的侵害都是通過(guò)產(chǎn)品的外殼、交／直流電源端口、信號(hào)線(xiàn)、控制線(xiàn)及地線(xiàn)而形成的。按照EMI的傳播方式，可將其分為電磁輻射干擾和電磁傳導(dǎo)干擾兩大類(lèi)。通常，輻射干擾出現(xiàn)在產(chǎn)品周?chē)拿襟w中，傳導(dǎo)干擾則出現(xiàn)在各種導(dǎo)體中。一般來(lái)說(shuō)，通過(guò)外殼發(fā)射的電磁干擾，或通過(guò)外殼侵入的干擾都是輻射干擾，而通過(guò)其它導(dǎo)體發(fā)射和入侵的干擾屬于傳導(dǎo)干擾。 　　2 人類(lèi)必須關(guān)注電磁兼容問(wèn)題 　　20世紀(jì)中葉以來(lái)，電子技術(shù)的迅猛發(fā)展，使人類(lèi)社會(huì)的進(jìn)步和文明上了一個(gè)新的臺(tái)階，但是也給人們帶來(lái)了一系列社會(huì)問(wèn)題和環(huán)境問(wèn)題。家用電器、通信、計(jì)算機(jī)及信息設(shè)備、電動(dòng)工具、航空、航天等工業(yè)、科技、醫(yī)學(xué)等各個(gè)領(lǐng)域的自動(dòng)控制、測(cè)量?jī)x器以及電力電子系統(tǒng)等的廣泛普及、應(yīng)用，深入千家萬(wàn)戶(hù)之中，使得電磁污染問(wèn)題日益突出，而電子設(shè)備的高頻化、數(shù)字化，干擾信號(hào)的能量密度增大，使有限空間內(nèi)的電磁環(huán)境更為惡化。 　　1996年3月，日本SAPIO雜志公布了日本家用電器電磁輻射的檢測(cè)結(jié)果（表1）。瑞典等北歐三國(guó)于1993年所作的聯(lián)合調(diào)查指出：人類(lèi)長(zhǎng)期受到2mG（毫高斯）以上的電磁輻射影響，患白血病的機(jī)會(huì)是正常人的2.1倍，患腦腫瘤的機(jī)會(huì)是正常人的1.5倍，其他疾病的發(fā)病概率也明顯增加。 　　3 EMIYZ技術(shù)的主要內(nèi)容[3] 　　3.1 抗EMI系統(tǒng)設(shè)計(jì)技術(shù) 　　抗EMI系統(tǒng)設(shè)計(jì)技術(shù)是提高電子整機(jī)EMC性能的關(guān)鍵所在。因此該技術(shù)又稱(chēng)為EMC設(shè)計(jì)技術(shù)。 　　EMC設(shè)計(jì)的目的是使電子、電氣產(chǎn)品在一定的電磁環(huán)境中能正常工作，既滿(mǎn)足標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的抗干擾極限值要求，在受到一定的電磁干擾時(shí)，無(wú)性能降級(jí)或故障；又滿(mǎn)足標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的電磁輻射極限值要求，對(duì)電磁環(huán)境不構(gòu)成污染源。因此，EMC是產(chǎn)品的重要性能之一，也是實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品效能的重要保證。 　　EMC設(shè)計(jì)要從分析產(chǎn)品預(yù)期的電磁環(huán)境、干擾源、耦合途徑和敏感部件入手，采用相應(yīng)的技術(shù)措施，YZ干擾源、切斷或削弱耦合途徑，增強(qiáng)敏感部件的抗干擾能力等。并進(jìn)行計(jì)算機(jī)仿真和測(cè)試驗(yàn)證。 　　EMC設(shè)計(jì)技術(shù)包括系統(tǒng)設(shè)計(jì)、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、材料和元器件的選取以及抗EMI元器件的使用等。其中有源器件的選用十分關(guān)鍵。 　　EMC設(shè)計(jì)技術(shù)在產(chǎn)品設(shè)計(jì)的初級(jí)階段就應(yīng)十分重視，盡可能把80%——90%以上的問(wèn)題解決在初級(jí)階段。一旦產(chǎn)品批量生產(chǎn)了，發(fā)現(xiàn)EMC問(wèn)題再去解決，就會(huì)事倍功半。 　　3.2 EMIYZ材料技術(shù) 　　3.2.1 屏蔽材料 　　屏蔽就是利用材料的反射和/或吸收作用，以減少EMI輻射。屏蔽材料的有效填置可減少或清除不必要的縫隙，YZ電磁耦合輻射，降低電磁泄漏和干擾。具有較高導(dǎo)電、導(dǎo)磁性能的材料可作為電磁屏蔽材料，一般要求屏蔽性能達(dá)40——60dB。目前常用的屏蔽材料有金屬材料和高分子材料兩大類(lèi)。 　　金屬材料按用途又可分為襯墊屏蔽材料和透氣性屏蔽材料兩種。任何實(shí)用的機(jī)箱都會(huì)有縫隙，由于縫隙的導(dǎo)電不連續(xù)性，在該處即產(chǎn)生電磁泄漏。解決的辦法是在非性搭接處加電磁密封襯墊。如金屬絲網(wǎng)襯墊、導(dǎo)電橡膠襯墊、鈹銅指形簧片、螺旋管襯墊及橡膠芯襯墊＋金屬絲網(wǎng)等。任何機(jī)箱為了散熱透氣往往開(kāi)有小孔，因此引發(fā)電磁泄漏，用金屬絲網(wǎng)難以達(dá)到完全屏蔽效果，需采用波導(dǎo)窗、多層截止波導(dǎo)通風(fēng)板和泡沫金屬等以改善屏蔽效果。由銅或鎳及連通的空洞組成、空心金屬骨架互連的三維網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)金屬泡沫作屏蔽材料，在10——100MHz范圍內(nèi)，屏蔽性能達(dá)90dB，且重量輕、體積小，是很有前途的屏蔽材料。 　　高分子材料主要包括導(dǎo)電塑料、導(dǎo)電涂料和表面導(dǎo)電材料，此外還有導(dǎo)電玻璃和導(dǎo)電膜片；與金屬材料相比，它們具有重量輕、易成型、電阻率可調(diào)等特點(diǎn)。導(dǎo)電塑料是將導(dǎo)電物質(zhì)如碳黑、金屬粉或金屬纖維摻雜于樹(shù)脂中制成，屏蔽性能可達(dá)30——80dB；導(dǎo)電涂料通常由Ag、Ni、Cu或C導(dǎo)電物質(zhì)作填料，與合成樹(shù)脂、溶劑和添加劑一起，涂覆于塑料表面形成固化膜，產(chǎn)生導(dǎo)電屏蔽效果，性能為20——60dB不等；表面導(dǎo)電屏蔽材料一般采用金屬熔射、塑料電鍍、真空蒸發(fā)、貼金屬箔等手段，使絕緣材料表面形成導(dǎo)電層，鍍層Z薄為2——5μm，屏蔽性能可達(dá)45——120dB，甚至更高。 　　3.2.2 吸波材料 　　吸波材料的主要功能是將干擾源所產(chǎn)生的電磁輻射能量轉(zhuǎn)化為其它能量（主要是熱能）而耗散掉。根據(jù)損耗機(jī)理不同，可分為電阻型、電介質(zhì)型和磁介質(zhì)型三大類(lèi)［4］。 　　電阻型吸波材料主要有碳精粉、石墨和SiC等，吸波能力主要取決于材料電阻率，由于這種材料吸收層厚度t與電磁波長(zhǎng)λ成正比，通常t＝0.6λ，故適合于高頻段，若在100MHz時(shí)應(yīng)用，材料厚度需達(dá)1.8m。 　　電介質(zhì)型吸波材料有BaTiO2、鐵電陶瓷等高介電材料，能量衰減主要來(lái)自介電損耗，而介電損耗與頻率依賴(lài)關(guān)系較強(qiáng)，故吸收頻帶窄，且成本高，應(yīng)用受到一定限制。 　　磁介質(zhì)型吸波材料主要為鐵氧體，利用鐵氧體獨(dú)特的復(fù)數(shù)磁導(dǎo)率產(chǎn)生的磁損耗機(jī)理，吸收電磁波，成本低廉，所以目前應(yīng)用Z為廣泛。其中MnZn鐵氧體EMIYZ材料主要用于低頻，NiZn鐵氧體EMIYZ材料主要用于高頻，而羰基鐵、鐵基、鎳基磁介質(zhì)則可在大電流情況下應(yīng)用，以解決鐵氧體磁芯的磁飽和問(wèn)題。 　　3.3 EMIYZ元器件技術(shù) 　　3.3.1 有源器件的開(kāi)發(fā)與應(yīng)用 　　開(kāi)發(fā)和應(yīng)用有源器件，要ZD關(guān)注其電磁干擾發(fā)射和電磁敏感度這兩項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)。有源模擬器件的敏感度取決于靈敏度和帶寬，而靈敏度以器件的固有噪聲為基礎(chǔ)；邏輯器件的靈敏度取決于直流噪聲容限和噪聲抗擾度。有源器件有兩種電磁發(fā)射源：傳導(dǎo)干擾和輻射干擾。傳導(dǎo)干擾通過(guò)電源線(xiàn)、接地線(xiàn)和互連線(xiàn)進(jìn)行傳輸，并隨頻率而增大；輻射干擾通過(guò)器件本身或連線(xiàn)向外發(fā)射，并隨頻率的平方而增大。瞬態(tài)地電流是上述兩種干擾的初始源，良好接地和各種去耦方式是減小地電流的主要手段。 　　邏輯器件的翻轉(zhuǎn)速度快，所占頻譜越寬，因此，在保證功能的前提下，不可過(guò)分追求響應(yīng)速度。數(shù)字電路的干擾頻譜很寬，是電子和電氣設(shè)備中的重要干擾源，其電磁輻射可分為共模和差模兩種形式。工作頻率越高，輻射能量就越大；信號(hào)電平越高，輻射干擾就越強(qiáng)。為了控制差模輻射，必須將印制電路板上信號(hào)線(xiàn)、電源線(xiàn)和它們的回線(xiàn)緊靠在一起，以減少回路面積；為了控制共模輻射，可使用柵網(wǎng)地線(xiàn)或平面接地等良好接地方式，也可采用共模扼流圈。 　　3.3.2 抗EMI器件的開(kāi)發(fā)與應(yīng)用 　　具有良好屏蔽和接地措施的電子、電氣產(chǎn)品，也仍然會(huì)有電磁干擾，此時(shí)應(yīng)當(dāng)合理選用抗EMI元器件。抗EMI器件的種類(lèi)很多，濾波是壓縮干擾頻譜的基本手段，抗EMI濾波器是EMC技術(shù)的基礎(chǔ)元器件之一，功能獨(dú)特、門(mén)類(lèi)繁多，在此僅舉幾例。 　?。?） 信號(hào)線(xiàn)濾波器 　　這是一類(lèi)用于信號(hào)線(xiàn)的低通濾波器，用來(lái)濾除高頻干擾成分。主要有線(xiàn)路板濾波器、屏蔽殼體饋通濾波器和連接器濾波器、濾波器陣列板等，通常由EMI磁芯和電容器組成π型或L型濾波網(wǎng)絡(luò)。 　　（2） EMIYZ器 　　抗EMI鐵氧體的重要參數(shù)為磁導(dǎo)率μ和飽和磁通密度Bs。μ可表示為復(fù)數(shù)，實(shí)數(shù)部分表征電感，虛數(shù)部分構(gòu)成磁損耗。其等效電路由電感L和電阻R組成，L、R均為頻率的函數(shù)。低頻時(shí)R很小，L起主要作用，電磁干擾被反射而受到Y(jié)Z；高頻時(shí)R增大，電磁干擾被吸收并轉(zhuǎn)換成熱能。這類(lèi)EMIYZ器實(shí)際上也是一種低通濾波器，目前已被廣泛用于印制板、電源線(xiàn)和信號(hào)線(xiàn)上，不但YZ高頻干擾和尖峰干擾，也具有吸收靜電放電脈沖的能力。 　　（3） 電源線(xiàn)濾波器 　　電源線(xiàn)是電磁干擾出入電子、電氣設(shè)備的主要通道，電源線(xiàn)濾波器只允許電源頻率通過(guò)，高于電源頻率的干擾信號(hào)將受到衰減和YZ。由于火線(xiàn)、零線(xiàn)回路中的干擾為差模干擾，而火線(xiàn)、零線(xiàn)與地線(xiàn)回路中的干擾為共模干擾，電源線(xiàn)濾波器對(duì)這兩種干擾信號(hào)的濾波器效果是不同的，所以往往需要區(qū)別對(duì)待。 　　3.4 EMI測(cè)試技術(shù) 　　嚴(yán)格按照國(guó)際、國(guó)內(nèi)相關(guān)EMC標(biāo)準(zhǔn)，對(duì)系統(tǒng)整機(jī)、部件、元器件和材料進(jìn)行EMI測(cè)試、驗(yàn)證是EMC技術(shù)創(chuàng)新的關(guān)鍵。前不久，上海建成了華東地區(qū)diyi個(gè)按90年代新工藝、新標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)的EMC實(shí)驗(yàn)室，采用高性能鐵氧體吸波材料組裝成微波暗室及一系列屏蔽實(shí)驗(yàn)室，可對(duì)電子產(chǎn)品的靜電、群脈沖、浪涌、磁場(chǎng)、諧波、傳導(dǎo)發(fā)射等EMC技術(shù)指標(biāo)進(jìn)行測(cè)量、*估[5]。只有解決了EMC測(cè)試問(wèn)題，才能更好地開(kāi)展電子、電氣產(chǎn)品的科研、生產(chǎn)、銷(xiāo)售、應(yīng)用、服務(wù)，同時(shí)可對(duì)IT產(chǎn)品的進(jìn)出口業(yè)務(wù)實(shí)施有效監(jiān)督。

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