成果速遞|小型無掩膜光刻直寫系統(tǒng)（MicroWriter）在復(fù)旦大學(xué)包文中教授課題組的Z新研究應(yīng)用

Quantum Design中國子公司 2019-10-16 10:05:04 642 瀏覽

隨著電子信息產(chǎn)業(yè)的高速發(fā)展，集成電路的需求出現(xiàn)了井噴式的增長。使得掩膜的需求急劇增加，目前制作掩膜的主要技術(shù)是電子束直寫，但該制作效率非常低下，并且成本也不容小覷，在這種背景下人們把目光轉(zhuǎn)移到了無掩膜光刻技術(shù)。
英國Durham Magneto Optics公司致力于研發(fā)小型臺式無掩膜光刻直寫系統(tǒng)（MicroWriter ML3），為微流控、MEMS、半導(dǎo)體、自旋電子學(xué)等研究領(lǐng)域提供方便GX的微加工方案。傳統(tǒng)的光刻工藝中所使用的鉻玻璃掩膜板需要由專業(yè)供應(yīng)商提供，但是在研發(fā)過程中，掩膜板的設(shè)計(jì)通常需要根據(jù)實(shí)際情況多次改變。無掩膜光刻技術(shù)通過以軟件設(shè)計(jì)電子掩膜板的方法，克服了這一問題。與通過物理掩膜板進(jìn)行光照的傳統(tǒng)工藝不同，激光直寫是通過電腦控制DMD微鏡矩陣開關(guān)，經(jīng)過光學(xué)系統(tǒng)調(diào)制，在光刻膠上直接曝光繪出所要的圖案。同時其還具備結(jié)構(gòu)緊湊（70cm X 70cm X 70cm）、高直寫速度，高分辨率（XY：<1 um）的特點(diǎn)。采用集成化設(shè)計(jì)，全自動控制，可靠性高，操作簡便。

復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院包文中教授課題組主要的研究領(lǐng)域包括二維層狀材料的能帶調(diào)控、器件工藝及應(yīng)用，包括二硫化鉬（MoS2），黑磷等。近日，其課題組利用小型臺式無掩膜光刻直寫系統(tǒng)（MicroWriter ML3）在新型二維層狀材料MoS2的器件制備、轉(zhuǎn)移和應(yīng)用等方面取得了一系列矚目的研究成果：
（一） SMALL: 高性能的具備實(shí)際應(yīng)用前景的晶圓級MoS2晶體管
原子層級的過渡金屬二硫化物（TMD）被認(rèn)為是下一代半導(dǎo)體器件的重要研究熱點(diǎn)。然而，目前絕大部分的器件都是基于層間剝離來獲取金屬硫化物層，這樣只能實(shí)現(xiàn)微米級的制備。在本文中，作者提出一種利用化學(xué)氣相沉積（CVD）制備多層MoS2薄層，進(jìn)而改善所制備器件的相關(guān)性能。采用四探針法測量證明接觸電阻降低一個數(shù)量級。進(jìn)一步，基于該法制備的連續(xù)大面積MoS2薄層，采用小型無掩膜光刻直寫系統(tǒng)（MicroWriter ML3）構(gòu)筑了頂柵極場效應(yīng)晶體管（FET）陣列。研究表明其閾值電壓和場效應(yīng)遷移率均有明顯的提升，平均遷移率可以達(dá)到70 cm2V-1s-1，可與層間剝離法制備的MoS2 FETZ 好結(jié)果相媲美。本工作創(chuàng)制了一種規(guī)?；苽涠STMD功能器件和集成電路應(yīng)用的有效方法。

圖1. (a-e) 利用CVD法制備大面積多層MoS2的原理示意及形貌結(jié)果。(g, h, i, j) 單層MoS2邊界及多層MoS2片層島的AFM測試結(jié)果，拉曼譜及光致發(fā)光譜結(jié)果

圖2. 利用無掩膜激光直寫系統(tǒng)（MicroWriter）在MoS2薄層上制備的多探針（二探針/四探針）測量系統(tǒng)，以及在不同條件下測量的接觸電阻和遷移率結(jié)果。證明所制多層MoS2的平均遷移率可以達(dá)到70 cm2V-1s-1

圖3. 利用無掩膜光刻直寫系統(tǒng)（MicroWriter）制備的大面積規(guī)模級MoS2 FET陣列，及其場效應(yīng)遷移率和閾值電壓的分布性測量結(jié)果，證明該規(guī)模級MoS2 FET陣列具備優(yōu)異且穩(wěn)定的均一特性
（二） Nanotechnology: 用于高性能場效應(yīng)晶體管的晶圓級可轉(zhuǎn)移多層MoS2的制備
利用化學(xué)氣相沉積（CVD）制備半導(dǎo)體型過渡金屬二硫化物（TMD）是一種制備半導(dǎo)體器件的新途徑，然而實(shí)現(xiàn)連續(xù)均勻的多層TMD薄膜制備仍然需要克服特殊的生長動力學(xué)問題。在本文中，作者利用多層堆疊（layer-by-layer）及轉(zhuǎn)移工藝，制備出均勻、無缺陷的多層MoS2薄膜。同時，利用無掩膜光刻直寫系統(tǒng)（MicroWriter）在其基礎(chǔ)上制備場效應(yīng)晶體管（FET）器件。分別實(shí)現(xiàn)1層、2層、3層和4層MoS2 FET的制備，并深入研究不同條件下器件的遷移率變化，Z終發(fā)現(xiàn)隨著MoS2堆疊層數(shù)的增加，電子遷移率隨之增加，但電流開關(guān)比反而減小。綜合遷移率和電流開關(guān)變化，2層/3層MoS2 FET是Z 優(yōu)設(shè)計(jì)器件。此外，雙柵極結(jié)構(gòu)也被證明可以改善對多層MoS2通道的靜電控制。

圖4 (a) 多層MoS2結(jié)構(gòu)的制備/轉(zhuǎn)移流程示意；(b) 單層/雙層MoS2薄膜的光學(xué)形貌；(c) 雙層MoS2薄膜的AFM表面形貌結(jié)果；(d) 單層/雙層MoS2薄膜的拉曼譜結(jié)果

圖5 (a) 背柵極MoS2 FET陣列制備流程示意；(b) 利用無掩膜激光直寫系統(tǒng)（MicroWriter）制備的MoS2 FET器件的表面光學(xué)形貌（利用MicroWriter特有的虛擬掩膜對準(zhǔn)技術(shù)(VMA)，可以GX直觀地在感興趣區(qū)域?qū)崿F(xiàn)圖形曝光）；(c-f) 不同結(jié)構(gòu)的MoS2 FET器件的輸出特性及轉(zhuǎn)移特性測量結(jié)果

圖6 (a) 利用MicroWriter在Si/SiO2晶圓上制備的大范圍MoS2 FET器件陣列，其中包含1層和2層MoS2；(b) 相應(yīng)陣列區(qū)域的遷移率和閾值電壓分布結(jié)果，證明其優(yōu)異的均一特性

圖7 (a) 雙柵極MoS2器件的結(jié)構(gòu)原理；(b) 利用無掩膜激光直寫系統(tǒng)（MicroWriter）制備的大面積雙柵極MoS2器件的形貌結(jié)果；(c, d) 2層MoS2雙柵極器件的電學(xué)測量結(jié)果。

相關(guān)參考：
1. 小型無掩膜光刻直寫系統(tǒng)：http://www.qd-china.com/products2.aspx?id=297
2. High-Performance Wafer-Scale MoS2 Transistors toward Practical Application. Small 2018, 1803465
3. Wafer-scale transferred multilayer MoS2 for high performance field effect transistors. Nanotechnology, 2019, 30,174002

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隨著電子信息產(chǎn)業(yè)的高速發(fā)展，集成電路的需求出現(xiàn)了井噴式的增長。使得掩膜的需求急劇增加，目前制作掩膜的主要技術(shù)是電子束直寫，但該制作效率非常低下，并且成本也不容小覷，在這種背景下人們把目光轉(zhuǎn)移到了無掩膜光刻技術(shù)。

英國Durham Magneto Optics公司致力于研發(fā)小型臺式無掩膜光刻直寫系統(tǒng)（MicroWriter ML3），為微流控、MEMS、半導(dǎo)體、自旋電子學(xué)等研究領(lǐng)域提供方便GX的微加工方案。傳統(tǒng)的光刻工藝中所使用的鉻玻璃掩膜板需要由專業(yè)供應(yīng)商提供，但是在研發(fā)過程中，掩膜板的設(shè)計(jì)通常需要根據(jù)實(shí)際情況多次改變。無掩膜光刻技術(shù)通過以軟件設(shè)計(jì)電子掩膜板的方法，克服了這一問題。與通過物理掩膜板進(jìn)行光照的傳統(tǒng)工藝不同，激光直寫是通過電腦控制DMD微鏡矩陣開關(guān)，經(jīng)過光學(xué)系統(tǒng)調(diào)制，在光刻膠上直接曝光繪出所要的圖案。同時其還具備結(jié)構(gòu)緊湊（70cm X 70cm X 70cm）、高直寫速度，高分辨率（XY：<1 um）的特點(diǎn)。采用集成化設(shè)計(jì)，全自動控制，可靠性高，操作簡便。

復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院包文中教授課題組主要的研究領(lǐng)域包括二維層狀材料的能帶調(diào)控、器件工藝及應(yīng)用，包括二硫化鉬（MoS2），黑磷等。近日，其課題組利用小型臺式無掩膜光刻直寫系統(tǒng)（MicroWriter ML3）在新型二維層狀材料MoS2的器件制備、轉(zhuǎn)移和應(yīng)用等方面取得了一系列矚目的研究成果：

（一） SMALL: 高性能的具備實(shí)際應(yīng)用前景的晶圓級MoS2晶體管

原子層級的過渡金屬二硫化物（TMD）被認(rèn)為是下一代半導(dǎo)體器件的重要研究熱點(diǎn)。然而，目前絕大部分的器件都是基于層間剝離來獲取金屬硫化物層，這樣只能實(shí)現(xiàn)微米級的制備。在本文中，作者提出一種利用化學(xué)氣相沉積（CVD）制備多層MoS2薄層，進(jìn)而改善所制備器件的相關(guān)性能。采用四探針法測量證明接觸電阻降低一個數(shù)量級。進(jìn)一步，基于該法制備的連續(xù)大面積MoS2薄層，采用小型無掩膜光刻直寫系統(tǒng)（MicroWriter ML3）構(gòu)筑了頂柵極場效應(yīng)晶體管（FET）陣列。研究表明其閾值電壓和場效應(yīng)遷移率均有明顯的提升，平均遷移率可以達(dá)到70 cm2V-1s-1，可與層間剝離法制備的MoS2 FETZ 好結(jié)果相媲美。本工作創(chuàng)制了一種規(guī)?；苽涠STMD功能器件和集成電路應(yīng)用的有效方法。

圖1. (a-e) 利用CVD法制備大面積多層MoS2的原理示意及形貌結(jié)果。(g, h, i, j) 單層MoS2邊界及多層MoS2片層島的AFM測試結(jié)果，拉曼譜及光致發(fā)光譜結(jié)果

圖2. 利用無掩膜激光直寫系統(tǒng)（MicroWriter）在MoS2薄層上制備的多探針（二探針/四探針）測量系統(tǒng)，以及在不同條件下測量的接觸電阻和遷移率結(jié)果。證明所制多層MoS2的平均遷移率可以達(dá)到70 cm2V-1s-1

圖3. 利用無掩膜光刻直寫系統(tǒng)（MicroWriter）制備的大面積規(guī)模級MoS2 FET陣列，及其場效應(yīng)遷移率和閾值電壓的分布性測量結(jié)果，證明該規(guī)模級MoS2 FET陣列具備優(yōu)異且穩(wěn)定的均一特性

（二） Nanotechnology: 用于高性能場效應(yīng)晶體管的晶圓級可轉(zhuǎn)移多層MoS2的制備

利用化學(xué)氣相沉積（CVD）制備半導(dǎo)體型過渡金屬二硫化物（TMD）是一種制備半導(dǎo)體器件的新途徑，然而實(shí)現(xiàn)連續(xù)均勻的多層TMD薄膜制備仍然需要克服特殊的生長動力學(xué)問題。在本文中，作者利用多層堆疊（layer-by-layer）及轉(zhuǎn)移工藝，制備出均勻、無缺陷的多層MoS2薄膜。同時，利用無掩膜光刻直寫系統(tǒng)（MicroWriter）在其基礎(chǔ)上制備場效應(yīng)晶體管（FET）器件。分別實(shí)現(xiàn)1層、2層、3層和4層MoS2 FET的制備，并深入研究不同條件下器件的遷移率變化，Z終發(fā)現(xiàn)隨著MoS2堆疊層數(shù)的增加，電子遷移率隨之增加，但電流開關(guān)比反而減小。綜合遷移率和電流開關(guān)變化，2層/3層MoS2 FET是Z 優(yōu)設(shè)計(jì)器件。此外，雙柵極結(jié)構(gòu)也被證明可以改善對多層MoS2通道的靜電控制。

圖4 (a) 多層MoS2結(jié)構(gòu)的制備/轉(zhuǎn)移流程示意；(b) 單層/雙層MoS2薄膜的光學(xué)形貌；(c) 雙層MoS2薄膜的AFM表面形貌結(jié)果；(d) 單層/雙層MoS2薄膜的拉曼譜結(jié)果

圖5 (a) 背柵極MoS2 FET陣列制備流程示意；(b) 利用無掩膜激光直寫系統(tǒng)（MicroWriter）制備的MoS2 FET器件的表面光學(xué)形貌（利用MicroWriter特有的虛擬掩膜對準(zhǔn)技術(shù)(VMA)，可以GX直觀地在感興趣區(qū)域?qū)崿F(xiàn)圖形曝光）；(c-f) 不同結(jié)構(gòu)的MoS2 FET器件的輸出特性及轉(zhuǎn)移特性測量結(jié)果

圖6 (a) 利用MicroWriter在Si/SiO2晶圓上制備的大范圍MoS2 FET器件陣列，其中包含1層和2層MoS2；(b) 相應(yīng)陣列區(qū)域的遷移率和閾值電壓分布結(jié)果，證明其優(yōu)異的均一特性

圖7 (a) 雙柵極MoS2器件的結(jié)構(gòu)原理；(b) 利用無掩膜激光直寫系統(tǒng)（MicroWriter）制備的大面積雙柵極MoS2器件的形貌結(jié)果；(c, d) 2層MoS2雙柵極器件的電學(xué)測量結(jié)果。

相關(guān)參考：

1. 小型無掩膜光刻直寫系統(tǒng)：http://www.qd-china.com/products2.aspx?id=297

2. High-Performance Wafer-Scale MoS2 Transistors toward Practical Application. Small 2018, 1803465

3. Wafer-scale transferred multilayer MoS2 for high performance field effect transistors. Nanotechnology, 2019, 30,174002

2019-10-16 10:05:04 642 0

小型無掩膜光刻直寫系統(tǒng)（MicroWriter）

小型臺式無掩膜光刻直寫系統(tǒng)（MicroWriter ML3）是英國Durham Magneto Optics公司專為實(shí)驗(yàn)室設(shè)計(jì)開發(fā)，為微流控、MEMS、半導(dǎo)體、自旋電子學(xué)等研究領(lǐng)域提供方便GX的微加工方案。傳統(tǒng)的光刻工藝中所使用的鉻玻璃掩膜板需要由專業(yè)供應(yīng)商提供，但是在研發(fā)環(huán)境中，掩膜板的設(shè)計(jì)通常需要經(jīng)常改變。無掩膜光刻技術(shù)通過以軟件設(shè)計(jì)電子掩膜板的方法，克服了這一問題。與通過物理掩膜板進(jìn)行光照的傳統(tǒng)工藝不同，激光直寫是通過電腦控制DMD微鏡矩陣開關(guān)，經(jīng)過光學(xué)系統(tǒng)調(diào)制，在光刻膠上直接曝光繪出所要的圖案。同時其還具備結(jié)構(gòu)緊湊（70cm X 70cm X 70cm）、高直寫速度，高分辨率（XY：<1 um）的特點(diǎn)。采用集成化設(shè)計(jì)，全自動控制，可靠性高，操作簡便。

前沿進(jìn)展

（一） SMALL: 高性能的具備實(shí)際應(yīng)用前景的晶圓級MoS2晶體管

原子層級的過渡金屬二硫化物（TMD）被認(rèn)為是下一代半導(dǎo)體器件的重要研究熱點(diǎn)。然而，目前絕大部分的器件都是基于層間剝離來獲取金屬硫化物層，這樣只能實(shí)現(xiàn)微米級的制備。在本文中，作者提出一種利用化學(xué)氣相沉積（CVD）制備多層MoS2薄層，進(jìn)而改善所制備器件的相關(guān)性能。采用四探針法測量證明接觸電阻降低一個數(shù)量級。進(jìn)一步，基于該法制備的連續(xù)大面積MoS2薄層，采用小型無掩膜光刻直寫系統(tǒng)（MicroWriter ML3）構(gòu)筑了頂柵極場效應(yīng)晶體管（FET）陣列。研究表明其閾值電壓和場效應(yīng)遷移率均有明顯的提升，平均遷移率可以達(dá)到70 cm2V-1s-1，可與層間剝離法制備的MoS2 FETZ好結(jié)果相媲美。本工作創(chuàng)制了一種規(guī)模化制備二維TMD功能器件和集成電路應(yīng)用的有效方法。

圖2. 利用無掩膜激光直寫系統(tǒng)（MicroWriter）在MoS2薄層上制備多探針（二探針/四探針）測量系統(tǒng)，以及在不同條件下測量的接觸電阻和遷移率結(jié)果。證明所制多層MoS2的平均遷移率可以達(dá)到70 cm2V-1s-1

圖3. 利用無掩膜光刻直寫系統(tǒng)（MicroWriter）制備的大面積規(guī)模級MoS2 FET陣列，及其場效應(yīng)遷移率和閾值電壓的分布性測量結(jié)果，證明該規(guī)模級MoS2 FET陣列具備優(yōu)異且穩(wěn)定的均一特性

（二） Adv. Funct. Mater.: 二維超薄非層狀Cr2S3納米片的氣相沉積制備與拉曼表征

二維磁性材料在自旋磁電子學(xué)領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用價值，但是大部分已報道的磁性材料都是具備范德瓦爾斯作用的層狀結(jié)構(gòu)，這種結(jié)構(gòu)可以通過簡單的剝離方法獲得。與之相反，非層狀超薄磁性材料制備工藝復(fù)雜且非常稀少，其中Cr2S3就是一種典型的反鐵磁性非層狀材料。在本文中，作者通過改進(jìn)化學(xué)氣相沉積（CVD）方法，成功制備出超薄的非層狀Cr2S3納米片（厚度Z薄可達(dá)2.5 nm），并深入研究了材料的Raman振動模式及熱導(dǎo)性，同時利用無掩膜激光直寫系統(tǒng)（MicroWriter）在材料表面制備電極結(jié)構(gòu)，測試一系列相關(guān)電學(xué)特性。

圖4. 超薄Cr2S3納米片的制備流程示意圖及其光學(xué)形貌和AFM表面形貌

圖5. (a) SiO2/Si基底表面的Cr2S3納米片的AFM表面形貌，(b) 利用MicroWriter在Cr2S3納米片上制備測量電極，測量材料隨溫度變化的I-V特性曲線，(c) 隨溫度變化的電導(dǎo)率測量結(jié)果及擬合曲線比較

（三） Adv. Optical Mater.: 通過對全無機(jī)三鹵鈣鈦礦納米晶的調(diào)控，制備出性能優(yōu)良、空氣穩(wěn)定及可調(diào)諧的單分子層MoS2基混合光探測器件

全無機(jī)三鹵鈣鈦礦納米晶在過去的數(shù)年間受到廣泛的關(guān)注，基于其優(yōu)異的光物理特性和環(huán)境穩(wěn)定性，該種新材料在混合光電器件研究領(lǐng)域備受關(guān)注。在本文中，作者制備出一種單層MoS2與三鹵鈣鈦礦納米晶結(jié)合的異質(zhì)結(jié)光電器件，通過調(diào)節(jié)鈣鈦礦膠體濃度和表面配體量，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)調(diào)控該異質(zhì)結(jié)器件的光電特性。在空氣環(huán)境中，該異質(zhì)結(jié)光電器件的光響應(yīng)可達(dá)6.4×105 mA/W，同時表現(xiàn)出優(yōu)異的熱穩(wěn)定性和工作穩(wěn)定性。

圖6. CsPbBr3 PNC/monolayer MoS2異質(zhì)結(jié)光電器件的物理結(jié)構(gòu)及工作機(jī)理示意

圖7. 不同溶液濃度的鈣鈦礦前驅(qū)體所制備得到的異質(zhì)結(jié)器件的光電特性比較

在該異質(zhì)結(jié)的制備過程中，首先需要在所制備的單層MoS2表面制備Cr/Au電極，利用小型無掩膜光刻直寫系統(tǒng)（MicroWriter），可以將所設(shè)計(jì)的電極圖案直接在MoS2層表面進(jìn)行曝光，避免由與制備圖形掩膜版所帶來的時間及工藝成本，同時利用MicroWriter所特有的虛擬掩膜對準(zhǔn)（Visual Mask Alignment, VMA）功能，可以在實(shí)際圖形曝光過程中，準(zhǔn)確地找到MoS2目標(biāo)位置，這樣極大地提高了實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)和實(shí)施的靈活性。

圖8. CsPbBr3 PNC/monolayer MoS2異質(zhì)結(jié)光電器件的制備流程，紅色框所示為利用無掩膜激光直寫系統(tǒng)（MicroWriter）所制備電極結(jié)構(gòu)示意

圖9. （左）利用MicroWriter制備的MoS2基器件的I-V特性曲線，其中所示單層MoS2形貌及表面電極；（右）MicroWriter虛擬掩膜功能（VMA）結(jié)果示意

文獻(xiàn)匯總

2019年：

[1] Leonardi F, Zhang Q, Kim Y H, et al. Solution-sheared thin films of a donor-acceptor random copolymer/polystyrene blend as active material in field-effect transistors[J]. Materials Science in Semiconductor Processing, 2019, 93: 105-110.

[2] Mortet V, Drbohlavova L, Lambert N, et al. Conductivity of boron-doped diamond at high electrical field[J]. Diamond and Related Materials, 2019, 98: 107476.

[3] Armistead F J, De Pablo J G, Gadêlha H, et al. Cells Under Stress: An Inertial-Shear Microfluidic Determination of Cell Behavior[J]. Biophysical journal, 2019, 116(6): 1127-1135.

[4] Salzillo T, Campos A, Mas-Torrent M. Solution-processed thin films of a charge transfer complex for ambipolar field-effect transistors[J]. Journal of Materials Chemistry C, 2019, 7(33): 10257-10263.

[5] Chen H, Liu G, Zhang S, et al. Fundus-simulating phantom for calibration of retinal vessel oximetry devices[J]. Applied optics, 2019, 58(14): 3877-3885.

[6] Zhang S, Xu H, Liao F, et al. Wafer-scale transferred multilayer MoS2 for high performance field effect transistors[J]. Nanotechnology, 2019, 30(17): 174002.

[7] Martin E L, Bryan M T, Pagliara S, et al. Advanced Processing of Micropatterned Elasto-Magnetic Membranes[J]. IEEE Transactions on Magnetics, 2019.

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[9] Ye K, Liu L, Liu Y, et al. Lateral Bilayer MoS2–WS2 Heterostructure Photodetectors with High Responsivity and Detectivity[J]. Advanced Optical Materials, 2019: 1900815.

[10] Gilboa T, Zvuloni E, Zrehen A, et al. Automated, Ultra‐Fast Laser‐Drilling of Nanometer Scale Pores and Nanopore Arrays in Aqueous Solutions[J]. Advanced Functional Materials, 2019: 1900642.

[11] You H, Zhuo Z, Lu X, et al. 1T′-MoTe2-Based On-Chip Electrocatalytic Microdevice: A Platform to Unravel Oxidation-Dependent Electrocatalysis[J]. CCS Chemistry, 2019: 396-406.

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[13]Zhang Q, Leonardi F, Pfattner R, et al. A Solid‐State Aqueous Electrolyte‐Gated Field‐Effect Transistor as a Low‐Voltage Operation Pressure‐Sensitive Platform[J]. Advanced Materials Interfaces, 2019: 1900719.

[14] Yang R, Liu L, Feng S, et al. One-Step Growth of Spatially Graded Mo1-xWxS2 Monolayer with Wide Span in Composition (from x= 0 to 1) at Large Scale[J]. ACS applied materials & interfaces, 2019.

[15] Zhang L, Shen S, Li M, et al. Strategies for Air‐Stable and Tunable Monolayer MoS2‐Based Hybrid Photodetectors with High Performance by Regulating the Fully Inorganic Trihalide Perovskite Nanocrystals[J]. Advanced Optical Materials, 2019: 1801744.

[16] Zhou S, Wang R, Han J, et al. Ultrathin Non‐van der Waals Magnetic Rhombohedral Cr2S3: Space‐Confined Chemical Vapor Deposition Synthesis and Raman Scattering Investigation[J]. Advanced Functional Materials, 2019, 29(3): 1805880.

[17] Chen Y, Casals B, Sanchez F, et al. Solid-State Synapses Modulated by Wavelength-Sensitive Temporal Correlations in Optic Sensory Inputs[J]. ACS Applied Electronic Materials, 2019.

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2018年：

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2019-10-18 10:47:51 644 0

無掩膜直寫光刻系統(tǒng)助力二維材料異質(zhì)結(jié)構(gòu)電輸運(yùn)性能研究，意大利

期刊：ACS Nano

IF：18.027

文章鏈接: https://doi.org/10.1021/acsnano.1c09131

【引言】

MoS2是一種典型的二維材料，也是電子器件的重要組成部分。研究者發(fā)現(xiàn)，當(dāng)MoS2與石墨烯接觸會產(chǎn)生van der Waals作用，使之具有良好的電學(xué)特性，可廣泛應(yīng)用于各類柔性電子器件、光電器件、傳感器件的研究。然而，MoS2-石墨烯異質(zhì)結(jié)構(gòu)背后的電輸運(yùn)機(jī)理尚不明確。這主要是因?yàn)閭鹘y(tǒng)器件只有兩個接觸點(diǎn)，不能將MoS2-石墨烯異質(zhì)結(jié)構(gòu)產(chǎn)生的電學(xué)輸運(yùn)特性與二維材料自身的電學(xué)特性所區(qū)分。此外，電荷轉(zhuǎn)移、應(yīng)變、電荷在缺陷處被俘獲等因素也會對器件的電輸運(yùn)性能產(chǎn)生影響，進(jìn)一步提高了相關(guān)研究的難度。盡管已有很多文獻(xiàn)報道MoS2-石墨烯異質(zhì)結(jié)構(gòu)的電輸運(yùn)性能，但這些研究主要基于理論計(jì)算，缺乏對MoS2-石墨烯異質(zhì)結(jié)構(gòu)的電輸運(yùn)性能在場效應(yīng)器件中的實(shí)驗(yàn)研究。

【成果簡介】

2021年，意大利比薩大學(xué)Ciampalini教授課題組利用小型臺式無掩膜直寫光刻系統(tǒng)- MicroWriter ML3 制備出基于MoS2-石墨烯異質(zhì)結(jié)構(gòu)的多場效應(yīng)管器件，在場效應(yīng)管器件中直接測量了MoS2-石墨烯異質(zhì)結(jié)構(gòu)的電輸運(yùn)特性。通過比較MoS2的跨導(dǎo)曲線和石墨烯的電流電壓特性，發(fā)現(xiàn)在n通道的跨導(dǎo)輸運(yùn)被抑制，這一現(xiàn)象明顯不同于傳統(tǒng)對場效應(yīng)的認(rèn)知。借助第一性原理計(jì)算發(fā)現(xiàn)這一獨(dú)特的輸運(yùn)抑制現(xiàn)象與硫空位相關(guān)。

本文中所使用的小型臺式無掩膜直寫光刻系統(tǒng)- MicroWriter ML3無需掩膜版，可在光刻膠上直接曝光繪出所要的圖案。設(shè)備采用集成化設(shè)計(jì)，全自動控制，可靠性高，操作簡便，同時其還具備結(jié)構(gòu)緊湊（70cm X 70cm X 70cm）、高直寫速度，高分辨率（XY：<1 μm）等特點(diǎn)。靈活多變的前沿光刻技術(shù)，有助于MoS2-石墨烯異質(zhì)結(jié)構(gòu)的多場效應(yīng)管器件的研發(fā)。

【圖文導(dǎo)讀】

圖1. 多場效應(yīng)管器件結(jié)構(gòu)。（a）通過化學(xué)氣相沉積法合成的石墨烯。（b）同樣用氣相沉積法合成的MoS2。（c）多場效應(yīng)管器件的光學(xué)照片。右側(cè)示意圖中AB為石墨烯作為接觸點(diǎn)的MoS2場效應(yīng)管，CD為MoS2-石墨烯異質(zhì)結(jié)構(gòu)場效應(yīng)管。

圖2. MoS2-石墨烯異質(zhì)結(jié)構(gòu)的拉曼測量結(jié)果。（a）MoS2被轉(zhuǎn)移到石墨烯前和轉(zhuǎn)移后的MoS2拉曼測量結(jié)果。（b）MoS2拉曼光譜中A1g峰與E2g峰的變化關(guān)系。圖中紅色實(shí)線代表MoS2無應(yīng)變時A1g峰與E2g峰間的變化關(guān)系，藍(lán)色實(shí)線代表無摻雜時A1g峰隨E2g峰的變化。（c）在MoS2-石墨烯異質(zhì)結(jié)構(gòu)中A1g峰的圖譜。（d）石墨烯未被MoS2覆蓋和被覆蓋后的拉曼結(jié)果。（e）石墨烯拉曼光譜中2D峰與G峰間的關(guān)系圖。圖中紅色實(shí)線代表無應(yīng)變時2D峰與G峰間的變化關(guān)系，藍(lán)色實(shí)線代表無摻雜時2D峰隨著G峰的變化。（f）在MoS2-石墨烯異質(zhì)結(jié)構(gòu)中2D峰的圖譜。

圖3. MoS2-石墨烯異質(zhì)結(jié)構(gòu)的光致螢光光譜（PL）測量結(jié)果。（a）有石墨烯時MoS2的PL光譜（橘色），無石墨烯時MoS2的PL光譜（藍(lán)色）。通過高斯擬合，獲得A和B激子吸收峰的位置。（b）MoS2-石墨烯異質(zhì)結(jié)構(gòu)中A激子吸收峰的強(qiáng)度。（c）A激子吸收峰在MoS2-石墨烯異質(zhì)結(jié)構(gòu)中的半高寬圖譜。

圖4. MoS2的輸運(yùn)特性。（a）室溫條件下，MoS2在0-80V的VG范圍內(nèi)的I-V特性曲線。（b）轉(zhuǎn)移特性顯示出強(qiáng)烈的遲滯。紅色箭頭表面掃頻方向，紅色虛線為場效應(yīng)移動的預(yù)計(jì)值。其中插圖為測量器件的光學(xué)照片，電極用黑色圓點(diǎn)表示。

圖5. MoS2覆蓋層對石墨烯的電子輸運(yùn)的影響。（a，b）石墨烯上不同MoS2覆蓋面積的器件光學(xué)照片。（c-g）石墨烯上不同MoS2覆蓋面積的轉(zhuǎn)移特性，黑色覆蓋率0%，橘色48%，藍(lán)色 55%，黃色69%，紫色79%。

圖6. 硫空位對場效應(yīng)的影響。（a）MoS2-石墨烯界面的能帶結(jié)構(gòu)和態(tài)密度。（b）不同門電壓條件下，場效應(yīng)所導(dǎo)致的電子和空位的分布。藍(lán)色表示電子，紅色表示空位。（c，d）在不同門電壓條件下，MoS2-石墨烯界面的側(cè)視圖以及硫空位（綠色）的位置。

圖7. 不同硫空位密度條件下，石墨烯導(dǎo)電性能計(jì)算值。

【結(jié)論】

Ciampalini教授課題組首先制備了MoS2-石墨烯二維材料的異質(zhì)結(jié)構(gòu)，在此基礎(chǔ)上使用小型臺式無掩膜直寫光刻系統(tǒng)- MicroWriter ML3制備了多場效應(yīng)管器件。通過對多場效應(yīng)管器件的直接測量，發(fā)現(xiàn)了MoS2覆蓋層對石墨烯電輸運(yùn)性能的獨(dú)特抑制作用。為了更好地理解這一獨(dú)特電輸運(yùn)現(xiàn)象，采用第一性原理的方法，計(jì)算了硫空位對石墨烯導(dǎo)電性能的影響。該工作為后續(xù)的石墨烯場效應(yīng)電學(xué)及光電器件的研究和應(yīng)用打下良好的基礎(chǔ)。同時，從文中也可以看出，課題組最主要的優(yōu)勢是能夠制備出基于MoS2-石墨烯異質(zhì)結(jié)構(gòu)的多場效應(yīng)管器件。在制備該器件過程中，需要及時修改相應(yīng)的參數(shù)，得到優(yōu)化的實(shí)驗(yàn)結(jié)果，十分依賴靈活多變的光刻手段，小型臺式無掩膜直寫光刻系統(tǒng)- MicroWriter ML3可以任意調(diào)整光刻圖形，對二維材料進(jìn)行精準(zhǔn)套刻，幫助用戶快速實(shí)現(xiàn)器件制備，助力電輸運(yùn)研究。

小型臺式無掩膜直寫光刻系統(tǒng)- MicroWriter ML3

2023-06-14 16:49:45 290 0

無掩膜直寫光刻系統(tǒng)助力二維材料異質(zhì)結(jié)構(gòu)電輸運(yùn)性能研究，意大利科學(xué)家揭秘其機(jī)理！

期刊：ACS Nano

IF：18.027

文章鏈接: https://doi.org/10.1021/acsnano.1c09131

引言

成果簡介

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圖文導(dǎo)讀

圖7. 不同硫空位密度條件下，石墨烯導(dǎo)電性能計(jì)算值。

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結(jié)論

小型臺式無掩膜直寫光刻系統(tǒng)- MicroWriter ML3

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2023-06-29 10:11:54 295 0

成果速遞|超高分辨散射式近場光學(xué)顯微鏡在超快研究領(lǐng)域ZX應(yīng)用

近年來，范德瓦爾斯（vdW）材料中的表面極化激元(SP)研究，例如等離極化激元、聲子極化激元、激子極化激元以及其他形式極化激元等，受到了廣大科研工作者的關(guān)注，成為了低維材料領(lǐng)域納米光學(xué)研究的熱點(diǎn)。其中，范德瓦爾斯原子層狀晶體存在獨(dú)特的激子極化激元，可誘導(dǎo)可見光到太赫茲廣闊電磁頻譜范圍內(nèi)的光學(xué)波導(dǎo)。同時，具有較強(qiáng)的激子共振可以實(shí)現(xiàn)非熱刺激（包括靜電門控和光激發(fā)）的光波導(dǎo)調(diào)控。

前期的眾多研究工作表明，掃描近場光學(xué)顯微鏡（SNOM）已經(jīng)被廣泛用于穩(wěn)態(tài)波導(dǎo)的可視化表征，非常適合評估范德瓦爾斯半導(dǎo)體的各向異性和介電張量。如上所述，范德瓦爾斯材料中具有異常強(qiáng)烈的激子共振，這些激子共振能產(chǎn)生吸收和折射光譜特征，這些特征同樣被編碼在波導(dǎo)模式的復(fù)波矢量qr中，鑒于范德瓦爾斯半導(dǎo)體在近紅外和可見光范圍內(nèi)對ab-平面的光學(xué)極化率有重大影響，因此引起了人們的研究興趣。

2020年7月，美國哥倫比亞大學(xué)Aaron J. Sternbach和D.N. Basov教授等研究者在Nature Communications上發(fā)表了題為：”Femtosecond exciton dynamics in WSe₂ optical waveguides”的研究文章。研究者以范德瓦爾斯半導(dǎo)體中的WSe₂材料為例，利用德國neaspec公司的納米空間分辨超快光譜和成像系統(tǒng)，通過飛秒激光激發(fā)研究了WSe₂材料中光波導(dǎo)在空間和時間中的電場分布，并成功提取了飛秒光激發(fā)后光學(xué)常數(shù)的時間演化關(guān)系。同時，研究者也通過監(jiān)視波導(dǎo)模式的相速度，探測了WSe2材料中受激非相干的A-exciton漂白和相干的光學(xué)斯塔克（Stark）位移。 原文導(dǎo)讀：

① 在納米空間分辨超快光譜和成像（tr-SNOM）實(shí)驗(yàn)中（圖1，a），研究者首先將Probe探測光（藍(lán)色）照到原子力顯微鏡（AFM）探針JD的頂點(diǎn)上，從探針JD頂點(diǎn)（光束A）散射回的光被離軸拋物面鏡（OAPM）收集并發(fā)送到檢測器。同時，WSe₂材料的中的波導(dǎo)被激發(fā)并傳播到樣品邊緣后，進(jìn)而波導(dǎo)被散射到自由空間（光束B）。第二個Pump泵通道（紅色）可均勻地擾動樣本并改變波導(dǎo)的傳播。通過在WSe₂/SiO₂界面處的近場tr-SNOM的振幅圖像（圖1b）可明顯觀察到約120 nm厚WSe₂材料邊緣（白色虛線）處形成的特征周期條紋—光波導(dǎo)電場分布。研究者進(jìn)一步通過定量分析數(shù)據(jù)，分別獲取了穩(wěn)態(tài)和光激發(fā)態(tài)下，WSe₂中波導(dǎo)的光波導(dǎo)的相速度q1,r和q1,p。

圖1：納米空間分辨超快光譜和成像系統(tǒng)對WSe₂材料中光波導(dǎo)的納米成像結(jié)果。

a:實(shí)驗(yàn)示意圖（藍(lán)色為Probe光，紅色為Pump光）；b：近場納米光學(xué)成像 c: 在穩(wěn)態(tài)下，WSe₂邊緣的近場光學(xué)振幅圖像；d: 光激發(fā)態(tài)下，延遲時間 Δt=1ps的WSe₂邊緣的近場光學(xué)振幅圖像；e: 分別對c、d進(jìn)行截面分析，獲取定量數(shù)據(jù)。Probe探測能量，E=1.45 eV

② 研究者通過變化Probe探測能量范圍（1.46–1.70 eV）及其理論計(jì)算成功獲取了WSe₂晶體穩(wěn)態(tài)下的色散關(guān)系和理論數(shù)據(jù)顯示A-exciton所對應(yīng)的能量。

圖2：WSe₂晶體穩(wěn)態(tài)動力學(xué)的時空納米成像研究。

a: 不同Probe能量的近場光學(xué)振幅；b: 傅里葉變換（FT）分析; c: Lorentz擬合的WSe₂塊體材料介電常數(shù)面內(nèi)組成；d: 基于Lorentz模型理論計(jì)算的能量動量分布（吸收光譜）。Probe探測能量，E 1.46–1.70 eV。

③ 為了進(jìn)一步研究光激發(fā)下WSe₂中波導(dǎo)的色散和動力學(xué)，研究者進(jìn)一步在90 nm的WSe₂材料上，通過探測能量E = 1.61 eV，泵浦能量E = 1.56 eV，泵浦功率1.5 mW的實(shí)驗(yàn)條件進(jìn)行了一列的納米空間分辨超快光譜和理論研究。研究結(jié)果表明（圖3a,b），研究者成功獲取到了不同延遲時間Δt與δq2和δq1的關(guān)系。結(jié)果表明：光激發(fā)后的DY個ps內(nèi)，虛部q2（圖3a）突然下降（δq2<0）并迅速恢復(fù)。另一方面，理論計(jì)算結(jié)果（圖3，c）顯示了在A-exciton附近（黑色虛線箭頭），初始能量Ex處，穩(wěn)態(tài)（黑色虛線）和激發(fā)態(tài)A-exciton能量Ex’（藍(lán)色箭頭）分別的色散關(guān)系。

為了弄清各種瞬態(tài)機(jī)制，微分色散關(guān)系被研究者引入。首先，研究者定義了微分關(guān)系：δqj=qj,p – qj,r，（j=1,2 分別代表波矢的實(shí)部和虛部，p, pump激發(fā)態(tài)，r 穩(wěn)態(tài)）。研究者的理論及實(shí)驗(yàn)微分色散關(guān)系結(jié)果（圖3 d、e）成功顯示了光誘導(dǎo)轉(zhuǎn)變中A-exciton的動力學(xué)行為。結(jié)果表明：A-exciton附近微分色散的特征是由兩個伴隨效應(yīng)引起的：（i）僅在Δt=0時觀察到的A-exciton的7 meV藍(lán)移；（ii）A-exciton的漂白（定義為光譜頻譜展寬和/或振蕩強(qiáng)度降低（見圖3d）。趨勢（i）在1 ps內(nèi)恢復(fù)，與YZ耗散的動力學(xué)一致（圖3a）。因此，研究者得出結(jié)論，A-exciton共振的瞬態(tài)藍(lán)移是由于相干的光誘導(dǎo)過程所引起。趨勢（ii）持續(xù)時間更長，因此歸因于非相干激子動力學(xué)。

圖3：WSe₂中波導(dǎo)模的微分色散和動力學(xué)研究。

a: δq2與Δt曲線；b: δq1與Δt曲線; c: 平衡和非平衡條件下洛倫茲模型計(jì)算的色散關(guān)系；d: 理論微分色散關(guān)系；e: 實(shí)驗(yàn)微分色散關(guān)系

綜上所述，波導(dǎo)的瞬態(tài)納米超快成像使我們能夠以亞皮秒（ps）時間分辨率來量化光誘導(dǎo)變化的WSe2光學(xué)特性。研究者在WSe2上成功觀察到了光誘導(dǎo)相速度的大幅變化，這表明所觀察到的效應(yīng)可能在范德瓦爾斯半導(dǎo)體中普遍存在。此外，研究者的研究結(jié)果表明，我們可以按需調(diào)諧范德瓦爾斯半導(dǎo)體的光學(xué)雙折射行為。另一方面，研究者的工作開創(chuàng)性地發(fā)展了利用tr-SNOM探測超快激子動力學(xué)的工作，并為利用波導(dǎo)作為定量光譜學(xué)工具研究納米級光誘導(dǎo)動力學(xué)鋪平了道路。研究者認(rèn)為這種超快泵浦探測方法的高空間和時間分辨率，可能同樣適用于新奇拓?fù)洳牧现械倪吘壞Ｊ胶瓦吘壭?yīng)的研究。

neaspec公司利用十?dāng)?shù)年在近場及納米紅外領(lǐng)域的技術(shù)積累，開發(fā)出的全新納米空間分辨超快光譜和成像系統(tǒng)，其Pump激發(fā)光可兼容可見到近紅外的多組激光器，Probe探測光可選紅外（650-2200 cm^-1）或太赫茲（0.5-2 T）波段，實(shí)現(xiàn)了在超高空間分辨（20 nm）和超高時間分辨（50 fs）上對被測物質(zhì)的同時表征，可廣泛用于二維拓?fù)洳牧?、范德瓦爾斯（vdW）材料、量子材料的超快動力學(xué)研究。

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2020-09-03 12:37:49 511 0

科學(xué)物理Z新成果:

復(fù)旦大學(xué)材料科學(xué)系倪秀元課題組怎么樣:

文獻(xiàn)速遞?動物活體成像系統(tǒng)在白血病耐藥機(jī)制研究中的應(yīng)用

慢性髓系白血病(Chronic myeloid leukemia, CML)是一種由造血干細(xì)胞染色體t(9；22)(q34；q11)易位引起，并在分子水平上形成Bcr-Abl融合基因的骨髓增生性疾病。使用酪氨酸激酶抑制劑(Tyrosine kinase inhibitors, TKIs)可以緩解疾病，但TKIs耐藥性是治療失敗或誘發(fā)急性白血病的主要問題。

根據(jù)Abl激酶結(jié)構(gòu)域點(diǎn)突變的不同，TKIs的耐藥機(jī)制主要包括Bcr-Abl依賴型和非Bcr-Abl依賴型。Bcr-Abl依賴型的耐藥性最常見，它會干擾小分子酪氨酸激酶抑制劑伊馬替尼（Imtatinib, IM）結(jié)合和隨后的激酶抑制。然而，超過50%的耐藥CML患者中并沒有Bcr-Abl突變。

▲ 慢性髓系白血病

蛋白激酶C(Protein kinases C, PKCs)在細(xì)胞周期調(diào)節(jié)、增殖、凋亡和造血干細(xì)胞分化等多種細(xì)胞過程中發(fā)揮作用，并和Bcr-Abl協(xié)調(diào)參與對惡性細(xì)胞轉(zhuǎn)化至關(guān)重要的幾種信號通路。實(shí)驗(yàn)和臨床證據(jù)表明，使用PKC抑制劑可以有效地治療CML。最近，不同的PKC亞型也被報道參與CML細(xì)胞的耐藥，但是，PKC信號在CML TKIs耐藥中的作用并不清楚。

▲ 蛋白激酶C的晶體結(jié)構(gòu)

近日，貴州醫(yī)科大學(xué)王季石教授課題組根據(jù)先前的研究結(jié)果：一種泛PKCs抑制劑星孢菌素(Stauroporine)在低濃度下可以有效地逆轉(zhuǎn)K562R細(xì)胞(沒有任何突變)的IM耐藥，因此推測Bcr-Abl非依賴型IM耐藥可能是由PKC亞型介導(dǎo)。在此基礎(chǔ)上，鑒于白血病干細(xì)胞(Leukemia stem cells)在CML TKIs耐藥中起基礎(chǔ)性作用，研究首次在Bcr-Abl非依賴型TKI耐藥的CML患者CD34+細(xì)胞中檢測到9種PKCs亞型的表達(dá)。對PKC亞型異常表達(dá)所介導(dǎo)的機(jī)制進(jìn)行深入研究時，使用博鷺騰AniView100多模式動物活體成像系統(tǒng)拍攝的活體成像實(shí)驗(yàn)結(jié)果，從體內(nèi)進(jìn)一步證明PKC-β的過表達(dá)與腫瘤耐藥密切相關(guān)，表明靶向PKC-β過表達(dá)可能是克服CML耐藥的一種新的治療機(jī)制。

相關(guān)成果已發(fā)表在期刊《Journal of Cellular Physiology》。

▲抑制PKC-β可增強(qiáng)IM對CML細(xì)胞的體內(nèi)殺傷作用

(a) 博鷺騰AniView100拍攝的不同藥物處理的CML小鼠模型中白血病細(xì)胞的活體示蹤成像圖。LY333531: PKCβ 抑制劑。

(b) 流式細(xì)胞儀檢測各組小鼠CD33+和CD45+細(xì)胞。

(d) 各組小鼠的生存曲線。

(e、f) 比較各組小鼠脾臟體積和重量。

(g、h) Wright‘s染色檢測各組小鼠外周血中CML的進(jìn)展情況。統(tǒng)計(jì)學(xué)處理采用t檢驗(yàn)。**表示p<0.01，*表示p<0.05。

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2021-08-20 17:33:32 515 0

包信和的主要成果:

文獻(xiàn)速遞?多模式活體成像系統(tǒng)在肝癌藥物載體研究中的應(yīng)用

肝癌是最常見的致命癌癥之一。目前臨床上主要采用手術(shù)切除癌變肝組織，同時以化療、放療等方式阻止正常肝細(xì)胞被感染惡化來治療肝癌；但是，化療會濫殺濫傷各組織的正常細(xì)胞，并產(chǎn)生極大的副作用，而且在肝癌細(xì)胞發(fā)生轉(zhuǎn)移或再生后也難以治愈。

因此，設(shè)計(jì)與制造出更好的用于肝癌治療的藥物，是醫(yī)藥研究人員亟待解決的難題。如何提高藥物療效，不僅可以從藥物結(jié)構(gòu)本身出發(fā)，而且可以從藥物載體入手。選擇新型藥物載體或靶向基團(tuán)，可以使有效藥物分子直接作用于癌癥患處，提高藥物靶向性，減少藥物對正常組織的傷害，減輕患者的疼痛。

近日，遼寧新藥研發(fā)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室李麗教授課題組成功構(gòu)建并制備了兩種甘草次酸修飾的金屬有機(jī)框架藥物載體，并通過組織分布和活體成像實(shí)驗(yàn)，驗(yàn)證載體具有明顯的肝靶向性。該成果已發(fā)表在納米技術(shù)與精密工程領(lǐng)域國際權(quán)威期刊《Nanotechnology》。

1. 甘草次酸（GA）

甘草次酸（Glycyrrhetininc Acid，GA）是從中草藥甘草中提取分離出來的具有抗炎、抗病毒、抗?jié)兊榷喾N藥理活性的甘草酸苷元。近期研究發(fā)現(xiàn)，在肝細(xì)胞膜上鑲嵌著許多GA特異性受體，可與GA特異性結(jié)合，因此，GA作為藥物靶向分子進(jìn)行修飾的藥物載體已經(jīng)成為研究熱點(diǎn)和一種新的靶向性治療肝癌的有效途徑。

2. 金屬有機(jī)框架（MOFs）

金屬有機(jī)框架材料（Metal-organic Frameworks，MOFs），是一類通過組裝無機(jī)金屬離子與有機(jī)配體形成的具有多孔隙、高比表面積的新型材料。它的最大的優(yōu)點(diǎn)是具有良好的生物相容性，而且會在體內(nèi)特定環(huán)境中自行分解，減少藥物在體內(nèi)的副作用，降低耐藥性，提高藥物治 LX率。

通過在MOFs表面修飾GA，可以實(shí)現(xiàn)MOFs的肝靶向性，并且MOFs的孔隙率高，具有超大比表面積，可以有效裝載藥物，提高載藥能力。

兩種MOFs載體：Uio-66-COOH-1,4-丁二胺-GA與UiO-66-NH2-GA。

3. 小鼠體內(nèi)靶向性研究

DiR熒光染料，DiR＠Uio-66-COOH-1,4-丁二胺-GA和DiR＠Uio-66-ＮＨ2-GA 在小鼠體內(nèi)不同時間段的熒光成像圖

DiR熒光染料，DiR＠Uio-66-COOH-1,4-丁二胺-GA和DiR＠Uio-66-ＮＨ2-GA 在心、肝、脾、肺、腎的熒光成像圖

關(guān)于多模式動物活體成像系統(tǒng)

AniView100多模式動物活體成像系統(tǒng)是廣州博鷺騰生物科技有限公司全新推出的高靈敏度、多模式動物活體成像系統(tǒng)。其采用一級背部薄化、背部感光超低溫CCD相機(jī)，具有極高的檢測靈敏度。大功率全波長鹵素?zé)艏ぐl(fā)光源配合精密復(fù)雜的全局光源和萬向鵝頸管點(diǎn)狀光源光路系統(tǒng)，再加上頂級的光譜轉(zhuǎn)換能力和多組濾光片組合，極大的提高了熒光信號的特異性，并大大縮短曝光時間。

2021-08-26 17:16:31 554 0

NBR綜述：痛覺研究重要進(jìn)展！尤浩軍教授課題組提出痛覺內(nèi)源性調(diào)控新理念

疼痛是一種不愉快的感覺和情感體驗(yàn)，其產(chǎn)生與實(shí)際存在或潛在的組織損傷有關(guān)。進(jìn)入21世紀(jì)，疼痛已被WHO（世界衛(wèi)生組織）和IASP（國際疼痛研究協(xié)會）認(rèn)為是除呼吸、脈搏、體溫和血壓這四大生命體征之外的“第五大生命體征”，由此體現(xiàn)了疼痛研究在生命和健康科學(xué)研究領(lǐng)域的重要性。近年來，得益于分子生物學(xué)技術(shù)的快速發(fā)展，疼痛研究在細(xì)胞和分子水平上取得了長足的進(jìn)展。然而，疼痛學(xué)基礎(chǔ)研究與臨床治療之間仍存在著明顯的脫節(jié)現(xiàn)象。尤其是疼痛的生理和病理機(jī)制，特別是病理性痛的產(chǎn)生、維持和調(diào)控機(jī)制仍未闡明，相關(guān)臨床治療/效果也不佳。近年來，延安大學(xué)“感覺與運(yùn)動疾病轉(zhuǎn)化醫(yī)學(xué)研究中心”尤浩軍教授課題組對痛覺內(nèi)源性調(diào)控作用及其可塑變化開展了較為細(xì)致的研究。2022年8月，課題組在Neuroscience and Biobehavioral Reviews（中科院大類一區(qū)Top期刊）上發(fā)表題為“Thalamus：The ‘promoter’ of endogenous modulation of pain and potential therapeutic target in pathological pain”科研論文。該論文聚焦病理性疼痛的誘導(dǎo)、發(fā)生和發(fā)展相關(guān)科學(xué)問題，回顧了百年疼痛研究中所遇到的科學(xué)問題及臨床疼痛治療難點(diǎn)，提出相關(guān)科學(xué)問題，據(jù)此重點(diǎn)闡述了以丘腦作為啟動子（Promotor）在外周傷害性信息的傳入識別和痛覺內(nèi)源性調(diào)控中的作用及相關(guān)機(jī)制。

通過回顧百余年來疼痛學(xué)研究進(jìn)展，該綜述分別論述了疼痛學(xué)三大理論（特異學(xué)說、型式學(xué)說和閘門學(xué)說）的內(nèi)容及相關(guān)局限性，辨析了疼痛學(xué)基礎(chǔ)研究和臨床治療應(yīng)用中存在的矛盾現(xiàn)象。例如，上述疼痛學(xué)三大理論均不能對痛覺中/樞敏化現(xiàn)象的維持和發(fā)展給予很好的解釋。在此基礎(chǔ)上，結(jié)合課題組發(fā)表的系列相關(guān)科研成果（15篇SCI論文），作者創(chuàng)新性提出了以丘腦（MD核和VM核）為啟動子（Promotor）介導(dǎo)的痛覺內(nèi)源性調(diào)控時空特異科研假說，為疼痛學(xué)特異性、型式和閘門學(xué)說提供了全新擴(kuò)展。在文章中，作者創(chuàng)新性地提出圍繞“丘腦內(nèi)側(cè)背側(cè)核（MD）-扣帶皮層-背外側(cè)中腦導(dǎo)水管周圍灰質(zhì)/背柱-脊髓背角淺層（Ⅰ-Ⅱ?qū)樱焙汀扒鹉X腹內(nèi)側(cè)核（VM）-島葉皮質(zhì) - 腹外側(cè)中腦導(dǎo)水管周圍灰質(zhì)-背外側(cè)索-脊髓背角深部（Ⅳ-Ⅵ層）”的痛覺內(nèi)源性調(diào)控雙特異通路，進(jìn)而分別執(zhí)行迥異的痛覺內(nèi)源性易化和抑/制調(diào)控作用。

（圖1，丘腦介導(dǎo)的痛覺內(nèi)源性調(diào)控雙特異通路示意圖）

上述科研假說全新闡釋了當(dāng)前痛覺研究所面臨的相關(guān)關(guān)鍵科學(xué)問題，如痛覺中/樞敏化的含義，a片“鎮(zhèn)痛-痛敏”現(xiàn)象，針刺鎮(zhèn)痛與“小痛鎮(zhèn)大痛”的相關(guān)科學(xué)問題等，尤其針對病理性痛的臨床治療，該論文進(jìn)一步提出了“不引起明顯痛感”43℃溫?zé)嵛锢碇瓮春头D(zhuǎn)“痛覺內(nèi)源性下行易化和下行抑/制激活閾值”的藥物治痛新理念。

（圖2，丘腦“痛覺識別器”控制的內(nèi)源性痛覺下行控制觸發(fā)閾值變化示意圖）

綜上，文章提出的創(chuàng)新性理念為生理學(xué)、神經(jīng)科學(xué)、針灸學(xué)、康復(fù)學(xué)及麻醉學(xué)涉及痛與鎮(zhèn)痛的基礎(chǔ)科研及臨床治療提供了新思路和治療方案。上述系列論點(diǎn)也得到Neuroscience and Biobehavioral Reviews審稿人和編輯的肯定性評價，認(rèn)為具有科研原創(chuàng)性和新穎性。該文章極大地完善并豐富了現(xiàn)有的疼痛學(xué)理論和調(diào)控機(jī)制，為疼痛學(xué)基礎(chǔ)研究和臨床治療提供了重要參考。
論文原文鏈接：https://doi.org/10.1016/j.neubiorev.2022.104745

延安大學(xué)“感覺與運(yùn)動疾病轉(zhuǎn)化醫(yī)學(xué)研究中心”課題組簡介

延安大學(xué)“感覺與運(yùn)動疾病轉(zhuǎn)化醫(yī)學(xué)研究中心”（簡稱“感運(yùn)中心”）一直致力于痛覺基礎(chǔ)研究與臨床治療轉(zhuǎn)化醫(yī)學(xué)研究工作。通過緊密圍繞“痛覺內(nèi)源性調(diào)控作用及機(jī)制”這一科學(xué)問題，感運(yùn)中心團(tuán)隊(duì)對生理及病理狀態(tài)下的痛覺內(nèi)源性調(diào)控作用及機(jī)制給予了較為系統(tǒng)的觀察和研究，提出了系列科研新論點(diǎn)：（1）“痛覺內(nèi)源性調(diào)控時空影響”論點(diǎn)；（2）“不引起明顯痛感”溫針治痛新理念;（3）丘腦介導(dǎo)的“超前鎮(zhèn)痛”麻醉鎮(zhèn)痛新觀點(diǎn)，為疼痛學(xué)、麻醉學(xué)、康復(fù)醫(yī)學(xué)、中醫(yī)學(xué)等相關(guān)領(lǐng)域內(nèi)的基礎(chǔ)和臨床工作者對“痛與治痛”神經(jīng)調(diào)控機(jī)制的深入理解和有效治療（如中醫(yī)“灸法”治痛）提供了新資料和證據(jù)。

團(tuán)隊(duì)現(xiàn)有教授4名，副教授3人，講師5人，碩/博士研究生20余人，課題組骨干成員均有海外留學(xué)背景。目前，團(tuán)隊(duì)已主持和/或完成近20項(xiàng)國內(nèi)、外科研基金，其中11項(xiàng)國家自然科學(xué)基金項(xiàng)目。團(tuán)隊(duì)成員在“Neuroscience and Biobehavioral Reviews”、“J.Physiol.”、“Pain”和“Neuroscience”等國際專業(yè)性學(xué)術(shù)雜志上發(fā)表SCI論文50余篇，研究成果得到較為廣泛引用。

2022-10-17 09:20:40 280 0

NBR綜述：痛覺研究重要進(jìn)展！尤浩軍教授課題組提出痛覺內(nèi)源性調(diào)控新理念

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文獻(xiàn)精讀第33期

文章概述

成癮復(fù)發(fā)是a片類藥物導(dǎo)致死亡的主要原因。已有的研究表明，伏隔核（Nucleus Accumbens core, NAcore）中突觸谷氨酸失調(diào)是成癮行為復(fù)發(fā)的一個關(guān)鍵因素。在動物成癮模型中，谷氨酸失調(diào)在很大程度上是由于表達(dá)谷氨酸轉(zhuǎn)運(yùn)體GLT-1的NAcore星形膠質(zhì)細(xì)胞發(fā)生了變化，包括星形膠質(zhì)細(xì)胞的突起從神經(jīng)元突觸上縮回以及星形膠質(zhì)細(xì)胞GLT-1的表達(dá)下調(diào)，但是它們在成癮復(fù)發(fā)中的作用和機(jī)制仍然有待進(jìn)一步明確。

2022年8月10日，南卡羅萊納醫(yī)科大學(xué)的研究人員在《Science Advances》雜志上發(fā)表題為“Plasticity in astrocyte subpopulations regulates heroin relapse”的文章。該研究揭示了大鼠NAcore中表達(dá)GLT-1的星形膠質(zhì)細(xì)胞是如何適應(yīng)并促進(jìn)hailuoyin尋求的。hailuoyin線索會導(dǎo)致NAcore中不同的星形膠質(zhì)細(xì)胞亞群產(chǎn)生兩種短暫的可塑性：一個亞群的細(xì)胞突起與神經(jīng)元突觸的鄰接性增加，另一個亞群中星形膠質(zhì)細(xì)胞的GLT-1在神經(jīng)元突觸外表達(dá)增加。抑/制星形膠質(zhì)細(xì)胞上述兩種可塑性會促進(jìn)線索誘導(dǎo)的hailuoyin尋求。該研究結(jié)果表明，hailuoyin線索會通過短暫誘導(dǎo)星形膠質(zhì)細(xì)胞亞群不同形式的可塑性來抑/制hailuoyin的復(fù)吸，這也為藥物成癮復(fù)發(fā)的治療提供了一種有前景的途徑。

核心觀點(diǎn)

1、hailuoyin線索會在不同的星形膠質(zhì)亞群中產(chǎn)生兩種短暫的可塑性：其中一個亞群的細(xì)胞突起與鄰近神經(jīng)元突觸的鄰接性增加；而在另一個亞群中，星形膠質(zhì)細(xì)胞GLT-1的表達(dá)在鄰近神經(jīng)元的突觸外顯著增加；

2、通過反義核酸靶向抑/制上述星型膠質(zhì)細(xì)胞亞群的兩種短暫可塑性會促進(jìn)線索誘導(dǎo)的hailuoyin尋求；

3、hailuoyin線索會選擇性地增加星形膠質(zhì)細(xì)胞的突起與D2中型多棘神經(jīng)元（Medium Spiny Neurons, MSNs）樹突突觸的鄰接性，而星形膠質(zhì)細(xì)胞GLT-1在神經(jīng)元突觸外的表達(dá)增加則無神經(jīng)元亞型特異性。

研究結(jié)果分析

1. hailuoyin線索導(dǎo)致星形膠質(zhì)細(xì)胞表面近端GLT-1的表達(dá)短暫升高

為了探討NAcore星形膠質(zhì)細(xì)胞在hailuoyin尋求中的變化機(jī)制，作者利用操作性學(xué)習(xí)的自身給藥范式來模擬動物成癮-戒斷-復(fù)發(fā)行為，并利用膜結(jié)合的熒光報告基因?qū)Acore星形膠質(zhì)細(xì)胞進(jìn)行了標(biāo)記。大鼠在訓(xùn)練后接受10天的自身給藥（hailuoyin或蔗糖）、10天的戒斷、以及部分小鼠接受隨后的線索誘導(dǎo)hailuoyin尋求（不給予實(shí)際的hailuoyin或蔗糖獎勵，其中線索誘導(dǎo)15分鐘作為藥物渴望或?qū)で蟮慕Y(jié)果，線索暴露120分鐘作為線索戒斷的結(jié)果）。在對大鼠NAcore切片突觸前的Synapsin I 和GLT-1進(jìn)行免疫標(biāo)記后，利用共聚焦顯微鏡進(jìn)行成像。

免疫組化結(jié)果顯示，在hailuoyin戒斷后，星形膠質(zhì)細(xì)胞質(zhì)膜與Synapsin I的共定位減少，GLT-1的總表達(dá)減少，但是GLT-1在星形膠質(zhì)細(xì)胞表面的比例沒有改變。在戒斷之后，15分鐘的線索誘導(dǎo)增加了hailuoyin組大鼠星形膠質(zhì)細(xì)胞與突觸的接觸，以及表面近端（表面250nm內(nèi)）GLT-1表達(dá)高水平星形膠質(zhì)細(xì)胞的比例。這種突觸近端星形膠質(zhì)細(xì)胞突起和GLT-1表面水平的增加都是短暫的，在120分鐘的線索暴露后會恢復(fù)到戒斷水平，這一時間過程與成癮復(fù)發(fā)期間細(xì)胞外谷氨酸的上升和下降相平行。hailuoyin戒斷導(dǎo)致了GLT-1與Synapsin I的共定位減少。盡管hailuoyin尋求會導(dǎo)致星形膠質(zhì)細(xì)胞表面近端GLT-1的增加，但是并不能恢復(fù)階段后GLT-1與Synapsin I的共定位，相反，線索誘導(dǎo)的表面近端GLT-1的增加都是在突觸之外的。

2. hailuoyin線索誘導(dǎo)的星形膠質(zhì)細(xì)胞可塑性表現(xiàn)出細(xì)胞亞群異質(zhì)性

hailuoyin線索誘導(dǎo)15分鐘后，星形膠質(zhì)細(xì)胞與突觸的鄰近性短暫增加，但表面近端GLT-1的表達(dá)增加沒有與Synapsin I共定位，這表明這些線索誘導(dǎo)的星形膠質(zhì)細(xì)胞可塑性可能發(fā)生在不同的星形膠質(zhì)細(xì)胞亞群中。利用主成分分析，根據(jù)星形膠質(zhì)細(xì)胞與突觸的鄰接性和表面近端GLT-1的水平，作者將NAcore中的星形膠質(zhì)細(xì)胞分成了高突觸鄰接性（1型）、表面近端GLT-1高水平（2型）、以及低至中度突觸鄰接和表面GLT-1表達(dá)（3型）三個亞群。生理鹽水組大鼠的大部分NAcore星形膠質(zhì)細(xì)胞主要為1型和3型。hailuoyin戒斷大鼠中1型星形膠質(zhì)細(xì)胞減少，2型星形膠質(zhì)細(xì)胞增加。15分鐘的hailuoyin線索誘導(dǎo)導(dǎo)致1型星形膠質(zhì)細(xì)胞短暫恢復(fù)，2型星形膠質(zhì)細(xì)胞質(zhì)比例進(jìn)一步增加。120分鐘的hailuoyin線索暴露后，3型星形膠質(zhì)細(xì)胞占主導(dǎo)地位。

3. 在NAcore星形膠質(zhì)細(xì)胞中，Gq信號增加了細(xì)胞突起與突觸的鄰接性，但不增加細(xì)胞表面GLT-1的水平

培養(yǎng)的星形膠質(zhì)細(xì)胞上，Gq偶聯(lián)信號通過代謝性谷氨酸受體mGluR5促進(jìn)ezrin依賴的星形膠質(zhì)細(xì)胞突起精細(xì)的運(yùn)動。為了確定Gq型mGluR信號是否會觸發(fā)線索誘導(dǎo)的星形膠質(zhì)細(xì)胞突起運(yùn)動，作者在線索誘導(dǎo)時利用化學(xué)遺傳學(xué)的方法激活NAcore星形膠質(zhì)細(xì)胞，并對星形膠質(zhì)細(xì)胞的突觸鄰接性和表面近端GLT-1的表達(dá)進(jìn)行了分析。星形膠質(zhì)細(xì)胞激活增加了星形膠質(zhì)細(xì)胞突起與Synapsin I的共定位，但不影響表面近端GLT-1水平。這些數(shù)據(jù)表明，在藥物尋求過程中，Gq信號在NAcore星形膠質(zhì)細(xì)胞中能夠觸發(fā)形態(tài)可塑性，而突觸外GLT-1表達(dá)的增加可能涉及不同的信號級聯(lián)。

4.在星形膠質(zhì)細(xì)胞亞群中，線索誘導(dǎo)的可塑性降低會增加hailuoyin尋求

為了確定線索誘導(dǎo)的1型和2型星形膠質(zhì)細(xì)胞塑性是否影響hailuoyin尋求，作者在動物戒斷后利用反義核酸特異性的阻斷GLT-1或ezrin。hailuoyin線索誘導(dǎo)15分鐘后，大鼠的hailuoyin尋求恢復(fù)，ezrin或GLT-1基因的下調(diào)增強(qiáng)了動物對hailuoyin的渴求。因此，1型或2型星形膠質(zhì)細(xì)胞可塑性在線索誘導(dǎo)的hailuoyin尋求過程中起著抑/制hailuoyin渴求的代償作用。形態(tài)學(xué)結(jié)果表明，ezrin敲除降低了NAcore星形膠質(zhì)細(xì)胞的突觸鄰接性，而GLT-1敲除進(jìn)一步降低了GLT-1的總水平，并阻斷了線索誘導(dǎo)的表面近端GLT-1的表達(dá)增加。此外，GLT-1敲除不改變NAcore星形膠質(zhì)細(xì)胞的突觸鄰近性，ezrin敲除不影響GLT-1總水平或表面近端GLT-1水平。正如預(yù)期的那樣，GLT-1或ezrin的獨(dú)立敲除降低了GLT-1與Synapsin I的共定位。

5. 在hailuoyin成癮及復(fù)發(fā)前后，NAcore星形膠質(zhì)細(xì)胞與D1-MSNs和D2-MSNs形成有差異的關(guān)聯(lián)

NAcore中兩個主要的神經(jīng)元亞型D1-MSNs和D2-MSNs的活性分別驅(qū)動藥物尋求和尋求消退。因此，作者推測NAcore中不同類型的星形膠質(zhì)細(xì)胞與D1-MSNs和D2-MSNs獨(dú)特相關(guān)，從而有助于它們在減少線索誘導(dǎo)的hailuoyin尋求方面的功能作用。為了驗(yàn)證這一假設(shè)，作者在動物訓(xùn)練前對D1和D2神經(jīng)元進(jìn)行了標(biāo)記，在一系列的成癮-戒斷-復(fù)發(fā)實(shí)驗(yàn)后對孤立的星形膠質(zhì)細(xì)胞進(jìn)行成像，并定量觀察其與病毒標(biāo)記的D1-MSNs和D2-MSNs樹突以及突觸標(biāo)記的Synapsin I或GLT-1的關(guān)系。免疫組化結(jié)果顯示，星形膠質(zhì)細(xì)胞在戒斷后從NAcore樹突上縮回，在線索誘導(dǎo)后星形膠質(zhì)細(xì)胞突起重新向突觸插入。在戒斷訓(xùn)練后，星形膠質(zhì)細(xì)胞在D1-MSNs突觸中與Synapsin I的共定位增加，在D2-MSNs突觸中與Synapsin I的共定位減少。暴露于hailuoyin線索15分鐘后，星形膠質(zhì)細(xì)胞與兩種突觸的關(guān)聯(lián)恢復(fù)到對照水平。

在分析D1-MSNs和D2-MSNs樹突相關(guān)GLT-1時，作者觀察到樹突相關(guān)的GLT-1在戒斷訓(xùn)練后減少，在暴露于hailuoyin線索15分鐘后恢復(fù)到生理鹽水對照水平，類似于大鼠在線索誘導(dǎo)的hailuoyin尋找15分鐘內(nèi)表面近端GLT-1的增加。與D1樹突相比，與D2樹突相鄰的GLT-1水平更高。戒斷后樹突相關(guān)的GLT-1減少發(fā)生在D2樹突，而不是D1樹突。線索暴露15分鐘后，GLT-1的表面近端增加與D1或D2樹突沒有相關(guān)。

總之，這些數(shù)據(jù)表明，線索誘導(dǎo)的hailuoyin尋求過程中1型星形膠質(zhì)細(xì)胞的增加可能與D2樹突周圍星形膠質(zhì)細(xì)胞的形態(tài)可塑性有關(guān)，但線索誘導(dǎo)的2型星形膠質(zhì)細(xì)胞增加，表現(xiàn)出高水平的突觸外GLT-1，而與D1或D2樹突無關(guān)。

總結(jié)

該研究發(fā)現(xiàn)，在線索誘導(dǎo)的hailuoyin尋求過程中，NAcore中的星形膠質(zhì)細(xì)胞通過形態(tài)和GLT-1表達(dá)的可塑性這兩種機(jī)制來抑/制hailuoyin尋求的強(qiáng)度。線索誘導(dǎo)的星形膠質(zhì)細(xì)胞突起與突觸的鄰近性和表面GLT-1表達(dá)增加發(fā)生在不同的星形膠質(zhì)細(xì)胞亞群中，并由不同的信號級聯(lián)觸發(fā)，星形膠質(zhì)細(xì)胞Gq信號選擇性激活星形膠質(zhì)細(xì)胞精細(xì)過程運(yùn)動，而不影響表面GLT-1表達(dá)。1型星形膠質(zhì)細(xì)胞在NAcore中與突觸鄰接性增加，而2型星形膠質(zhì)細(xì)胞表面GLT-1表達(dá)增加。選擇性地抑/制1型或2型星形膠質(zhì)細(xì)胞的可塑性可增強(qiáng)線索誘導(dǎo)的hailuoyin尋求，顯示了線索短暫誘導(dǎo)這些星形膠質(zhì)細(xì)胞亞群的功能相關(guān)性。最后，作者證明了在hailuoyin尋求過程中，1型星形膠質(zhì)細(xì)胞的增加具有D2-MSNs選擇性，但2型星形膠質(zhì)細(xì)胞的增加，與D1-MSNs和D2-MSNs均無關(guān)?？傊?，這些數(shù)據(jù)表明，星形膠質(zhì)細(xì)胞的形態(tài)可塑性具有神經(jīng)元亞型選擇性，在不同的星形膠質(zhì)細(xì)胞亞群中，hailuoyin線索會短暫地誘導(dǎo)兩種不同形式的星形膠質(zhì)細(xì)胞可塑性，從而抑/制hailuoyin的尋求。

研究方法亮點(diǎn)

這項(xiàng)工作闡述了NAcore中表達(dá)的星形膠質(zhì)細(xì)胞在適應(yīng)并促進(jìn)hailuoyin尋求過程中的作用機(jī)制。研究用到了自身給藥成癮造模、腦立體定位注射、微量導(dǎo)管給藥以及免疫組化等實(shí)驗(yàn)技術(shù)。瑞沃德深耕生命科學(xué)研究領(lǐng)域20年，一直致力于為客戶提供可信賴的解決方案和服務(wù)，能夠提供該研究所涉及的自身給藥成癮造模、腦立體定位注射、微量導(dǎo)管給藥以及免疫組化等實(shí)驗(yàn)的完整解決方案。截至目前，瑞沃德產(chǎn)品及服務(wù)覆蓋海內(nèi)外 100 多個國家和地區(qū)，客戶涵蓋全/球700+醫(yī)院，1000+科研院所，6000+高等院校，已助力全/球科研人員發(fā)表SCI文章14500+，獲得行業(yè)廣泛認(rèn)可。

原文鏈接：

https://www.science.org/doi/10.1126/sciadv.abo7044

2022-10-18 15:54:34 375 0

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