半導(dǎo)體分立器件是組成集成電路的基礎(chǔ)，包含大量的 雙端口或三端口器件，如二極管，晶體管，場(chǎng)效應(yīng)管等。 直流I-V測(cè)試則是表征微電子器件、工藝及材料特性的 基石。通常使用I-V特性分析，或I-V曲線，來決定器 件的基本參數(shù)。微電子器件種類繁多，引腳數(shù)量和待 測(cè)參數(shù)各不相同，除此以外，新材料和新器件對(duì)測(cè)試 設(shè)備提出了更高的要求，要求測(cè)試設(shè)備具備更高的低 電流測(cè)試能力，且能夠支持各種功率范圍的器件。

分立器件I-V特性測(cè)試的主要目的是通過實(shí)驗(yàn)，幫助工 程師提取半導(dǎo)體器件的基本I-V特性參數(shù)，并在整個(gè)工 藝流程結(jié)束后評(píng)估器件的優(yōu)劣。

隨著器件幾何尺寸的減小，半導(dǎo)體器件特性測(cè)試對(duì)測(cè) 試系統(tǒng)的要求越來越高。通常這些器件的接觸電極尺 寸只有微米量級(jí)，這些對(duì)低噪聲源表，探針臺(tái)和顯微 鏡性能都提出了更高的要求。

半導(dǎo)體分立器件I-V特性測(cè)試方案，泰克公司與合作 伙伴使用泰克吉時(shí)利公司開發(fā)的高精度源測(cè)量單元 （SMU）為核心測(cè)試設(shè)備，配備使用簡便靈活，功能 豐富的CycleStar測(cè)試軟件，及穩(wěn)定的探針臺(tái)，為客戶提供了可靠易用的解決方案，極大的提高了用戶 的工作效率。

吉時(shí)利方案特點(diǎn)：

豐富的內(nèi)置元器件庫，可以根據(jù)測(cè)試要求選擇所需要的待測(cè)件類型；

測(cè)試和計(jì)算過程由軟件自動(dòng)執(zhí)行，能夠顯示數(shù)據(jù)和曲線，節(jié)省了大量的時(shí)間；

穩(wěn)定的探針臺(tái)，針座分辨率可高達(dá)0.7um，顯微鏡放大倍數(shù)高達(dá)x195倍；

可支持同時(shí)操作兩臺(tái)吉時(shí)利源表，可以完成三端口器件測(cè)試。

測(cè)試功能：

二極管特性的測(cè)量與分析

極型晶體管BJT特性的測(cè)量與分析

MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管特性的測(cè)量與分析

MOS 器件的參數(shù)提取

系統(tǒng)結(jié)構(gòu)：

系統(tǒng)主要由一臺(tái)或兩臺(tái)源精密源測(cè)量單元（SMU）、 夾具或探針臺(tái)、上位機(jī)軟件構(gòu)成。以三端口MOSFET 器件為例，共需要以下設(shè)備：

1、兩臺(tái)吉時(shí)利 2450 精密源測(cè)量單元

2、四根三同軸電纜

3、夾具或帶有三同軸接口的探針臺(tái)

4、三同軸T型頭

5、上位機(jī)軟件與源測(cè)量單元（SMU）的連接方式如下圖所示，可以使用LAN/USB/GPIB中的任何一個(gè)接口進(jìn)行連接。

系統(tǒng)連接示意圖：

典型方案配置：

西安某高?，F(xiàn)場(chǎng)演示圖

安泰測(cè)試已為西安多所院校、企業(yè)和研究所提供吉時(shí)利源表現(xiàn)場(chǎng)演示，并獲得客戶的高度認(rèn)可，安泰測(cè)試將和泰克吉時(shí)利廠家一起，為客戶提供更優(yōu)質(zhì)的服務(wù)和全面的測(cè)試方案，為客戶解憂。

近期有很多用戶在網(wǎng)上咨詢I-V特性測(cè)試， I-V特性測(cè)試是很多研發(fā)型企業(yè)和高校研究的對(duì)象，分立器件I-V特性測(cè)試可以幫助工程師提取半導(dǎo)體器件的基本I-V特性參數(shù)，并在整個(gè)工藝流程結(jié)束后評(píng)估器件的優(yōu)劣。

I-V特性測(cè)試難點(diǎn)：

種類多

微電子器件種類繁多，引腳數(shù)量和待測(cè)參數(shù)各不相同，此外，新材料和新器件對(duì)測(cè)試設(shè)備提出了更高的要求，要求測(cè)試設(shè)備具備更高的低電流測(cè)試能力，且能夠支持各種功率范圍的器件。

尺寸小

隨著器件幾何尺寸的減小，半導(dǎo)體器件特性測(cè)試對(duì)測(cè)試系統(tǒng)的要求越來越高。通常這些器件的接觸電極尺寸只有微米量級(jí)，這些對(duì)低噪聲源表，探針臺(tái)和顯微鏡性能都提出了更高的要求。

I-V特性測(cè)試方案： 

針對(duì)I-V 特性測(cè)試難點(diǎn)，安泰測(cè)試建議可采用keithley高精度源測(cè)量單元（SMU）為核心測(cè)試設(shè)備，配備使用簡便靈活、功能豐富的 CycleStar 測(cè)試軟件，及穩(wěn)定的探針臺(tái)。

圖：系統(tǒng)配置連接示意圖

測(cè)試功能：

這是一個(gè)簡單易用的I-V特性測(cè)試方案，無論對(duì)于雙端口或三端口器件，如二極管、晶體管、場(chǎng)效應(yīng)管都很適用。

? 二極管特性的測(cè)量與分析

? 雙極型晶體管 BJT 特性的測(cè)量與分析

? MOSFET 場(chǎng)效應(yīng)晶體管特性的測(cè)量與分析

? MOS器件的參數(shù)提取 

吉時(shí)利源表簡介及熱門型號(hào)推薦：

吉時(shí)利源表將數(shù)字萬用表 (DMM)、電源、實(shí)際電流源、電子負(fù)載和脈沖發(fā)生器的功能集成在一臺(tái)儀器中。通過吉時(shí)利源表進(jìn)行分立器件 I-V 特性測(cè)試時(shí)，支持同時(shí)操作兩臺(tái)吉時(shí)利源表，輕松完成三端口器件測(cè)試。此外，因?yàn)榧獣r(shí)利源表兼顧高精度和通用性，廣泛適用于教育、科研、產(chǎn)業(yè)等眾多行業(yè)。

安泰測(cè)試作為泰克吉時(shí)利長期合作伙伴，為多家院校，研究所提供了I-V特性測(cè)試方案，并提供了吉時(shí)利源表現(xiàn)場(chǎng)演示，如果您也有相關(guān)應(yīng)用，歡迎關(guān)注安泰測(cè)試網(wǎng)。

交流C-V測(cè)試可以揭示材料的氧化層厚度，晶圓工藝的界面陷阱密度，摻雜濃度，摻雜分布以及載流子壽命等，通常使用交流C-V測(cè)試方式來評(píng)估新工藝，材料， 器件以及電路的質(zhì)量和可靠性等。比如在MOS結(jié)構(gòu)中， C-V測(cè)試可以方便的確定二氧化硅層厚度dox、襯底 摻雜濃度N、氧化層中可動(dòng)電荷面密度Q1、和固定電 荷面密度Qfc等參數(shù)。

C-V測(cè)試要求測(cè)試設(shè)備滿足寬頻率范圍的需求，同時(shí)連線簡單，系統(tǒng)易于搭建，并具備系統(tǒng)補(bǔ)償功能，以補(bǔ)償系統(tǒng)寄生電容引入的誤差。

進(jìn)行C-V測(cè)量時(shí)，通常在電容兩端施加直流偏壓，同時(shí)利用一個(gè)交流信號(hào)進(jìn)行測(cè)量。一般這類測(cè)量中使用的交流信號(hào)頻率在10KHz到10MHz之間。所加載的 直流偏壓用作直流電壓掃描，掃描過程中測(cè)試待測(cè)器件待測(cè)器件的交流電壓和電流，從而計(jì)算出不同電壓下的電容值。

在CV特性測(cè)試方案中，同時(shí)集成了美國吉時(shí)利公司源表（SMU）和合作伙伴針對(duì)CV測(cè)試設(shè)計(jì)的專用精 密LCR分析儀。源表SMU可以輸出正負(fù)電壓，電壓 輸出分辨率高達(dá)500nV。同時(shí)配備的多款LCR表和 CT8001 直流偏置夾具，可以覆蓋 100Hz~ 1MHz 頻 率和正負(fù)200V電壓范圍內(nèi)的測(cè)試范圍。

方案特點(diǎn)：

★包含C-V（電容-電壓），C-T（電容-時(shí)間），C-F （電容-頻率）等多項(xiàng)測(cè)試測(cè)試功能，C-V測(cè)試可同時(shí)支持測(cè)試四條不同頻率下的曲線

★測(cè)試和計(jì)算過程由軟件自動(dòng)執(zhí)行，能夠顯示數(shù)據(jù)和 曲線，節(jié)省時(shí)間

★提供外置直流偏壓盒，偏壓支持到正負(fù)200V， 頻率范圍 100Hz - 1MHz。

★支持使用吉時(shí)利24XX/26XX系列源表提供偏壓

測(cè)試功能：

電壓-電容掃描測(cè)試

頻率-電容掃描測(cè)試

電容-時(shí)間掃描測(cè)試

MOS器件二氧化硅層厚度、襯底摻雜濃度等參數(shù)的計(jì)算

原始數(shù)據(jù)圖形化顯示和保存

MOS電容的 C-V 特性測(cè)試方案

系統(tǒng)結(jié)構(gòu)：

系統(tǒng)主要由源表、LCR 表、探針臺(tái)和上位機(jī)軟件組成。 LCR 表支持的測(cè)量頻率范圍在0.1Hz~ 30MHz。源表 (SMU)負(fù)責(zé)提供可調(diào)直流電壓偏置，通過偏置夾具盒 CT8001加載在待測(cè)件上。

LCR 表測(cè)試交流阻抗的方式是在 HCUR 端輸出交流電 流，在 LCUR 端測(cè)試電流，同時(shí)在 HPOT 和 LPOT 端 測(cè)量電壓值。電壓和電流通過鎖相環(huán)路同步測(cè)量，可 以精確地得到兩者之間的幅度和相位信息，繼而可以推算出交流阻抗參數(shù)。

典型方案配置：

系統(tǒng)參數(shù)：

下表中參數(shù)以 PCA1000 LCR 表和 2450 源表組成的 C-V測(cè)試系統(tǒng)為例：

安泰測(cè)試已為西安多所院校、企業(yè)和研究所提供吉時(shí)利源表現(xiàn)場(chǎng)演示，并獲得客戶的高度認(rèn)可，安泰測(cè)試將和泰克吉時(shí)利廠家一起，為客戶提供更優(yōu)質(zhì)的服務(wù)和全面的測(cè)試方案，為客戶解憂。

1. 交流電容C-V測(cè)試模塊

電容-電壓(C-V)測(cè)量廣泛用于測(cè)量半導(dǎo)體參數(shù)，尤其是MOS CAP和MOSFET結(jié)構(gòu)，C-V 測(cè)試可以方便的確定二氧化硅層厚度dox、襯底摻雜濃度N、氧化層中可動(dòng)電荷面密度Q1、和固定電荷面密度Qfc等參數(shù)。

C-V測(cè)試方法

進(jìn)行 C-V 測(cè)量時(shí)，通常在電容兩端施加直流偏壓，同時(shí)利用一個(gè)交流信號(hào)進(jìn)行測(cè)量。一般這類測(cè)量中使用的交流信號(hào)頻率在10KHz 到10MHz 之間。所加載的直流偏壓用作直流電壓掃描，掃描過程中測(cè)試待測(cè)器件待測(cè)器件的交流電壓和電流，從而計(jì)算出不同電壓下的電容值。

C-V測(cè)試系統(tǒng)

LCR表與待測(cè)件連接圖

MOS電容的C-V測(cè)試系統(tǒng)主要由源表、LCR 表、探針臺(tái)和上位機(jī)軟件組成。LCR 表支持的測(cè)量頻率范圍在 0.1Hz~30MHz。源表(SMU) 負(fù)責(zé)提供可調(diào)直流電壓偏置，通過偏置夾具盒CT8001 加載在待測(cè)件上。以PCA1000LCR表和吉時(shí)利2450源表組成的C-V 測(cè)試系統(tǒng)為例，可以滿足精確測(cè)量的要求：

吉時(shí)利2450系統(tǒng)級(jí)應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

吉時(shí)利2450型觸摸屏數(shù)字源表是一款集I—V特性測(cè)試、曲線追蹤儀和半導(dǎo)體分析儀功能于一體的低成本數(shù)字源表。吉時(shí)利2450豐富的功能也讓它非常適合集成到自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)中：

●嵌入式測(cè)試腳本處理器 (TSP)：它將完整的測(cè)度程序加載到儀器的非易失性存儲(chǔ)器，無需依賴外部PC控制器，產(chǎn)能更高。

●TSP-Link通信總線：支持測(cè)試系統(tǒng)擴(kuò)展，實(shí)現(xiàn)多臺(tái)2450儀器和其他基于TSP技術(shù)儀器的系統(tǒng)拓展，拓展的測(cè)試系統(tǒng)最多可連接32臺(tái)2450，在一臺(tái)主儀器的TSP控制下進(jìn)行多點(diǎn)或多通道并行測(cè)試。

●兼容的2400工作模式：除了2450 SCPI工作模式， 2450還支持2400 SCPI工作模式，并兼容現(xiàn)有的2400 SCPI程序。這保護(hù)了用戶的軟件投資，避免儀器升級(jí)換代所帶來測(cè)試軟件的轉(zhuǎn)換工作。

●PC連接和自動(dòng)化：后面板三同軸電纜連接端口、儀器通信接口（GPIB、USB 2.0和LXI/Ethernet）、D型9針數(shù)字I/O端口（用于內(nèi)部/外部觸發(fā)信號(hào)及機(jī)械臂控制）、儀器安全互鎖裝置及TSP-Link連接端口簡化多儀器測(cè)試系統(tǒng)的集成。

安泰測(cè)試作為泰克吉時(shí)利長期合作伙伴，專業(yè)提供設(shè)備選型和測(cè)試方案的提供，為西安多家企業(yè)和院校提供吉時(shí)利源表現(xiàn)場(chǎng)演示，并獲得客戶的高度認(rèn)可，如果您想了解吉時(shí)利源表更多應(yīng)用方案，歡迎訪問安泰測(cè)試網(wǎng)。

* 主要功能：線性掃描或?qū)?shù)掃描、電壓電流脈沖循環(huán)、數(shù)據(jù)采集和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。

* 程控對(duì)象：吉時(shí)利 keithley2600 系列源表。

* 程控接口：源表脈沖掃描循環(huán)測(cè)試軟件提供 USB、RS232、TCP/LAN/ 以太網(wǎng)、GPIB 的連接方式。

* 儀器兼容性：系統(tǒng)兼容泰克 / 吉時(shí)利（Tektronix/Keithley）源表 2600 全系列。

1、軟件概述

為了保證硬件系統(tǒng)的穩(wěn)定，需要對(duì)系統(tǒng)中的電氣元器件的性能有一定了解至關(guān)重要。因此了解電氣元器件的伏安特性曲線顯得十分重要，源表脈沖掃描循環(huán)測(cè)試軟件應(yīng)運(yùn)而生。軟件可以控制源表指定通道進(jìn)行線性掃描或?qū)?shù)掃描，可以選擇脈沖源為電壓脈沖或電流脈沖來對(duì)電氣元器件的伏安特性曲線更加精準(zhǔn)的測(cè)試，并繪制相應(yīng)的伏安特性曲線圖，軟件也可以將掃描數(shù)據(jù)進(jìn)行保存。

2、軟件特點(diǎn)

◆源表脈沖掃描循環(huán)測(cè)試軟件提供 USB、RS232、TCP/LAN/ 以太網(wǎng)、GPIB 的連接方式；

◆軟件可實(shí)時(shí)顯示源表測(cè)試到的數(shù)據(jù)，可實(shí)時(shí)顯示當(dāng)前掃描進(jìn)度，可實(shí)時(shí)繪制伏安特性曲線；

◆測(cè)試數(shù)據(jù)可選擇 CSV 格式格式導(dǎo)出。

3、軟件應(yīng)用

吉時(shí)利 keithley 源表測(cè)試軟件可應(yīng)用于：半導(dǎo)體電子元器件生產(chǎn)測(cè)試、LED 發(fā)光二極管測(cè)試、憶阻器測(cè)試、激光二極管生產(chǎn)測(cè)試、激光雷達(dá) VCSEL 測(cè)試等；

4、兼容的部分儀器型號(hào)

吉時(shí)利 keithley2600 系列源表脈沖掃描循環(huán)測(cè)試軟件兼容吉時(shí)利 Keithley2600A/B 全系列數(shù)字源表。

5、軟件功能介紹

5.1、儀器連接

儀器連接界面可以進(jìn)行吉時(shí)利源表的連接?？蛇x USB、RS232、TCP/LAN/ 以太網(wǎng)、GPIB 的連接方式；

5.2、參數(shù)配置

需要配置源表的測(cè)量通道、脈沖類型（電壓脈沖或電流脈沖）、掃描類型（線性掃描或?qū)?shù)掃描）、脈沖基線、起始值、終止值、通道限值、脈沖寬度、脈沖間隔、掃描點(diǎn)數(shù)以及循環(huán)參數(shù)（循環(huán)次數(shù)和循環(huán)間隔）的配置。

5.3、運(yùn)行測(cè)試

點(diǎn)擊開始掃描進(jìn)入測(cè)試界面，如圖所示。可實(shí)時(shí)顯示當(dāng)前掃描進(jìn)度、可實(shí)時(shí)繪制伏安特性曲線。

5.4、導(dǎo)出報(bào)告文件和趨勢(shì)圖

在導(dǎo)出界面可以導(dǎo)出文件和趨勢(shì)圖，可將掃描數(shù)據(jù)以 csv 格式進(jìn)行保存。

看完納米軟件對(duì)于吉時(shí)利 keithley2600 脈沖信號(hào)測(cè)試軟件，憶阻器測(cè)試 | 半導(dǎo)體測(cè)試的介紹，是不是想馬上去體驗(yàn)看看呢？索取產(chǎn)品資料，申請(qǐng)免費(fèi)試用聯(lián)系，搜索【納米軟件】

【納米發(fā)電技術(shù)概述】

納米發(fā)電機(jī)，是基于規(guī)則的氧化鋅納米線，在納米范圍內(nèi)將機(jī)械能轉(zhuǎn)化成電能，是世界上最小的發(fā)電機(jī)。目前納米發(fā)電機(jī)可以分為三類：

一類是壓電納米發(fā)電機(jī)；第二類是摩擦納米發(fā)電機(jī)；第三類為熱釋電納米發(fā)電機(jī)。一般被應(yīng)用在生物醫(yī)學(xué)，軍事，無線通信，無線傳感。

【測(cè)試難點(diǎn)】

1、發(fā)電機(jī)產(chǎn)生的電流小

由于納米發(fā)電自身的技術(shù)特點(diǎn)，在研究過程中需要測(cè)試單位面積機(jī)械能產(chǎn)生的電能，測(cè)試產(chǎn)生的電壓，微小的電流及功率信號(hào)，電壓基本在幾伏甚至幾十伏，而電流一般都是uA甚至nA級(jí)別，功率在mW甚至uW級(jí)別。如何精確的測(cè)試微小電流及功率信號(hào)比較困難，對(duì)測(cè)試儀器精度和穩(wěn)定性要求非常高。泰克吉時(shí)利公司專注于微小電信號(hào)測(cè)試，史上多位物理學(xué)諾貝爾獎(jiǎng)獲得者都使用和信賴吉時(shí)利測(cè)試儀器。在納米發(fā)電研究中，吉時(shí)利的產(chǎn)品仍是業(yè)內(nèi)大多數(shù)人的選擇，尤其在微小信號(hào)測(cè)試值得信賴。

2、大電機(jī)的內(nèi)阻大，開路電壓測(cè)不準(zhǔn)

上圖為您介紹了測(cè)量靈敏度的理論極限取決于在電路中的電阻所產(chǎn)生的噪聲。電壓噪聲是與墊著、帶寬和溫度的乘積的平方根成正比的。從圖中可見，源電阻限制了電壓測(cè)量的理論靈敏度，也就是說能準(zhǔn)確測(cè)量一個(gè)1Ω源電阻的1uV信號(hào)時(shí)，如果該信號(hào)的源墊著變成1TΩ，則該測(cè)量就會(huì)變得不可能。因?yàn)樵谠措娮铻?MΩ時(shí)對(duì)于1uV的測(cè)量已經(jīng)接近理論極限了。這時(shí)候采用通常的數(shù)字萬用表是無法完成這類測(cè)量的。了解了這個(gè)原理，選擇合適的儀器是保證準(zhǔn)確測(cè)試微小信號(hào)前提。

3、信號(hào)變化快，很難測(cè)電壓或者電流峰值

由于機(jī)械的拉伸和沖擊碰撞運(yùn)動(dòng)都是在短時(shí)間內(nèi)完成，而評(píng)價(jià)一個(gè)納米發(fā)電機(jī)的性能高低的一個(gè)關(guān)鍵因素是其輸出的峰值電流和峰值電壓，以及峰值功率，而采用傳統(tǒng)的表由于采樣率不足，就可能導(dǎo)致峰值點(diǎn)采集缺失，從而會(huì)誤導(dǎo)實(shí)驗(yàn)人員，導(dǎo)致錯(cuò)失機(jī)遇。

而吉時(shí)利的高阻計(jì)內(nèi)置了模擬輸出端口，通過將測(cè)試信號(hào)轉(zhuǎn)化為一個(gè)2V的模擬電壓信號(hào)進(jìn)行實(shí)時(shí)輸出，這樣只需要在外部再加一個(gè)高速/高ADC的采集系統(tǒng)就可以將快速變化的電流，電壓和電阻進(jìn)行實(shí)時(shí)采集。

【納米發(fā)電測(cè)試方案】

微小電流信號(hào)測(cè)試應(yīng)用

采用高內(nèi)阻的吉時(shí)利靜電計(jì)6517+數(shù)據(jù)采集儀DMM6500+納米發(fā)電采集軟件來進(jìn)行微小納米發(fā)電電流數(shù)據(jù)采集。

納米發(fā)電矩陣應(yīng)用測(cè)試

由于現(xiàn)在納米發(fā)電機(jī)中有一部分已經(jīng)轉(zhuǎn)向?qū)嶋H應(yīng)用研究，其中之一就有壓力傳感方向，而矩陣式壓力傳感器的測(cè)試是很多老師和同學(xué)比較頭疼的一個(gè)問題，為了解決這類問題，我們就根據(jù)要求搭建了一個(gè)測(cè)試方案如下：

測(cè)試配置：

西安安泰測(cè)試作為泰克吉時(shí)利的長期忠誠的綜合服務(wù)商，具備專業(yè)的技術(shù)支持和選型能力；經(jīng)過十多年的發(fā)展，已經(jīng)服務(wù)西安本地乃至西北五省各大研究所院校企業(yè)單位眾多單位，深受客戶廣泛好評(píng)。安泰測(cè)試歡迎各位有需求、有疑問的電子工程師訪問安泰測(cè)試網(wǎng)。

泰克及旗下吉時(shí)利品牌，提供各類材料電參數(shù)測(cè)試方案，包括：

1、電輸運(yùn)特性測(cè)試，量子材料、超導(dǎo)材料、半金屬材料、異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料，物性表征測(cè)試方案

2、新一代高速存儲(chǔ)單元及類腦計(jì)算、神經(jīng)元網(wǎng)絡(luò)測(cè)試方案：

憶阻器測(cè)試方案

半浮柵器件測(cè)試方案

MOSFET器件測(cè)試方案

類腦計(jì)算/神經(jīng)元網(wǎng)絡(luò)測(cè)試方案

3、微機(jī)電系統(tǒng)MEMS 測(cè)試方案

4、寬禁帶材料測(cè)試方案

5、納米結(jié)構(gòu)材料測(cè)試方案

納米材料測(cè)試方案概述

納米材料微小電阻測(cè)試方案

納米發(fā)電測(cè)試方案

二維/石墨烯材料電阻率測(cè)試方案

6、薄膜類及表面材料的電阻率測(cè)試方案

7、絕緣材料電性能表征測(cè)試方案

材料測(cè)試平臺(tái)主要提供材料電學(xué)特性的測(cè)試方案。電學(xué)特性是許多材料研究的ZD，常見的測(cè)試參數(shù)：

包括電阻率，方阻，載流子濃度，載流子遷移率等

常用的測(cè)試方法是四探針法，范德瓦爾堡法，霍爾效應(yīng)。

推薦設(shè)備：

現(xiàn)場(chǎng)演示圖：

安泰測(cè)試致力于電子電力測(cè)試測(cè)量行業(yè)十一年，和泰克吉時(shí)利廠家建立了密切穩(wěn)定的合作關(guān)系，立足西北，服務(wù)全國的廣大客戶，公司具備專業(yè)的技術(shù)支持和選型能力，為客戶提供產(chǎn)品選型、方案定制、儀器銷售、租賃、維修、培訓(xùn)等一站式服務(wù)。

二極管是兩端口電子器件，支持電流沿著一個(gè)方向流動(dòng)（正向 偏壓），并阻礙電流從反方向流動(dòng)（反向偏壓）。不過，有許多種 類型的二極管，它們執(zhí)行各種功能，如齊納二極管、發(fā)光二極管（LED）、有機(jī)發(fā)光二極管（ OLED ）、肖克利二極管、雪崩二極管、光電二極管等。每種二極管的電流電壓 (I-V) 特性都有所不同。 無論在研究實(shí)驗(yàn)室還是生產(chǎn)線，都要對(duì)封裝器件或在晶圓上進(jìn)行二極管I-V測(cè)試。

二極管I-V特性分析通常需要高靈敏電流表、電壓表、電壓源和電流源。對(duì)所有分離儀器進(jìn)行編程、同步和連接，既麻煩又耗時(shí)，而且需要大量機(jī)架或測(cè)試臺(tái)空間。為了簡化測(cè)試，縮小機(jī)架空間，單一設(shè)備，如吉時(shí)利 2450 型觸摸屏數(shù)字源表，成為二極管特性分析的理想選擇，因?yàn)樗軌蛱峁╇娏骱碗妷旱脑春蜏y(cè)量。2450型儀器可以對(duì)不同數(shù)量級(jí)(從10～11A至1A)的源電壓和測(cè)量電流進(jìn)行掃 描，這剛好符合二極管測(cè)試需求。這些測(cè)試可以通過總系自動(dòng)進(jìn)行，也可以通過大型觸摸屏輕松實(shí)現(xiàn)，用戶可以在觸摸屏上進(jìn)行測(cè)試設(shè) 置，并呈現(xiàn)測(cè)試圖表。圖1給出2450型儀器對(duì)紅色LED進(jìn)行測(cè)試的電壓源和測(cè)得的電流，它與儀器輸入端的連接采用4線配置。

本應(yīng)用介紹了怎樣利用 2450 型觸摸屏數(shù)字源表實(shí)現(xiàn)二極管I-V特性分析。特別是，介紹了怎樣利用儀器前面板的用戶界面啟動(dòng)測(cè)試、繪制圖表并存儲(chǔ)測(cè)量結(jié)果。

二極管I-V測(cè)試

通常，二極管參數(shù)測(cè)試要求能在較寬范圍提供電流和電壓的源 和測(cè)量。例如，從0V到大約1V對(duì)正向電壓掃描，作為結(jié)果的電流 范圍從10～12A到1A。不過，實(shí)際數(shù)量級(jí)、I-V測(cè)試類型以及提取的參數(shù)取決于待測(cè)的具體二極管。為了測(cè)試LED，用戶可能想測(cè)試 發(fā)光強(qiáng)度，作為應(yīng)用電流的一個(gè)功能，而測(cè)試齊納二極管的工程師可能希望知道在某個(gè)測(cè)試電流時(shí)的“鉗位”或齊納電壓。不過，在 各種不同類型的二極管中，有許多測(cè)試常見的測(cè)試。

圖2給出典型二極管的I-V曲線，包括正向區(qū)、反向區(qū)和擊穿區(qū)，以及常見的測(cè)試點(diǎn)、正向電壓(V )、漏電流(I )和擊穿電壓(V )。正向電壓(V )測(cè)試涉及在二極管的正常工作范圍內(nèi)提供指定的正向偏置電流，然后測(cè)量作為結(jié)果的電壓降。漏電流(I )測(cè)試確定二極管 在反向電壓條件下泄漏的電流電平。其測(cè)試通過提供指定的反向電 壓源，然后測(cè)量作為結(jié)果的漏電流。在反向擊穿電壓(V )測(cè)試中， 需要提供指定的反向電流偏置源，然后測(cè)量作為結(jié)果的二極管電壓降。

二極管與2450型儀器連接

二極管與2450型儀器的連接如圖3所示。

利用4線連接，可以消除引線電阻的影響。當(dāng)引線與二極管連接時(shí)，注意Force HI和Sense HI引線與二極管陽極端相連，F(xiàn)orce LO和Sense LO引線與二極管陰極端相連。盡可能使連接靠近二極管，以消除引線電阻對(duì)測(cè)量準(zhǔn)確度的影響。在源或測(cè)量大電流或低 電壓時(shí)，注意這一點(diǎn)特別重要。

當(dāng)測(cè)量低電平電流(<1μA)時(shí)，建議使用后面板的三軸同軸連接器和三軸同軸電纜，不再使用前面板的香蕉插孔。三軸同軸電纜具有屏蔽功能，將減少電磁干擾效應(yīng)，電磁干擾效應(yīng)可能會(huì)干擾讀數(shù)。 圖4給出二極管與2450型儀器后面板三軸同軸連接器連接示意圖。

除了使用三軸同軸電纜，還應(yīng)當(dāng)把二極管放置在避光的金屬 屏蔽箱內(nèi)。應(yīng)當(dāng)采用正確的屏幕和其他低電流測(cè)量技術(shù)。

通過用戶界面生成掃描和繪制圖表

通過吉時(shí)利源表2450前面板的用戶界面，可以輕松實(shí)現(xiàn)二極管測(cè)試和掃描。只需按幾下重要按鍵，即可生成和瀏覽I-V曲線。主要包括以下步驟：

生成、執(zhí)行和瀏覽I-V曲線的步驟

圖5給出1N3595二極管的測(cè)量結(jié)果，電壓掃描范圍0V～0.9V， 181個(gè)階躍(步長5mV)。注意，在大型顯示屏上繪制的12個(gè)量級(jí) 電流。只需按壓TRIGGER按鍵，即可重復(fù)I-V掃描。

將數(shù)據(jù)保存至USB閃存

生成的數(shù)據(jù)可以作為.csv文檔保存至USB閃存。只需在儀器 前面板的USB端口插入U(xiǎn)SB閃存，按壓MENU按鍵，按壓DataBuffers，選擇正確的數(shù)據(jù)緩沖區(qū)(defbuffer1是默認(rèn)值)，然后按 壓Save to USB。如果您想更改文件名，請(qǐng)鍵入新的文件名，并按壓Enter。按壓Yes，證實(shí)文件保存。這樣，數(shù)據(jù)就保存至USB 閃存。

如需了解吉時(shí)利源表更多應(yīng)用歡迎訪問安泰測(cè)試網(wǎng)。

KickStart 軟件是吉時(shí)利Keithley是為吉時(shí)利keithley儀器專配的測(cè)試軟件，使用 KickStart 軟件能夠加速所需的測(cè)量方法，簡化了儀器了解過程，只需幾分鐘即可將儀器從包裝箱中取出并獲取實(shí)際設(shè)備數(shù)據(jù)。

通過立即繪制數(shù)據(jù)并在讀數(shù)表中提供數(shù)據(jù)的快速統(tǒng)計(jì)摘要信息，KickStart 可更快地獲得測(cè)試數(shù)據(jù)，并制定進(jìn)入下一個(gè)設(shè)備開發(fā)階段時(shí)所需的決策。該軟件通過使用便捷的導(dǎo)出功能來幫助快速復(fù)制測(cè)試和比較結(jié)果，從而節(jié)省您的寶貴時(shí)間。通過 KickStart，工程師能夠?qū)Ｗ⒂诮庾x測(cè)試結(jié)果，從而實(shí)現(xiàn)創(chuàng)新目標(biāo)。

一、KickStart 軟件支持多種儀器的器件表征測(cè)試平臺(tái)

KickStart軟件可以支持多種吉時(shí)利keithley儀器使用：

1.數(shù)據(jù)采集器

KickStart軟件能夠快速配置多通道數(shù)據(jù)采集儀器，將數(shù)百萬個(gè)讀數(shù)直接傳輸?shù)?PC 磁盤介質(zhì)，以實(shí)現(xiàn)安全的數(shù)據(jù)存檔，以隨時(shí)可用的格式導(dǎo)出數(shù)據(jù)，用于報(bào)告和進(jìn)一步分析，即使正在運(yùn)行測(cè)試也可以同時(shí)保存數(shù)據(jù)。

2. 吉時(shí)利源表及其他I-V 表征器

KickStart軟件能實(shí)現(xiàn)各種材料和設(shè)備上進(jìn)行電流與電壓 (I-V) 測(cè)試，在每次測(cè)試中Z多使用四個(gè) SourceMeter? SMU 儀器。

3. 精密萬用表

通過KickStart軟件獨(dú)立或同時(shí)運(yùn)行多次測(cè)試，記錄來自一臺(tái)或多臺(tái)數(shù)字萬用表的測(cè)量結(jié)果，使用內(nèi)置在數(shù)據(jù)表中的統(tǒng)計(jì)信息快速獲取數(shù)據(jù)摘要，準(zhǔn)確迅速完成jing準(zhǔn)測(cè)試。

4. 電源

通過KickStart軟件輕松訪問控制偏壓和電流限制，同時(shí)在主視圖區(qū)域中查看來自主測(cè)量儀器的數(shù)據(jù)，配置列表掃描功能以自動(dòng)執(zhí)行測(cè)試，例如監(jiān)控功耗或負(fù)載電流穩(wěn)定性。

二、KickStart 軟件-無需專業(yè)知識(shí)即可自動(dòng)從多臺(tái)儀器中收集數(shù)據(jù)

KickStart能夠收集數(shù)百萬個(gè)讀數(shù)并將其流式傳輸?shù)?PC 磁盤介質(zhì)以進(jìn)行安全存檔，并且在多臺(tái)儀器上單獨(dú)或同時(shí)運(yùn)行測(cè)試

三、KickStart 軟件是用于快速可視化數(shù)據(jù)的簡單工具

1.用于查看數(shù)據(jù)的大面積區(qū)域

2.在一個(gè)窗口中訪問有關(guān)多次測(cè)試的信息

3.使用標(biāo)記突出顯示您感興趣的數(shù)據(jù)

4.在單個(gè)繪圖中比較來自多輪測(cè)試的數(shù)據(jù)

四、KickStart 軟件能夠快速簡單地復(fù)制測(cè)試和共享或結(jié)果

1.使用模擬的儀器配置測(cè)試，并在真實(shí)儀器可用時(shí)切換到真實(shí)儀器中

2.將測(cè)試配置保存在 KickStart 項(xiàng)目中，并與測(cè)試文檔數(shù)據(jù)一起導(dǎo)出

3.以 .csv 格式導(dǎo)出數(shù)據(jù)

4.以圖片格式導(dǎo)出圖形

除了上述基本應(yīng)用和主要特點(diǎn)，KickStart軟件還能提供用于絕緣材料的體積和表面電阻率測(cè)量、材料的時(shí)間常數(shù)的電氣化時(shí)間、電阻率與環(huán)境溫度和相對(duì)濕度的相關(guān)性等測(cè)試的高級(jí)應(yīng)用。目前，此軟件提供安裝免費(fèi)使用 60 天。安泰測(cè)試作為泰克吉時(shí)利的長期合作伙伴，專業(yè)提供設(shè)備選型和測(cè)試方案的提供，歡迎有需求有疑問的廣大客戶訪問安泰測(cè)試網(wǎng)。

在面對(duì)需要測(cè)量多項(xiàng)參數(shù)或多個(gè)設(shè)備時(shí)，如果用獨(dú)立式的解決方案雖然也能解決問題，但是常常繁瑣且耗時(shí)。面對(duì)這些難題，工程師們憑借著各自的智慧和經(jīng)驗(yàn)積累，盡可能讓測(cè)試工作簡單。

1、使用更簡單

DAQ6510大大縮短了測(cè)試設(shè)置、執(zhí)行和分析的時(shí)間。它的設(shè)置和運(yùn)行測(cè)試簡單、快速，無需編寫測(cè)試程序。DAQ6510數(shù)據(jù)采集和記錄萬用表系統(tǒng)的直觀觸摸屏能夠提供簡單的配置、可視的直觀測(cè)試設(shè)置、實(shí)時(shí)的掃描狀態(tài)可視信息，可快速捕捉問題以避免消耗測(cè)試時(shí)間，便于分析測(cè)試數(shù)據(jù)。

2、測(cè)量更廣泛

DAQ6510是一臺(tái)可以測(cè)量多項(xiàng)參數(shù)并能同時(shí)測(cè)量多臺(tái)設(shè)備的儀器。它有12個(gè)插入式開關(guān)模塊可供選擇，擁有巨大的靈活性，可以構(gòu)建各種各樣的數(shù)據(jù)采集或測(cè)試系統(tǒng)。例如，可以使用熱電偶在環(huán)境箱中測(cè)量器件的溫度，這種應(yīng)用可以使用插入式開關(guān)模塊，為熱電偶測(cè)量提供自動(dòng)冷端補(bǔ)償，通過使用兩個(gè)開關(guān)模塊能測(cè)量多達(dá)80 個(gè)器件。此外，DAQ6510除測(cè)量溫度，還可以測(cè)量電流、電壓、電阻等參數(shù)。

2、 采集數(shù)據(jù)更快速

使用KickStart儀器控制軟件PC上快速編程數(shù)據(jù)采集測(cè)試。軟件不需要編程，只需使用菜單屏幕輸入測(cè)試設(shè)置即可，然后將以表格和圖形格式顯示結(jié)果。

以上內(nèi)容由西安安泰測(cè)試整理，如需了解吉時(shí)利DAQ6510更多詳細(xì)產(chǎn)品介紹，歡迎咨詢安泰測(cè)試網(wǎng)。

IGBT簡介：

IGBT（絕緣柵雙極性晶體管）是常見的功率，期間經(jīng)常使用在強(qiáng)電流高電壓的場(chǎng)景中，如電動(dòng)汽車、變電站等。器件結(jié)構(gòu)由MOSFET及BGT組合而成，兼具了高輸入阻抗及低導(dǎo)通壓降的優(yōu)點(diǎn)，IGBT是電力電子設(shè)備的“cpu”。

IGBT測(cè)試難點(diǎn)：

1、由于IGBT是多端口器件，所以需要多個(gè)測(cè)量模塊協(xié)同測(cè)試。

2、IGBT的漏電流越小越好，所以需要高精度的設(shè)備進(jìn)行測(cè)試。

3、IGBT動(dòng)態(tài)電流范圍大，測(cè)試時(shí)需要量程范圍廣，且量程可以自動(dòng)切換的模塊進(jìn)行測(cè)試。

4、由于IGBT工作在強(qiáng)電流下，自加熱效應(yīng)明顯，脈沖測(cè)試可以減少自加熱效應(yīng)，所以MOSFET需要進(jìn)行脈沖IV測(cè)試，用于評(píng)估期間的自加熱特性。

5、MOSFET的電容曲線是其特性表征的重要內(nèi)容，且與其在高頻應(yīng)用有密切關(guān)系。所以IGBT的電容測(cè)試非常重要。

6、IGBT開關(guān)特性非常重要，需要進(jìn)行雙脈沖動(dòng)態(tài)參數(shù)的測(cè)試。

測(cè)試方案：

靜態(tài)測(cè)試設(shè)備：2600-PCT?？蛇x200V/10A低壓基本配置、200V/50A高流配置、3000V/10A高壓配置、3000V/50A高壓高流等配置。

測(cè)試載臺(tái):高功率探針臺(tái)/測(cè)試夾具

動(dòng)態(tài)測(cè)試設(shè)備：函數(shù)發(fā)生器+泰克示波器MSO5/6+探頭

測(cè)試載：臺(tái)配套電源測(cè)試板

泰克優(yōu)勢(shì)：

1.全面的靜態(tài)動(dòng)態(tài)測(cè)試方案；

2.zui高100A/3000V高壓高流高精度設(shè)備；四線法配置；可進(jìn)行脈沖測(cè)試；zui小脈寬100US；從fF到uf電容測(cè)試能力；

3.高性能測(cè)試夾具支持多種封裝類型；

4.支持大多數(shù)探頭類型，包括KHV三同軸，AHV三同軸，標(biāo)準(zhǔn)三同軸等；可適配絕大部分高功率探針臺(tái)；

5.高壓/高流/高壓&高流靈活配置。

測(cè)試項(xiàng)目舉例：

靜態(tài)參數(shù)標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試項(xiàng)目：

擊穿電壓；閾值電壓；開態(tài)電流；漏電流；正向跨導(dǎo)；輸入電容；輸出電容；反向傳輸電容等；

動(dòng)態(tài)參數(shù)標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試項(xiàng)目：

開通時(shí)間；關(guān)斷時(shí)間；關(guān)斷延遲時(shí)間；下降時(shí)間，單脈沖開通能量；單脈沖關(guān)斷能量。

安泰測(cè)試致力于電子電力測(cè)試測(cè)量行業(yè)十二年，專注于電子電力檢測(cè)設(shè)備；公司具備專業(yè)的技術(shù)支持和選型能力，和泰克吉時(shí)利廠家建立了密切穩(wěn)定的合作關(guān)系，立足西北，服務(wù)全國的廣大客戶。歡迎有需求的電子電力工程師來電咨詢或者訪問安泰測(cè)試網(wǎng)。

IGBT簡介：

IGBT（絕緣柵雙極性晶體管）是常見的功率，期間經(jīng)常使用在強(qiáng)電流高電壓的場(chǎng)景中，如電動(dòng)汽車、變電站等。器件結(jié)構(gòu)由MOSFET及BGT組合而成，兼具了高輸入阻抗及低導(dǎo)通壓降的優(yōu)點(diǎn)，IGBT是電力電子設(shè)備的“cpu”，被國家列為研究對(duì)象。

IGBT測(cè)試難點(diǎn)：

1、由于IGBT是多端口器件，所以需要多個(gè)測(cè)量模塊協(xié)同測(cè)試。

2、IGBT的漏電流越小越好，所以需要高精度的設(shè)備進(jìn)行測(cè)試。

3、IGBT動(dòng)態(tài)電流范圍大，測(cè)試時(shí)需要量程范圍廣，且量程可以自動(dòng)切換的模塊進(jìn)行測(cè)試。

4、由于IGBT工作在強(qiáng)電流下，自加熱效應(yīng)明顯，脈沖測(cè)試可以減少自加熱效應(yīng)，所以MOSFET需要進(jìn)行脈沖IV測(cè)試，用于評(píng)估期間的自加熱特性。

5、MOSFET的電容曲線是其特性表征的重要內(nèi)容，且與其在高頻應(yīng)用有密切關(guān)系。所以IGBT的電容測(cè)試非常重要。

6、IGBT開關(guān)特性非常重要，需要進(jìn)行雙脈沖動(dòng)態(tài)參數(shù)的測(cè)試。

測(cè)試方案：

靜態(tài)測(cè)試設(shè)備：2600-PCT?？蛇x200V/10A低壓基本配置、200V/50A高流配置、3000V/10A高壓配置、3000V/50A高壓高流等配置。

測(cè)試載臺(tái):高功率探針臺(tái)/測(cè)試夾具

動(dòng)態(tài)測(cè)試設(shè)備：函數(shù)發(fā)生器+泰克示波器MSO5/6+探頭

測(cè)試載：臺(tái)配套電源測(cè)試板

泰克優(yōu)勢(shì)：

1.全面的靜態(tài)動(dòng)態(tài)測(cè)試方案；

2.zui高100A/3000V高壓高流高精度設(shè)備；四線法配置；可進(jìn)行脈沖測(cè)試；zui小脈寬100US；從fF到uf電容測(cè)試能力；

3.高性能測(cè)試夾具支持多種封裝類型；

4.支持大多數(shù)探頭類型，包括KHV三同軸，AHV三同軸，標(biāo)準(zhǔn)三同軸等；可適配絕大部分高功率探針臺(tái)；

5.高壓/高流/高壓&高流靈活配置。

測(cè)試項(xiàng)目舉例：

靜態(tài)參數(shù)標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試項(xiàng)目：

擊穿電壓；閾值電壓；開態(tài)電流；漏電流；正向跨導(dǎo)；輸入電容；輸出電容；反向傳輸電容等；

動(dòng)態(tài)參數(shù)標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試項(xiàng)目：

開通時(shí)間；關(guān)斷時(shí)間；關(guān)斷延遲時(shí)間；下降時(shí)間，單脈沖開通能量；單脈沖關(guān)斷能量。

安泰測(cè)試致力于電子電力測(cè)試測(cè)量行業(yè)十二年，專注于電子電力檢測(cè)設(shè)備；公司具備專業(yè)的技術(shù)支持和選型能力，和泰克吉時(shí)利廠家建立了密切穩(wěn)定的合作關(guān)系，立足西北，服務(wù)全國的廣大客戶。歡迎有需求的電子電力工程師來電咨詢或者訪問安泰測(cè)試網(wǎng)。

吉時(shí)利源表廣泛應(yīng)用于高校和研發(fā)型企業(yè)，很多客戶在使用吉時(shí)利源表時(shí)，在進(jìn)行兩端器件測(cè)試接線的時(shí)候，容易出現(xiàn)錯(cuò)誤，今天安泰測(cè)試就給大家分享一下吉時(shí)利源表三同軸測(cè)試兩端器件接線的方法，以吉時(shí)利源表2600B系列為例：

首先介紹一下263X型源表背板上的三同軸接口構(gòu)造。

三同軸轉(zhuǎn)成鱷魚夾的話，三個(gè)夾子的顏色對(duì)應(yīng)的是：紅色是最內(nèi)部的芯線。黑色的是中間的一圈，綠色是最外的一圈。對(duì)2636的通道上的三個(gè)三同軸接口來說，綠色的都是機(jī)箱地。所有的測(cè)試一定要從Hi進(jìn)從Lo出才能形成測(cè)試回路。

在進(jìn)行兩端器件測(cè)試接線的時(shí)候，一共有兩種方式可以接，一種是需要用到2根三同軸轉(zhuǎn)三鱷魚夾的線，另一種只需用到一根三同軸線，但在儀器背板上需要做適當(dāng)短接。

方法1：

兩根線，兩根線都要接紅的。注意看儀器背板的指示。這樣是用兩根線，通道A中間的那根圖示里芯線是Hi, 下面的指示芯線是Lo,所以我們要連這兩根線。

方法2：

用一根線，要把中間的跳線用導(dǎo)線把三個(gè)口都短接，就把Lo短接到地了，這樣，我們就可以接通道A上的中間的紅與綠間接測(cè)試樣品了。

此常見問題適用于： Keithley 2000 系列：配有掃描功能的 6?位萬用表， 吉時(shí)利源表2600B 系列，如果大家在使用吉時(shí)利源表過程中有什么問題，歡迎訪問安泰測(cè)試網(wǎng)。

測(cè)試速度對(duì)波形采集的影響到底有多大，下圖是NPLC在0.005、0.5時(shí)分別采集到的電流波形，結(jié)果一目了然。

功耗測(cè)量的重要性

在 NB-IOT，LORA，BLE 等低功耗的測(cè)試中，需要在極低的范圍內(nèi)，測(cè)量每一個(gè)器件的功耗。

準(zhǔn)確的功耗量，是優(yōu)化產(chǎn)品耗電性能的基礎(chǔ)，準(zhǔn)確測(cè)量IoT設(shè)備的耗電特性，可以讓設(shè)計(jì)工程師推算產(chǎn)品的待機(jī)時(shí)間，使用時(shí)間等關(guān)鍵信息，也能為進(jìn)一步的耗電優(yōu)化提供數(shù)據(jù)基礎(chǔ)。因此完整捕獲波形尤為關(guān)鍵。

方案選擇：

安泰測(cè)試推薦吉時(shí)利DMM7510+2280S+KSC-4000A， 為低功耗測(cè)量采集波形提供理想的解決方案。

在本方案中，吉時(shí)利DMM7510可以作為高精度電流表，以采樣速率高達(dá)1MS/s的18位數(shù)字化儀精確地抓取、分析瞬間電流、電壓波形。此外，DMM7510還具備2750萬的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)能力，支持長時(shí)間采樣分析。在吉時(shí)利DMM7510萬用表5英寸電容觸摸顯示屏上，使用水平和垂直光標(biāo)，可以計(jì)算出平均電流，利用此值則可以確定DUT的功耗。

與此同時(shí)，吉時(shí)利2280S高精度電源為DUT提供電源，并搭載低功耗直流特性分析軟件KSC-4000A，整個(gè)低功耗測(cè)試操作過程，僅需三步即可完成，大大減輕了工程師的工作負(fù)荷：

1. 選擇連接模式連接測(cè)試設(shè)備以及 DUT 設(shè)備；

2. 設(shè)置相應(yīng)的測(cè)試時(shí)間，采樣率；

3. 啟動(dòng)。等待測(cè)試時(shí)間完成。工程師可以對(duì)生成的電流曲線進(jìn)行放大縮小，通過分析和改善DUT設(shè)備在工作和待機(jī)過程中的狀態(tài)，達(dá)到提高DUT設(shè)備待機(jī)時(shí)間的目的；

吉時(shí)利DMM7510+2280S+KSC-4000A，為捕獲波形提供強(qiáng)有力的保障，是低功耗測(cè)試高效、放心之選。

安泰測(cè)試作為吉時(shí)利長期合作伙伴，為客戶提供吉時(shí)利產(chǎn)品選型、銷售、維修和技術(shù)支持一站式服務(wù)沒如果您想了解吉時(shí)利更多測(cè)試方案，歡迎訪問安泰測(cè)試網(wǎng)www.agitek.com.cn。

【納米發(fā)電技術(shù)】

納米發(fā)電機(jī)，是基于規(guī)則的氧化鋅納米線，在納米范圍內(nèi)將機(jī)械能轉(zhuǎn)化成電能，是世界上最小的發(fā)電機(jī)。目前納米發(fā)電機(jī)可以分為三類：

一類是壓電納米發(fā)電機(jī)；第二類是摩擦納米發(fā)電機(jī)；第三類為熱釋電納米發(fā)電機(jī)。一般被應(yīng)用在生物醫(yī)學(xué)，軍事，無線通信，無線傳感。

【測(cè)試難點(diǎn)】

由于納米發(fā)電自身的技術(shù)特點(diǎn)，在研究過程中需要測(cè)試單位面積機(jī)械能產(chǎn)生的電能，測(cè)試產(chǎn)生的電壓，微小的電流及功率信號(hào)，電壓基本在幾伏甚至幾十伏，而電流一般都是uA甚至nA級(jí)別，功率在mW甚至uW級(jí)別。

如何精確的測(cè)試微小電流及功率信號(hào)比較困難，對(duì)測(cè)試儀器精度和穩(wěn)定性要求非常高。泰克吉時(shí)利公司專注于微小電信號(hào)測(cè)試，史上多位物理學(xué)諾貝爾獎(jiǎng)獲得者都使用和信賴吉時(shí)利測(cè)試儀器。在納米發(fā)電研究中，吉時(shí)利的產(chǎn)品仍是大多數(shù)的選擇，尤其在微小信號(hào)測(cè)試值得信賴。

【吉時(shí)利測(cè)試技術(shù)】

 下圖為您介紹了測(cè)量靈敏度的理論極限取決于在電路中的電阻所產(chǎn)生的噪聲。電壓噪聲是與電阻、帶寬和絕dui溫度的乘積的平方根成正比的。

從圖中可見，源電阻限制了電壓測(cè)量的理論靈敏度，也就是說能準(zhǔn)確測(cè)量一個(gè)1Ω源電阻的1uV信號(hào)時(shí)，如果該信號(hào)的源電阻變成1TΩ，則該測(cè)量就會(huì)變得不可能。因?yàn)樵谠措娮铻?MΩ時(shí)對(duì)于1uV的測(cè)量已經(jīng)接近理論極限了。這時(shí)候采用通常的數(shù)字萬用表是無法完成這類測(cè)量的。了解了這個(gè)原理，選擇合適的儀器是保證準(zhǔn)確測(cè)試微小信號(hào)前提。

【納米發(fā)電測(cè)試方案】

微小電流信號(hào)測(cè)試

1. 采用絕緣材料納米發(fā)電技術(shù)，一般源內(nèi)阻在GΩ級(jí)，測(cè)試電流在pA級(jí)別，所以業(yè)內(nèi)都是采用吉時(shí)利靜電計(jì)6514+StanfordSR570（低噪聲電流前置放大器）+專用的采集軟件來進(jìn)行發(fā)電電流數(shù)據(jù)采集。

2.通用的納米發(fā)電技術(shù)，一般源內(nèi)阻在幾十到幾百M(fèi)Ω，電流一般在nA，uA

級(jí)別，推薦采用吉時(shí)利源表SMU2450+Kickstar軟件來測(cè)試。

電壓測(cè)試方案

1.對(duì)于電壓信號(hào)測(cè)試推薦選用泰克示波器MDO3系+電壓探頭測(cè)試V&T波形數(shù)據(jù)。

2. 另外一個(gè)方法是采用高速采樣萬用表DMM7510+kickstart軟件，測(cè)試電壓變化波形。

安泰測(cè)試作為泰克吉時(shí)利長期合作伙伴，專業(yè)提供設(shè)備選型和測(cè)試方案的提供，為西安多家企業(yè)、院校和研究所提供泰克示波器、吉時(shí)利源表等現(xiàn)場(chǎng)演示，并獲得客戶的高度認(rèn)可，如果您想了解泰克吉時(shí)利更多應(yīng)用方案，歡迎訪問安泰測(cè)試網(wǎng)。

電源產(chǎn)品zui后一道工序需要進(jìn)行長時(shí)間烤機(jī)測(cè)試，如何提GX率，尤其對(duì)于大批量生產(chǎn)的情景，既準(zhǔn)確又GX的測(cè)試方法非常重要。

利用高精度數(shù)據(jù)采集萬用表測(cè)試熱電偶、熱電阻多點(diǎn)溫度及電壓，實(shí)現(xiàn)長時(shí)間數(shù)據(jù)采集監(jiān)控是行業(yè)內(nèi)推薦的測(cè)試方法。想提高電源老化測(cè)試效率，吉時(shí)利DAQ6510這個(gè)方案不可錯(cuò)過。

一、寬泛且準(zhǔn)確的測(cè)量能力

吉時(shí)利DAQ6510可以處理 8 種熱電偶類型中的信號(hào)，測(cè)試溫度范圍：-200℃ ~ 1820℃。

如果想在更窄的溫度范圍內(nèi)獲得更準(zhǔn)確的溫度讀數(shù)，DAQ6510 可以使用熱電阻器測(cè)量 -80℃ ~ 150℃的溫度，兩年準(zhǔn)確度為 0.08℃。

DAQ6510 還可以使用電阻溫度檢測(cè)器 (RTD) 測(cè)量 -200℃ ~ 850℃的溫度，支持2線、3線和4線配置。在使用4線 RTD 時(shí)，溫度測(cè)量準(zhǔn)確度可以達(dá)到 0.06℃。

二、多達(dá)80通道的測(cè)試容量

吉時(shí)利DAQ6510是一款高達(dá)6位半測(cè)試精度的數(shù)據(jù)采集萬用表，功能強(qiáng)大。單臺(tái)DAQ6510 主機(jī)支持多達(dá)80通道信號(hào)測(cè)試；使用固態(tài)多路復(fù)用器插件開關(guān)模塊以每秒 800 個(gè)通道的速率進(jìn)行掃描；通過專用的軟件，可以便捷GX地完成電源老化測(cè)試。

還在為電源老化測(cè)試發(fā)愁嗎？安泰測(cè)試推薦吉時(shí)利DAQ6510，如需了解吉時(shí)利DAQ6510更多應(yīng)用方案或者產(chǎn)品詳細(xì)介紹，歡迎訪問安泰測(cè)試網(wǎng)。