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  123mumu66 2017-07-23 00:00:00

  晶體管的主要參數有電流放大系數、耗散功率、頻率特性、集電極Z大電流、Z大反向電壓、反向電流等。 電流放大系數 電流放大系數也稱電流放大倍數，用來表示晶體管放大能力。 根據晶體管工作狀態(tài)的不同，電流放大系數又分為直流電流放大系數和交流電流放大系數。 1．直流電流放大系數 直流電流放大系數也稱靜態(tài)電流放大系數或直流放大倍數，是指在靜態(tài)無變化信號輸入時，晶體管集電極電流IC與基極電流IB的比值，一般用hFE或β表示。 2．交流電流放大系數 交流電流放大系數也稱動態(tài)電流放大系數或交流放大倍數，是指在交流狀態(tài)下，晶體管集電極電流變化量△IC與基極電流變化量△IB的比值，一般用hfe或β表示。 hFE或β既有區(qū)別又關系密切，兩個參數值在低頻時較接近，在高頻時有一些差異。 ※ 耗散功率 耗散功率也稱集電極Z大允許耗散功率PCM，是指晶體管參數變化不超過規(guī)定允許值時的Z大集電極耗散功率。 耗散功率與晶體管的Z高允許結溫和集電極Z大電流有密切關系。晶體管在使用時，其實際功耗不允許超過PCM值，否則會造成晶體管因過載而損壞。 通常將耗散功率PCM小于1W的晶體管稱為小功率晶體管，PCM等于或大于1W、小于5W的晶體管被稱為中功率晶體管，將PCM等于或大于5W的晶體管稱為大功率晶體管。 ※ 頻率特性 晶體管的電流放大系數與工作頻率有關。若晶體管超過了其工作頻率范圍，則會出現放大能力減弱甚至失去放大作用。 晶體管的頻率特性參數主要包括特征頻率fT和Z高振蕩頻率fM等。 1．特征頻率fT 晶體管的工作頻率超過截止頻率fβ或fα時，其電流放大系數β值將隨著頻率的升高而下降。特征頻率是指β值降為1時晶體管的工作頻率。 通常將特征頻率fT小于或等于3MHZ的晶體管稱為低頻管，將fT大于或等于30MHZ的晶體管稱為高頻管，將fT大于3MHZ、小于30MHZ的晶體管稱為中頻管。 2．Z高振蕩頻率fM Z高振蕩頻率是指晶體管的功率增益降為1時所對應的頻率。 通常，高頻晶體管的Z高振蕩頻率低于共基極截止頻率fα，而特征頻率fT則高于共基極截止頻率fα、低于共集電極截止頻率fβ。 集電極Z大電流ICM 集電極Z大電流是指晶體管集電極所允許通過的Z大電流。當晶體管的集電極電流IC超過ICM時，晶體管的β值等參數將發(fā)生明顯變化，影響其正常工作，甚至還會損壞。 Z大反向電壓 Z大反向電壓是指晶體管在工作時所允許施加的Z高工作電壓。它包括集電極—發(fā)射極反向擊穿電壓、集電極—基極反向擊穿電壓和發(fā)射極—基極反向擊穿電壓。 1．集電極——發(fā)射極反向擊穿電壓 該電壓是指當晶體管基極開路時，其集電極與發(fā)射極之間的Z大允許反向電壓，一般用VCEO或BVCEO表示。 2．集電極——基極反向擊穿電壓 該電壓是指當晶體管發(fā)射極開路時，其集電極與基極之間的Z大允許反向電壓，用VCBO或BVCBO表示。 3．發(fā)射極——基極反向擊穿電壓 該電壓是指當晶體管的集電極開路時，其發(fā)射極與基極與之間的Z大允許反向電壓，用VEBO或BVEBO表示。 ※ 反向電流 晶體管的反向電流包括其集電極—基極之間的反向電流ICBO和集電極—發(fā)射極之間的反向擊穿電流ICEO。 1．集電極——基極之間的反向電流ICBO ICBO也稱集電結反向漏電電流，是指當晶體管的發(fā)射極開路時，集電極與基極之間的反向電流。ICBO對溫度較敏感，該值越小，說明晶體管的溫度特性越好。 2．集電極——發(fā)射極之間的反向擊穿電流ICEO ICEO是指當晶體管的基極開路時，其集電極與發(fā)射極之間的反向漏電電流，也稱穿透電流。此電流值越小，說明晶體管的性能越好。 如何用萬用表測試三極管 （1） 判別基極和管子的類型 選用歐姆檔的R*100（或R*1K）檔，先用紅表筆接一個管腳，黑表筆接另一個管腳，可測出兩個電阻值，然后再用紅表筆接另一個管腳，重復上述步驟，又測得一組電阻值，這樣測3次，其中有一組兩個阻值都很小的，對應測得這組值的紅表筆接的為基極，且管子是PNP型的；反之，若用黑表筆接一個管腳，重復上述做法，若測得兩個阻值都小，對應黑表筆為基極，且管子是NPN型的。 （2）判別集電極 因為三極管發(fā)射極和集電極正確連接時β大（表針擺動幅度大），反接時β就小得多。因此，先假設一個集電極，用歐姆檔連接，（對NPN型管，發(fā)射極接黑表筆，集電極接紅表筆）。測量時，用手捏住基極和假設的集電極，兩極不能接觸，若指針擺動幅度大，而把兩極對調后指針擺動小，則說明假設是正確的，從而確定集電極和發(fā)射極。 3） 電流放大系數β的估算

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