河北某大學實驗室在研究 IGZO 薄膜的特性試驗中采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 作為濺射源, 濺射沉積半導(dǎo)體 IGZO 薄膜.

伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 技術(shù)參數(shù):

試驗采用射頻（RF）磁控濺射沉積方法, 在室溫不同壓強下在石英玻璃襯底上制備出高透光率與較好電學性質(zhì)的透明氧化物半導(dǎo)體 InGaZnO4（IGZO）薄膜, 并對薄膜進行X線衍射（XRD）、生長速率、電阻率和透光率的測試與表征.

結(jié)果表明:

實驗所獲樣品 IGZO 薄膜為非晶態(tài), 薄膜最小電阻率為1.3×10^-3Ω·cm, 根據(jù)光學性能測試結(jié)果, IGZO 薄膜在 200～350nm 的紫外光區(qū)有較強吸收, 在 400～900nm 的可見光波段的透過率為75％～97％.

相比傳統(tǒng)的有以下優(yōu)點：

更小的晶體尺寸, 設(shè)備更輕??；全透明, 對可見光不敏感, 能夠大大增加元件的開口率, 提高亮度, 降低功耗的電子遷移率大約為, 比傳統(tǒng)材料進步非常明顯, 面板比傳統(tǒng)面板有了全面的提升.

KRI 離子源的獨特功能實現(xiàn)了更好的性能, 增強的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經(jīng)獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術(shù)的情況下是無法實現(xiàn)的.

KRI 離子源是領(lǐng)域公認的, 已獲得許多ZL. KRI 離子源已應(yīng)用于許多已成為行業(yè)標準的過程中.

上海某大學實驗室采用 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 , 通入氬氣和氮氣, 在流量比分別為 25/10、25/20、25/25、25/30 ((mL/min)/(mL/min))條件下制備 NGZO 薄膜.

伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 技術(shù)參數(shù):

實驗室通過 XRD 和 SEM 對薄膜的物相結(jié)構(gòu)和表面形貌進行分析,通過紫外可見分光光度計和霍爾效應(yīng)測試儀對薄膜透過率和載流子濃度、遷移率及薄膜電阻率進行研究.

實驗結(jié)果:

通過與未摻入 N 的 Ga 摻雜氧化鋅 (GZO) 薄膜相比, 在可見光區(qū), 尤其是 600~800 nm 范圍內(nèi), NGZO 薄膜平均透過率在80%以上,符合透明導(dǎo)電薄膜透過率的要求.

在 N-Ga 共摻雜薄膜中, N 的摻雜主要占據(jù) O 空位, 并吸引空位周圍的電子, 這減小了薄膜晶格畸變, 并產(chǎn)生電子空穴, 使得薄膜中電子載流子濃度降低, 空穴載流子濃度增加, 電阻率有所增加.

隨著氮氣流量的變化, 發(fā)現(xiàn)在 25 mL/min 時, 薄膜具有好的綜合性能. 這種薄膜可用于紫外光探測器等需較大電阻率的應(yīng)用中, 并有望實現(xiàn) n-p 型轉(zhuǎn)化. 

KRI 離子源的獨特功能實現(xiàn)了更好的性能, 增強的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經(jīng)獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術(shù)的情況下是無法實現(xiàn)的.

KRI 離子源是領(lǐng)域公認的, 已獲得許多ZL. KRI 離子源已應(yīng)用于許多已成為行業(yè)標準的過程中.

伯東是德國 Pfeiffer 真空泵, 檢漏儀, 質(zhì)譜儀, 真空計, 美國 KRI 考夫曼離子源, 美國HVA 真空閥門, 美國 inTEST 高低溫沖擊測試機, 美國 Ambrell 感應(yīng)加熱設(shè)備和日本 NS 離子蝕刻機等進口知名品牌的指定代理商.

Caspases與細胞凋亡過程相關(guān)，因此可以利用caspase檢測來確定細胞是否正在經(jīng)歷這種程序化的細胞死亡。這些檢測可以通過例如流式細胞儀、平板讀數(shù)儀實現(xiàn)，也可以在顯微鏡上完成，顯微鏡可為量化數(shù)據(jù)補充可見的結(jié)構(gòu)信息。在這篇文章中，我們描述了MICA是如何用于caspase 3/7測定。借助Navigator或像素分類器等工具，MICA讓設(shè)置、執(zhí)行和分析caspase 3/7檢測變得更加容易，即使沒有經(jīng)驗的用戶也可輕松操作。

圖像：雙色caspase檢測并進行拼接掃描。U2OS細胞用核標記物DRAQ5（品紅）和CellEvent?（黃色）標記。加入4mM星形孢菌素以誘導(dǎo)細胞凋亡。20倍物鏡下使用雙通道熒光，持續(xù)16小時每30分鐘獲取一次2x2 FOV（視野范圍）的掃描拼接圖像。

 引 言 

凋亡細胞檢測或者活細胞/死細胞檢測一般通過將某種物質(zhì)應(yīng)用于活細胞并觀察細胞反應(yīng)，以此檢測其毒性或有效性。死亡率隨時間推移而上升或者劑量依賴性上升均證明物質(zhì)有效。判斷潛在藥物的抗 癌效果便是一個典型示例。

商用染料試劑盒可檢測處于凋亡狀態(tài)的細胞。這些試劑盒內(nèi)染料為熒光染料，能夠分別標記活細胞和死亡細胞。

Caspase活性檢測法是細胞凋亡檢測法的一種。Caspase（半胱天冬酶）是參與細胞凋亡過程的一類半胱氨酸蛋白水解酶。它們還用于區(qū)分caspase介導(dǎo)的細胞凋亡或細胞壞死。

這里的染料試劑盒使用的是DNA結(jié)合試劑，該試劑的熒光能夠被四氨基酸肽(DEVD)阻斷。一旦caspase-3和caspase-7（caspase-3/7）被激活，即當細胞處于凋亡狀態(tài)時，caspase-3和caspase-7便會切割DEVD肽，然后DNA結(jié)合試劑便會開始呈現(xiàn)熒光。

挑 戰(zhàn) 

由于添加劑濃度不同、孵育時間不同、染色類型或者細胞系等參數(shù)的不同，實驗通常在多孔板上進行。這種方法有兩個優(yōu)點，一是能夠在一個反應(yīng)容器中設(shè)置多個不同的試驗條件，二是只需要極少量的試劑和極低數(shù)量的細胞。

但是，在實施過程中，用戶仍然可能會被不同孔和不同實驗的數(shù)量混淆。

設(shè)置多孔板實驗時，MICA自帶的Navigator工具能夠幫助預(yù)覽。包括可以在虛擬畫板上計劃并設(shè)置每一孔的掃描拼接實驗或者延時實驗（見圖1）。

圖1：導(dǎo)航工具。Navigator能提供整個樣品載體的預(yù)覽（例如，玻片、培養(yǎng)皿、孔板），并幫助用戶設(shè)置實驗。用戶能夠在整個孔板上操作導(dǎo)航并進入單孔內(nèi)，比如界定感興趣區(qū)域或者設(shè)計掃描拼接。

追蹤細胞活動需要使單一熒光通道的時空相關(guān)性成像。傳統(tǒng)的寬場顯微鏡一般一次記錄一個通道，因此每一個細胞結(jié)構(gòu)只能按順序、一個接一個地記錄下來。這意味著兩個不同的結(jié)構(gòu)記錄于兩個不同的時間點。這對于極速發(fā)生的細胞事件來說可能會產(chǎn)生影響，特別是在共定位研究中。

同時成像通過在同一時間記錄全部熒光的方法規(guī)避了這一缺點。對于caspase活性檢測法而言，這意味著用戶能夠觀察到，例如在caspase-3/7被激活的瞬間線粒體的反應(yīng)。

MICA能夠同時檢測四種熒光，使用戶可以同時觀察到除細胞核、caspase-3/7活性、線粒體等之外的另一個細胞結(jié)構(gòu)（見圖5）。

最 后，如果想要確定某一特定試劑在誘導(dǎo)caspase介導(dǎo)細胞凋亡時的效果，則需要對caspase檢測進行量化。這種量化需要通過專門的外部軟件來實現(xiàn)。

MICA自帶分析解決方案，不需要另外的軟件。通過MICA自帶的像素分類器，用戶能夠標記一些感興趣區(qū)域（ROI），人工智能算法可以訓(xùn)練和識別這些區(qū)域（見圖2）。對于caspase活性檢測法而言，細胞核信號可用于確定細胞總數(shù)。CellEvent?信號可用于識別caspase介導(dǎo)的凋亡細胞。

圖2：利用像素分類工具訓(xùn)練MICA識別圖像中樣品特征。通過在圖像中標記示例特征，像素分類器能夠訓(xùn)練和劃分所有目標物。

 方 法 

在這一案例研究中， U2OS細胞或者COS7細胞被鋪在96孔板，然后培養(yǎng)一整晚的時間。在實驗過程中，活細胞分別用DRAQ5、SPY-650-DNA以及TMRE孵育15分鐘。之后，更換培養(yǎng)基，在實驗結(jié)束前使用CellEvent?孵育細胞。每孔內(nèi)加入凋亡誘導(dǎo)劑星形孢菌素（3 μM–7 μM）。

在四色caspase活性檢測法中，U2OS細胞被接種在96孔板上并在夜間生長，然后培養(yǎng)一整晚的時間。在實驗過程中，活細胞與DAPI和TMRE孵育45分鐘。之后，更換培養(yǎng)基，在實驗結(jié)束前使用CellEvent?和SiR-Tubulin孵育細胞。每孔內(nèi)加入凋亡誘導(dǎo)劑—星形孢菌素（3 μM–7 μM）。

在37℃、5% CO2和~65%濕度的環(huán)境中，按照指示的時間間隔和持續(xù)時間用MICA進行活細胞成像。使用Navigator工具設(shè)定并執(zhí)行檢測。一些實驗中會運行掃描拼接（參見視頻2）。進行掃描拼接時，研究人員使用的主要策略是“focus Map”；此外，延時實驗通過“Keep focus”來保持細胞的聚焦。

使用MICA自帶的分析功能進行本次實驗中的數(shù)據(jù)分析。其中核心組件之一便是人工智能驅(qū)動的像素分類器，該功能位于“Learn”選項。

通過像素分類器，用戶能夠標記其感興趣區(qū)域（ROI），該區(qū)域?qū)⒆鳛樗幸獧z測的其他區(qū)域的示例。如圖5所示，細胞核被像素分類器標記并檢測。像素分類器同樣能夠標記并檢測線粒體活性標識TMRE和caspase呈陽性的細胞。之后會在整個延時攝影過程中分析這批圖像。

經(jīng)過計算之后，MICA會將計算結(jié)果以散點圖、共定位圖、直方圖、餅狀圖、框圖或者時間序列圖的形式展示在“結(jié)果”選項中。

圖3：在分析過程中，MICA會標記作為樣例的感興趣區(qū)域，為人工智能驅(qū)動的分析功能提供信息。在此檢測法中，細胞核（品紅）和caspase陽性細胞（綠色）會被用于訓(xùn)練像素分類器，通過這種方式，像素處理器便有能力分析caspase介導(dǎo)的凋亡細胞比例。

 結(jié) 果 

SPY-650-DNA（標記細胞核）和CellEvent?（標記caspase 3/7活性）兩種細胞染料的量化研究揭示了在活細胞實驗中發(fā)生caspase介導(dǎo)的凋亡細胞。細胞核的數(shù)量說明了每張圖像中細胞的數(shù)量，可與處于凋亡過程中細胞的數(shù)量相對應(yīng)。另一個標記，即TMRE成像過程，揭示了線粒體活性。

量化數(shù)據(jù)(如長度、寬度、面積)顯示在采集圖像下方的表格中，這些數(shù)據(jù)可被導(dǎo)出為Excel表格。獲取的圖像可以在延時成像的每一個時間點上查看，并可以與識別的ROI重疊。

三色caspase 3/7活性檢測圖（圖4）顯示，細胞核信號在開始的時候增強，之后逐漸減弱。信號增強是因為核染色劑必須與DNA結(jié)合，這一結(jié)合過程需要一定的時間。另一方面，SPY-650-DNA信號減弱是因為細胞核解體，解體現(xiàn)象見相關(guān)圖像。

其他信號要么隨時間增加而增強（CellEvent?），要么隨時間增加而減弱（TMRE）：caspase介導(dǎo)的凋亡細胞數(shù)量增加的同時激活狀態(tài)的線粒體數(shù)量減少。

圖4：三色caspase 3/7活性檢測法量化研究。通過像素分類器檢測細胞核、TMRE和caspase陽性細胞，以確定在不同濃度的星形孢菌素下，隨著時間的推移發(fā)生caspase介導(dǎo)的凋亡的細胞數(shù)量。TMRE信號能反映線粒體的健康狀態(tài)。結(jié)果可以多種形式展示，比如時間序列圖。

用戶可以通過MICA一次性對四種熒光成像。在caspase 3/7活性檢測法中，這有助于調(diào)查凋亡過程中額外的細胞成分的命運—實現(xiàn)100%時空相關(guān)性。圖5中展示的案例顯示，除了細胞核（DAPI）、激活狀態(tài)的線粒體（TMRE）以及caspase陽性細胞（CellEvent?）以外，也對肌動蛋白細胞骨架（SiR-Actin）進行了染色。

高倍率下（63x），用戶能夠看到，caspase被激活之后，肌動蛋白細胞骨架坍塌。與此同時細胞核以及線粒體停止工作。因為所有通道都是在一次拍攝中獲得的，各細胞活動成像之間存在精確聯(lián)系。

圖5：四色caspase-3/7檢測，用SiR-Actin、TMRE（線粒體活性）、CellEvent?（caspase活性）以及DAPI（細胞核）標記U2OS細胞。在時間點0加入星形孢菌素。在63x高倍、寬場模式以及THUNDER（ICC）成像模式下獲得的圖像。

結(jié) 論

Caspase活性檢測法為研究抗 癌藥物提供了新的見解。為了實現(xiàn)這一目標，研究人員必須在保證高時空精 準度的情況下將活細胞從凋亡細胞中區(qū)分出來。

對于統(tǒng)計上可靠的結(jié)果，增加量很有必要。這就是為什么這類實驗必須在孔板上進行，也必須進行量化研究。

MICA滿足以上全部要求。在FluoSync的幫助下，MICA可同時保證多達4種不同的熒光染料可以同時成像，不論是在單一培養(yǎng)皿上，還是在96孔板上。MICA完整的培養(yǎng)系統(tǒng)能夠培育活細胞數(shù)日，同時其自帶的基于人工智能的分析功能也有助于用戶獲得可靠的數(shù)據(jù)。

參考：

FluoSync - a Fast & Gentle Method for Unmixing Multicolour Images, Science Lab, Leica Microsystems (leica-microsystems.com)

WS2 作為一種固體潤滑材料, 有著類似“三明治”層狀的六方晶體結(jié)構(gòu), 由于通過微弱范德華力結(jié)合的S—W—S層間距較大, 在發(fā)生摩擦行為時易于滑動而達到優(yōu)異的潤滑效果. WS2對金屬表面吸附力強, 且摩擦系數(shù)較低, 在高溫高壓、高真空、高輻射等嚴苛環(huán)境也能保持潤滑, 不易失效, 在航空航天領(lǐng)域有著良好的發(fā)展前景.

河南某大學研究室采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380  輔助磁控濺射 WS2 薄膜, 目的研究不同沉積壓力對磁控濺射 WS2 薄膜微觀結(jié)構(gòu)、力學性能和摩擦學性能的影響.

KRI 射頻離子源 RFICP380 技術(shù)參數(shù):

在磁控濺射沉積薄膜的實驗中, 工藝參數(shù)（如沉積壓力、沉積溫度、濺射功率等）對 WS2 薄膜的結(jié)構(gòu)和性能影響很大. 為制備摩擦磨損性能優(yōu)良的 WS2 薄膜, 需要系統(tǒng)研究磁控濺射沉積 WS2 薄膜的工藝方法.

磁控濺射 WS2 薄膜的原理是利用稀薄氣體在低壓真空環(huán)境中發(fā)生輝光放電, 如果薄膜沉積時工作氣壓過低（<0.1 Pa）, 靶材不能正常起輝；沉積壓力過高（>10 Pa）, 真空室內(nèi)等離子體密度高, 濺射粒子向基體運動中發(fā)生碰撞多, 平均自由程減小, 以致無法到達基體表面進行沉積.

因此, 合適的沉積壓力是磁控濺射沉積 WS2 薄膜的一個重要工藝參數(shù).

KRI 離子源的獨特功能實現(xiàn)了更好的性能, 增強的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經(jīng)獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術(shù)的情況下是無法實現(xiàn)的.

河北某大學實驗室在研究 IGZO 薄膜的特性試驗中采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 作為濺射源, 濺射沉積半導(dǎo)體 IGZO 薄膜.

伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 技術(shù)參數(shù):

試驗采用射頻（RF）磁控濺射沉積方法, 在室溫不同壓強下在石英玻璃襯底上制備出高透光率與較好電學性質(zhì)的透明氧化物半導(dǎo)體 InGaZnO4（IGZO）薄膜, 并對薄膜進行X線衍射（XRD）、生長速率、電阻率和透光率的測試與表征.

結(jié)果表明:

實驗所獲樣品 IGZO 薄膜為非晶態(tài), 薄膜最小電阻率為1.3×10^-3Ω·cm, 根據(jù)光學性能測試結(jié)果, IGZO 薄膜在 200～350nm 的紫外光區(qū)有較強吸收, 在 400～900nm 的可見光波段的透過率為75％～97％.

相比傳統(tǒng)的有以下優(yōu)點：

更小的晶體尺寸, 設(shè)備更輕?。蝗该? 對可見光不敏感, 能夠大大增加元件的開口率, 提高亮度, 降低功耗的電子遷移率大約為, 比傳統(tǒng)材料進步非常明顯, 面板比傳統(tǒng)面板有了全面的提升.

KRI 離子源的獨特功能實現(xiàn)了更好的性能, 增強的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經(jīng)獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術(shù)的情況下是無法實現(xiàn)的.

KRI 離子源是領(lǐng)域公認的, 已獲得許多ZL. KRI 離子源已應(yīng)用于許多已成為行業(yè)標準的過程中.

伯東是德國 Pfeiffer 真空泵, 檢漏儀, 質(zhì)譜儀, 真空計, 美國 KRI 考夫曼離子源, 美國HVA 真空閥門, 美國 inTEST 高低溫沖擊測試機, 美國 Ambrell 感應(yīng)加熱設(shè)備和日本 NS 離子蝕刻機等進口知名品牌的指定代理商.

沈陽某大學課題組采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 射頻磁控濺射沉積方法制備了不同成分的 ZnNi 合金薄膜, 并研究了真空熱處理對其成分及表面形貌的影響.

采用 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 磁控濺射沉積的 ZnNi 合金薄膜, 使合金成分均勻, 使薄膜致密, 并且附著性好.

伯東 KRI 射頻離子源 RFICP220 技術(shù)參數(shù):

* 可選: 燈絲中和器; 可變長度的增量

實驗室材料:

實驗采用 55mm x 3mm 的高純度鋅靶 (含量wt%>99.99) 和純鎳片 (含量wt%>99.95) 組成的鑲嵌靶. 調(diào)整鑲嵌靶 Zn 與 Ni 的面積比, 以獲得不同成分的 ZnNi 合金膜. 濺射基底采用石英玻璃片.

研究結(jié)果表明：

在單靶濺射沉積ZnNi合金薄膜中, 通過調(diào)節(jié)靶材鋅鎳面積比可以獲得不同成分且分布均勻的ZnNi薄膜. 經(jīng)過600℃、60 min、真空度為4×10-3Pa, 真空熱處理之后的薄膜中的鋅完全蒸發(fā), 剩下的鎳薄膜呈多孔結(jié)構(gòu), 微孔尺寸在100 nm至500 nm之間. 隨著薄膜鋅含量的增加, 真空熱處理后薄膜表面孔隙率增大. 隨著真空熱處理溫度的升高, 微孔尺寸增大.

KRI 離子源的獨特功能實現(xiàn)了更好的性能, 增強的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經(jīng)獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術(shù)的情況下是無法實現(xiàn)的.

因此,  該研究項目才采用 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 輔助濺射沉積工藝.

伯東是德國 Pfeiffer 真空泵,   檢漏儀,   質(zhì)譜儀,   真空計,   美國 KRI 考夫曼離子源,   美國HVA 真空閥門,   美國 inTEST 高低溫沖擊測試機,   美國 Ambrell 感應(yīng)加熱設(shè)備和日本 NS 離子蝕刻機等進口知名品牌的指定代理商.

云南某實驗室采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220  射頻磁控濺射沉積方法在不同溫度的 Si（100）襯底和石英襯底上制備了富硅 SiNx 薄膜, 用于研究硅量子點 SiN 薄膜的光譜特性. 該實驗?zāi)康氖莾?yōu)化含硅量子點的 SiNx 薄膜的制備參數(shù), 在硅基光電子器件的應(yīng)用方面有重要意義.

伯東 KRI 射頻離子源 RFICP220 技術(shù)參數(shù):

* 可選: 燈絲中和器; 可變長度的增量

實驗室采用 Fourier 變換紅外光譜、Raman 光譜、掠入射 X 射線衍射和光致發(fā)光光譜對退火后的薄膜樣品進行了表征.

KRI 離子源的獨特功能實現(xiàn)了更好的性能, 增強的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經(jīng)獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術(shù)的情況下是無法實現(xiàn)的.

因此,  該研究項目才采用 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 輔助濺射沉積工藝.

伯東是德國 Pfeiffer 真空泵,  檢漏儀, 質(zhì)譜儀, 真空計, 美國 KRI 考夫曼離子源, 美國HVA 真空閥門, 美國 inTEST 高低溫沖擊測試機, 美國 Ambrell 感應(yīng)加熱設(shè)備和日本 NS 離子蝕刻機等進口知名品牌的指定代理商.

國內(nèi)某大學采用雙 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140  作為濺射源分別濺射沉積鈮和錫, 再經(jīng)過高溫退火后獲得 Nb3Sn 超導(dǎo)薄膜. 用這種方法所獲得的超導(dǎo)薄膜的原子組分的調(diào)整比較方便,對于 Nb3Sn 的研究較為有利. 實驗測量了樣品的超導(dǎo)參數(shù)和晶格參數(shù).

伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 技術(shù)參數(shù):

Nb3Sn 超導(dǎo)薄膜樣品的實驗研究是在 Al2O3(Sapphire) 上進行的, 采用鈮濺射源和錫濺射源交替對樣品進行濺射沉積,其中鈮濺射源在上部, 錫濺射源在下部, 因為錫的熔點低. 退火采用電爐絲.

濺射沉積的過程是, 首先在基片上濺射沉積一層鈮附著膜, 然后以固定速度旋轉(zhuǎn)樣品固定板,使得樣品交替面對鈮濺射源和錫濺射源, 形成多層膜結(jié)構(gòu), 后再濺射沉積一層鈮覆蓋膜.

KRI 離子源的獨特功能實現(xiàn)了更好的性能, 增強的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經(jīng)獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術(shù)的情況下是無法實現(xiàn)的.

KRI 離子源是領(lǐng)域公認的, 已獲得許多ZL. KRI 離子源已應(yīng)用于許多已成為行業(yè)標準的過程中.

伯東是德國 Pfeiffer 真空泵, 檢漏儀, 質(zhì)譜儀, 真空計, 美國 KRI 考夫曼離子源, 美國HVA 真空閥門, 美國 inTEST 高低溫沖擊測試機, 美國 Ambrell 感應(yīng)加熱設(shè)備和日本 NS 離子蝕刻機等進口知名品牌的指定代理商.

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晶體生長

布里奇曼晶體生長

布里奇曼方法是用預(yù)合成材料緩慢地下降，通過一個具有溫度梯度的區(qū)間。被熔化的材料通過一個較低的溫度梯度區(qū)間，形成單晶。

優(yōu)勢在于加熱區(qū)短，根據(jù)布里奇曼方法，可獲得較理想的溫度梯度。溫度向管式爐底部遞減。拉伸結(jié)構(gòu)向著低溫區(qū)的位移速度可調(diào)。樣品熱電偶緊靠著樣品，能精確了解樣品的溫度。樣品和控溫熱電偶安裝在升降裝置底部。裝載和卸載時，機構(gòu)可快速反應(yīng)?；蛘吒鶕?jù)用戶指定的晶體生長速度移動。

樣品熱電偶和控溫熱電偶在陶瓷工作管附近。工作管兩端是水冷法蘭。工作管上面的法蘭是固定的，底部的螺紋管，連接著工作管和升降裝置。當樣品向下移動時，螺紋管開始延伸。即使在真空下，樣品也可以向下移動。

工作管頂部是連接著真空泵。真空閥門可手動開關(guān)。真空度由壓電陶瓷真空計控制。惰性氣體流量由轉(zhuǎn)子流速計手動控制。為了在工藝開始前降低氧含量，需要進行反復(fù)多次的預(yù)抽真空和惰性氣體沖刷。

工藝步驟適配的爐型

升降裝置用于布里奇曼晶體生長，同時可結(jié)合不同的單區(qū)或多區(qū)控溫管式爐。BV-HTRV管式爐裝有用于布里奇曼方法的特殊設(shè)計的結(jié)構(gòu)。標準型號，如HTRV 70-250或HTRV 100-250的工作管裝有一個升降裝置上，需要注意的是，所有的管式爐都可以裝這個裝置。最常見的有兩種爐型，HTRV 70-250和HTRV 100-250。

該系統(tǒng)可以連接計算機，可記錄運行時的所有數(shù)據(jù)。如，樣品位置、熱電偶溫度。裝載和卸載樣品時，夾具必須打開。機構(gòu)可現(xiàn)實快速移動，樣品方便拿取。