NSC-3500全自動磁控濺射鍍膜機概述：帶有水冷或者加熱(可加熱到700度)功能，可達到6"旋轉平臺，支持到3個偏軸平面磁控管。系統配套渦輪分子泵，極限真空可達10-7 Torr，15分鐘...

NSC-3500全自動磁控濺射系統概述：帶有水冷或者加熱(可加熱到700度)功能，可達到6"旋轉平臺，支持到3個偏軸平面磁控管。系統配套渦輪分子泵，極限真空可達10-7 Torr，15分鐘內...

NANO-MASTER NOC-4000光學鍍膜設備提供先進的技術，在一個腔體中實現原子級清洗和光學樣片拋光，然后把樣片傳送到第二級腔體中對同一樣片進行表面涂覆，整個過程不間斷真空。系統的設計也可以支...

NANO-MASTER NOC-4000光學涂覆系統提供先進的技術，在一個腔體中實現原子級清洗和光學樣片拋光，然后把樣片傳送到第二級腔體中對同一樣片進行表面涂覆，整個過程不間斷真空。系統的設計也可以支...

1. 易獲得期望化學計量比的多組分薄膜，即具有良好的保成分性； 2. 沉積速率高，試驗周期短，襯底溫度要求低，制備的薄膜均勻； 3. 工藝參數任意調節(jié)，對靶材的種類沒有限制； 4. 發(fā)展?jié)摿薮?..

1. 易獲得期望化學計量比的多組分薄膜，即具有良好的保成分性； 2. 沉積速率高，試驗周期短，襯底溫度要求低，制備的薄膜均勻； 3. 工藝參數任意調節(jié)，對靶材的種類沒有限制； 4. 發(fā)展?jié)摿薮?..

NM的PECVD能夠沉積高質量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可達12" 的基片.淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源，具有分形氣流分布優(yōu)勢.樣品臺通過RF或脈沖DC產生偏壓?？芍С旨?..

NANO-MASTER PECVD系統能夠沉積高質量的SiO2, Si3N4, 或DLC薄膜z大可達12” 直徑的基片上.該系統采用淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源來產生等離子，具有分形氣流分布的優(yōu)勢...

NM的PECVD能夠沉積高質量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可達12" 的基片.淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源，樣品臺通過RF或脈沖DC產生偏壓。可支持加熱和冷卻.使用250l...

NM的PECVD能夠沉積高質量SiO2, Si3N4, DLC膜到Z大可達6" 基片.淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源，樣品臺通過RF或脈沖DC產生偏壓?？芍С旨訜岷屠鋮s.使用250l/se...

NM的微波PECVD能夠沉積高質量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可達12" 的基片.淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源，樣品臺通過RF或脈沖DC產生偏壓。可支持加熱和冷卻.使用25...

立式自動系統，帶有水冷或者加熱（Z高可加熱到700度）功能，Z大到6“旋轉平臺，Z大可支持到4個偏軸平面磁控管。系統配套渦輪分子泵，極限真空可達10-7 Torr，15分鐘內可以達到10-6 Torr...

立式自動系統，帶有水冷或者加熱（可加熱到700度）功能，可達6“旋轉平臺，支持到4個偏軸平面磁控管。系統配套渦輪分子泵，極限真空可達10-7 Torr，15分鐘內可以達到10-6 Torr的真空。通過...

帶有水冷或者加熱（可加熱到700度）功能，可達8“旋轉平臺，支持到3個偏軸平面磁控管。系統配套渦輪分子泵，極限真空可達10-7 Torr，15分鐘內可以達到10-6 Torr的真空。通過調整磁控管與基...

臺式自動系統，帶有水冷或者加熱（可加熱到700度）功能，可達6“旋轉平臺，支持到3個偏軸平面磁控管。系統配套渦輪分子泵，極限真空可達10-7 Torr，15分鐘內可以達到10-6 Torr的真空。通過...

帶有水冷或者加熱（可加熱到700度）功能，可達6“旋轉平臺，支持到3個偏軸平面磁控管。系統配套渦輪分子泵，極限真空可達10-7 Torr，15分鐘內可以達到10-6 Torr的真空。通過調整磁控管與基...