安徽某晶體廠商采用 hakuto 離子刻蝕機 20IBE-J 刻蝕濾波器鉭酸鋰晶片, 采用間歇式離子束刻蝕方法,解決了刻蝕區(qū)微裂紋工藝問題, 使厚度為60μm鉭酸鋰晶片減薄至30μm.

Hakuto 離子蝕刻機 20IBE-J 技術參數(shù):

Hakuto 離子刻蝕機 20IBE-J 的核心構件離子源采用的是伯東公司代理美國 考夫曼博士創(chuàng)立的 KRI考夫曼公司的射頻離子源 RFICP220

伯東 KRI 射頻離子源 RFICP 220 技術參數(shù):

晶體濾波器的用途越來越廣泛, 尤其在通信機和雷達設備中, 都需要高頻率、大帶寬的晶體濾波器. 目前,晶體濾波器使用的主要材料是石英晶體, 由于其具有高品質因數(shù)(Q)值、良好的溫度穩(wěn)定性和時間穩(wěn)定性, 在精度要求很高的窄帶濾波器中具有很大的優(yōu)越性.

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