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應(yīng)用分享丨平插式能譜儀表征打印機(jī)噴嘴缺陷研究

來(lái)源：布魯克納米分析部 更新時(shí)間：2024-09-10 11:47:14 閱讀量：445
導(dǎo)讀：應(yīng)用分享丨平插式能譜儀表征打印機(jī)噴嘴缺陷研究


實(shí)驗(yàn)背景及設(shè)置




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眾所周知打印機(jī)噴嘴的質(zhì)量直接影響印刷質(zhì)量，我們常見的噴嘴工藝缺陷如堵塞、流涎、壓電晶體性能問(wèn)題等，通過(guò)優(yōu)化設(shè)計(jì)、提高制造精度等方法可以減少或解決這些問(wèn)題。


實(shí)驗(yàn)?zāi)康? 

打印機(jī)噴嘴側(cè)壁的缺陷會(huì)影響最終打印質(zhì)量，因此采用SEM和EDS檢查噴嘴側(cè)壁是否存在缺陷。


測(cè)試遇到的挑戰(zhàn): 

原始樣品為80微米深的通孔結(jié)構(gòu)，在樣品底部放置一張銅箔驗(yàn)證EDS能夠觀察到通孔深度方向全部的信息。


*

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實(shí)驗(yàn)過(guò)程








測(cè)試采用的儀器及工作條件 :

EDS: 常規(guī)斜插能譜探測(cè)器 VS 布魯克XFlash FlatQUAD 

接下來(lái)我們看不同測(cè)試硬件下的樣品不同對(duì)比

單只斜插EDS探測(cè)器下樣品表現(xiàn)：


兩支常規(guī)斜插EDS探測(cè)器下樣品表現(xiàn)：

從單支及兩支斜插能譜的結(jié)果可以看出，常規(guī)斜插式能譜儀僅能探測(cè)到噴嘴側(cè)壁一小部分元素信息，且并未獲取到Cu元素的信號(hào)。


布魯克XFlash FlatQUAD平插式探測(cè)器下樣品表現(xiàn)：


通過(guò)對(duì)比不難發(fā)現(xiàn)，平插式EDS探測(cè)器 FLatQUAD可以探測(cè)到整個(gè)噴嘴側(cè)壁的元素分布并且獲得了樣品底部Cu箔的信息！







測(cè)試結(jié)論








  • 布魯克平插式能譜儀FlatQUAD空間固體角可達(dá)到>1.1sr，相同的分析條件下，平插式能譜儀的信號(hào)量可達(dá)常規(guī)能譜的幾十倍。即使在低電壓分析時(shí)，平插式能譜儀依然可獲得非常高的輸入計(jì)數(shù)率，可在幾分鐘內(nèi)得到高質(zhì)量的EDS分析結(jié)果。

  • 平插式能譜可以消除表面不平整樣品的陰影效應(yīng)。








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