光子橋接與雙光子高精度三維激光直寫。硅光芯片既擁有微電子的工藝成熟、集成度高、價(jià)格低廉等基礎(chǔ)，又兼具光電子的高帶寬、超快速率、抗干擾性、低功耗等優(yōu)勢(shì)，已經(jīng)受到了國(guó)內(nèi)外眾多科技公司的熱捧，成為半導(dǎo)體和通信企業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)熱點(diǎn)，將在未來光存儲(chǔ)、光顯示、光互聯(lián)、光計(jì)算，以及未來醫(yī)療衛(wèi)生和航天、國(guó)防中發(fā)揮重要作用。不論從擺脫國(guó)內(nèi)行業(yè)困境還是追趕全 球腳步的角度，發(fā)展自主可控的“中國(guó)光電子芯片”的新方法、新技術(shù)都迫在眉睫。我國(guó)的硅光芯片在設(shè)計(jì)、制備、封裝、測(cè)試等方面還不夠完善，硅光芯片大部分需要國(guó)外代工、硅光器件之間的耦合以及大密度集成等關(guān)鍵技術(shù)問題需要解決。具有高速度、跨尺度、納米級(jí)高精度的三維激光直寫是制備新型光子材料及器件并提高其性能的關(guān)鍵技術(shù)，對(duì)硅光芯片集成領(lǐng)域的發(fā)展有著重要影響。雖然基于飛秒激光雙光子或多光子聚合的微納3D打印技術(shù)具有很高的納米級(jí)三維加工能力，但也存在加工效率低的缺點(diǎn)，嚴(yán)重限制了這類技術(shù)在大規(guī)模硅光芯片集成制造中的應(yīng)用。 

       光子橋接利用納米級(jí)三維激光直寫技術(shù)，在光電子芯片上加工出三維的光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，用于實(shí)現(xiàn)不同光芯片、芯片與光纖之間的耦合互聯(lián)，從而有效地將各種光子集成平臺(tái)連接起來，簡(jiǎn)化了先進(jìn)的光學(xué)多階模塊的組裝過程，其可以作為一種附加的三維光子集成技術(shù)。同時(shí)結(jié)合光場(chǎng)調(diào)控技術(shù)實(shí)現(xiàn)多功能的并行三維納米加工，利用光場(chǎng)的多參量調(diào)制，構(gòu)建多維度、高精度、高速度、跨尺度的面向硅光芯片的動(dòng)態(tài)三維集成耦合，解決高精度三維納米制造在硅光芯片之間耦合與集成應(yīng)用中耦合效率低、損耗大、成本高等關(guān)鍵問題，突破多項(xiàng)技術(shù)瓶頸，為三維納米制造技術(shù)在后續(xù)制備結(jié)構(gòu)更加復(fù)雜、功能更加完善的硅光芯片集成器件奠定基礎(chǔ)，促使納米級(jí)三維激光直寫相關(guān)技術(shù)走向硅光芯片產(chǎn)業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域。 

       光子橋接納米級(jí)三維激光直寫制造系統(tǒng)的制造商，使用目前世界先進(jìn)的激光無限視場(chǎng)逐點(diǎn)直寫技術(shù)，將納米級(jí)制造精度和大范圍生產(chǎn)結(jié)合，從而打破了人造超材料、生物、制藥、傳感、光電芯片等領(lǐng)域從科研到工業(yè)生產(chǎn)的壁壘。該公司多款產(chǎn)品已成功應(yīng)用到多個(gè)加工領(lǐng)域，為實(shí)現(xiàn)利用光子橋接技術(shù)進(jìn)行硅光芯片耦合集成提供技術(shù)支撐。 

      光子橋接三維激光直寫設(shè)備提供商，是微納3D打印領(lǐng)域集研發(fā)、生產(chǎn)、銷售、服務(wù)于一體的高科技創(chuàng)新企業(yè)。通過該項(xiàng)目的實(shí)施，一方面為中國(guó)在硅光芯片集成領(lǐng)域的技術(shù)發(fā)展貢獻(xiàn)力量，另一方面，也將大力推動(dòng)公司自身技術(shù)實(shí)力的提升，為公司未來的發(fā)展打下更加堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。