Modular Wafer Inspection模塊化晶圓檢驗(yàn)

簡介：

在過去的十年里，人們對碳化硅（SiC）器件的興趣顯著增長。碳化硅是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，由于其有較高的能量效率，特別適用于大功率、高溫、高頻器件。盡管近年來SiC和外延晶片的材料質(zhì)量有了很大的改善，但像SFs和BPDs等缺陷存在仍然會導(dǎo)致雙極性退化導(dǎo)致器件完全損壞。

為了在晶圓層面上識別這些缺陷，已經(jīng)開發(fā)了不同的表征方法，例如缺陷選擇刻蝕和x射線形貌。然而，這兩種方法都不適用于在設(shè)備生產(chǎn)過程中的快速質(zhì)量控制，它們要么以破壞性的方式工作，要么成本高、耗時(shí)長。

為此，INTEGO開發(fā)了一種新的多通道SiC檢測系統(tǒng)，可以在室溫下快速、無損、非接觸地檢測器件生產(chǎn)鏈上SiC晶片的關(guān)鍵缺陷。

INTEGO的系統(tǒng)是為潔凈室環(huán)境ISO 4設(shè)計(jì)的，能夠處理100毫米、150毫米和200毫米SiC基板、外延片或部分加工的晶片。模塊化系統(tǒng)的概念使它和配置有關(guān)檢查方法，照明類型和分辨率的能力。具有高分辨率、高幀速、低噪聲、高動態(tài)范圍和量子效率的pco.edge 5.5，可以保證圖像質(zhì)量。

INTEGO高通量應(yīng)用或靈活的研發(fā)使用放面?？膳渲肸多3個(gè)獨(dú)立的監(jiān)測站，每個(gè)工作站都有一個(gè)高精度顯微鏡臺和一個(gè)單獨(dú)設(shè)計(jì)的光致發(fā)光、差分干涉對比度（DIC）或亮/暗場顯微鏡單元。根據(jù)所選擇的顯微鏡放大倍數(shù)，圖像分辨率可以高達(dá)0.3μm/像素，能夠檢測、識別和分類許多甚至小于1μm的不同缺陷。

因此，INTEGO高度可定制的系統(tǒng)能夠優(yōu)化和監(jiān)控不同類型晶圓的生產(chǎn)過程，節(jié)省時(shí)間，降低材料和設(shè)備生產(chǎn)成本。

來源：Intego GmbH

廣州市元奧儀器有限公司（www.gzyaco.com)