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易度智能質(zhì)量流量控制器在鋰電池硅基負(fù)極材料中的應(yīng)用

來源:陜西易度智能科技有限公司 更新時間:2025-02-24 16:59:46 閱讀量:166
導(dǎo)讀:易度高精型質(zhì)量流量控制器EC450憑借其可平替國外進(jìn)口高端的高準(zhǔn)確度(±0.5%S.P.)、高重復(fù)性(±0.1%Rd)、超快響應(yīng)速度、開機(jī)即用無需預(yù)熱、超高性價比、超快貨期以及優(yōu)異的產(chǎn)品穩(wěn)定性廣獲好評

什么是硅基負(fù)極材料?

 

鋰離子電池四大主材為正極材料、負(fù)極材料、電解液、隔膜。負(fù)極材料是鋰離子電池的重要原材料之一,對于鋰離子電池的能量密度、循環(huán)性能、充放電倍率以及低溫放電性能具有影響較大的影響。

 

鋰電池負(fù)極材料主要分為碳材料和非碳材料。碳材料包括:石墨類、石墨烯、無序碳。目前鋰離子電池中應(yīng)用較多的是石墨類負(fù)極材料,比如人造石墨、天然石墨。非碳材料中主要包括:硅基負(fù)極材料、鈦酸鋰負(fù)極材料等。

 

傳統(tǒng)的石墨類負(fù)極材料穩(wěn)定性好并且成本低,廣泛應(yīng)用于各種電池模組中,但是由于電價上漲和石墨的產(chǎn)能不足,石墨化供應(yīng)緊缺,加工價格也隨之上漲;因此各個材料研發(fā)單位和實驗室機(jī)構(gòu)等都在尋找一款高能量密度的新型負(fù)極材料,來代替?zhèn)鹘y(tǒng)石墨類負(fù)極材料。

 

續(xù)航里程是新能源汽車的痛點之一。天然石墨負(fù)極材料的理論容量為340-370mAh/g,人造石墨的負(fù)極材料的理論容量為 310-360 mAh/g,而硅基負(fù)極克容量高,可大幅提升新能源汽車的續(xù)航里程。

 

快充車型紛至沓來,硅基負(fù)基以極高倍率性能傲視群雄。隨著消費者對于補能時長要求的提高,縮短補能時長是發(fā)展新能源汽車發(fā)展需要解決的問題。鋰離子電池是一種充電高倍率電池,它主要依賴鋰離子在正極和負(fù)極之間移動來工作,因此具有高倍率性能的負(fù)極材料能大幅提高鋰電池的充放電能力。

 

鋰離子電池負(fù)極材料儲鋰容量也是制約鋰離子電池應(yīng)用范圍的關(guān)鍵因素,目前硅基復(fù)合材料作為一類應(yīng)用潛力巨大的負(fù)極材料,成為研究的熱點;目前國內(nèi)多家企業(yè)申請硅基負(fù)極材料專利,預(yù)計2025年硅負(fù)極市場滲透率將上升,2035年市場規(guī)模將達(dá)660億美元,硅膨脹問題獲改善,硅基負(fù)極需求有望進(jìn)一步增長。

 

易度智能質(zhì)量流量控制器助力硅基負(fù)極材料

 

目前,硅基負(fù)極材料主要分為硅氧負(fù)極和硅碳負(fù)極兩大技術(shù)路線。

 

硅氧負(fù)極技術(shù)路線

 

硅氧負(fù)極材料主要由氧化亞硅(SiOx)與碳材料復(fù)合而成。硅氧負(fù)極材料的常用量產(chǎn)制備工藝包括高溫爐熱處理、冷凝、粗碎、粉碎、CVD爐炭包覆等步驟。

其核心在于通過氧化亞硅與碳材料的復(fù)合,以及包覆層的形成,提高材料的循環(huán)穩(wěn)定性和導(dǎo)電性能。

硅氧常用量產(chǎn)制備工藝:Si+SiO2→高溫爐熱處理→冷凝→氧化亞硅(SiOx)前軀體→粗碎→粉碎→CVD爐炭包覆→第1代硅氧。相較單質(zhì)硅顆粒,氧化亞硅(SiOx)在鋰嵌入過程中發(fā)生的體積膨脹較小,因此相對純硅負(fù)極,其循環(huán)穩(wěn)定性有較為明顯改善,但是氧化亞硅在充放電過程中會生產(chǎn)Li2O等非活性物質(zhì),導(dǎo)致SiOx材料首次效率較低。(約70%)。

 

硅碳負(fù)極技術(shù)路線

 

硅碳負(fù)極材料由納米級的硅顆粒和碳基材料(如石墨、碳納米管、石墨烯等)復(fù)合而成。硅碳負(fù)極在克容量、首效、循環(huán)次數(shù)、倍率等多個維度性能表現(xiàn)優(yōu)異,其膨脹問題較傳統(tǒng)濕法研磨取得較大改善,穩(wěn)定性大幅提升。其中CVD工藝被當(dāng)前視為具發(fā)展?jié)摿Γ彩潜姸喙杌?fù)極廠商的新布局方向。 

 

CVD法是通過氣相沉積技術(shù)將納米硅沉積到多孔碳骨架上。制備工藝包括前驅(qū)氣體的選擇與供應(yīng)、基底準(zhǔn)備、反應(yīng)環(huán)境設(shè)置、高溫?zé)峤?、冷卻與后處理等步驟。其核心在于通過氣相沉積技術(shù)形成均勻的納米硅碳復(fù)合材料,并通過多孔碳骨架來緩沖硅嵌鋰過程中的體積膨脹。

 

氣相沉積硅碳技術(shù)路線:硅源→熱分解→無定型納米硅+多孔碳骨架→氣相沉積硅碳→CVD爐碳包覆。核心是通過低成本生產(chǎn)一種多孔碳骨架來儲硅,并通過多孔碳內(nèi)部的空隙來緩沖硅嵌鋰過程中的體積膨脹,因此膨脹率低,循環(huán)優(yōu)異。同時由于生產(chǎn)流程短,設(shè)備少,理論成本低,被認(rèn)為是有前景及性價比優(yōu)的批量應(yīng)用硅負(fù)極解決方案。

 

質(zhì)量流量控制器(MFC)在硅基負(fù)極制備中用于精準(zhǔn)控制氣體流量,保障工藝穩(wěn)定性與材料一致性,尤其針對納米硅合成、氣相沉積等關(guān)鍵環(huán)節(jié)。易度高精型質(zhì)量流量控制器EC450憑借其可平替國外進(jìn)口高端的高準(zhǔn)確度(±0.5%S.P.)、高重復(fù)性(±0.1%Rd)、超快響應(yīng)速度、開機(jī)即用無需預(yù)熱、超高性價比、超快貨期以及優(yōu)異的產(chǎn)品穩(wěn)定性和貼心的售后服務(wù)獲得了客戶的一致好評;

 

EC450氣體層流質(zhì)量流量控制器用于對氣體的質(zhì)量流量進(jìn)行精確測量和控制,采用內(nèi)部補償型層流壓差技術(shù),使得流體在寬流量范圍內(nèi)仍舊保持層流運動,內(nèi)置壓力傳感器和溫度傳感器,能充分補償因壓力和溫度引起的體積流量與質(zhì)量流量間的差異,可根據(jù)用戶需求快速精確控制目標(biāo)氣體的流量,適用于多種流量測控場合;無需轉(zhuǎn)化系數(shù)也可精準(zhǔn)測控70多種氣體,同時可實時顯示壓力、溫度、工況流量、標(biāo)況流量、累計流量五種參數(shù),多維度全方位觀測到每個數(shù)據(jù)參數(shù)的變化。

圖片1.png 

 

規(guī)格型號:EC450

準(zhǔn)確度:±0.5%S.P.(設(shè)定值)(20%~100%量程范圍)、±0.1%F.S.(滿量程)(0.5%~20%量程范圍)

量程范圍:0.1SCCM~20000SLPM

重復(fù)精度:±0.1%Rd(20%~100%F.S.)、±0.02%F.S(0.5%~20%F.S.

工作范圍: 0.5%~100%F.S.

響應(yīng)時間(T98): ≤300ms

啟動預(yù)熱時間: 開機(jī)即用無需預(yù)熱


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