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半導(dǎo)體 | 清洗工藝

來(lái)源:北京愛蛙科技有限公司 更新時(shí)間:2024-06-14 13:24:06 閱讀量:653
導(dǎo)讀:據(jù)統(tǒng)計(jì),清洗工藝的次數(shù)占到了在整個(gè)芯片制造工藝步驟的三分之一,是芯片制造的重要環(huán)節(jié)。

清洗作業(yè)是目前去除污染唯一有效方式,因此從半導(dǎo)體芯片制造、封裝,到后面的PCAB封裝環(huán)節(jié),幾乎每完成一道加工工序,都緊接著會(huì)有一道清洗作業(yè)。

清洗貫穿整個(gè)半導(dǎo)體制造。從硅片制造時(shí)需要對(duì)拋光好的硅晶圓進(jìn)行清洗,去除表面的污染物,到芯片制備中去除光刻膠、濕法刻蝕、CVD 等,再到最后的材料質(zhì)檢。每一個(gè)環(huán)節(jié)都需要清洗以保證下一步不受雜質(zhì)的干擾,保持產(chǎn)品的良率。同時(shí)隨著芯片制程的不斷縮小,所需要的進(jìn)行的清洗次數(shù)也就越來(lái)越多。據(jù)統(tǒng)計(jì),清洗工藝的次數(shù)占到了在整個(gè)芯片制造工藝步驟的三分之一,是芯片制造的重要環(huán)節(jié)。

一、污染物分類

IC的制造過(guò)程中需要使用一些有機(jī)和無(wú)機(jī)化合物。制造過(guò)程一直在潔凈室進(jìn)行,但存在人為干預(yù),因此會(huì)導(dǎo)致晶圓的各種環(huán)境污染。污染物根據(jù)其存在形式分為四類:顆粒物、有機(jī)物、金屬污染物和氧化物。

1) 顆粒物

聚合物、光刻膠以及刻蝕雜質(zhì)組成了大部分的顆粒物。一般而言,顆粒會(huì)附著在硅表面,對(duì)后續(xù)工藝的幾何特征與電性能的發(fā)展造成影響。盡管顆粒與表面之間的附著力存在多種類型,但主要是以范德華力為主,所以通過(guò)物理或化學(xué)的方式對(duì)顆粒進(jìn)行底切(undercut)從而逐步將其去除是主要的方法。由于這樣會(huì)使顆粒與硅表面的接觸面積減小,最終得以將其去除。

2) 有機(jī)物

人體皮膚油脂、潔凈室空氣、機(jī)械油、有機(jī)硅真空油脂、光刻膠、清洗溶劑以及其他有機(jī)污染物都能夠在集成電路(IC)工藝中發(fā)現(xiàn)。每種污染物會(huì)以不同的方式對(duì)工藝產(chǎn)生影響,但主要是通過(guò)形成有機(jī)層來(lái)阻礙清洗溶液抵達(dá)晶圓表面。故而,去除有機(jī)物通常是清洗的首要步驟。
3) 金屬污染物
在集成電路制造工藝中,金屬互連材料被用于連接獨(dú)立的器件。光刻和刻蝕被用于在絕緣層上創(chuàng)建接觸窗口,接著運(yùn)用蒸發(fā)、濺射或者化學(xué)氣相沉積(CVD)來(lái)構(gòu)建金屬互連。為了構(gòu)建互連,首先需要對(duì) Al-Si、Cu 等薄膜進(jìn)行刻蝕,然后對(duì)沉積的介電層實(shí)施化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)。該工藝在構(gòu)建金屬互連的過(guò)程中有可能產(chǎn)生各類金屬污染。為了去除金屬污染,必須采取適宜的清洗步驟。
4)氧化物
在含有氧氣和水的環(huán)境里,硅原子很容易被氧化而形成氧化層,被稱作天然氧化層。由于過(guò)氧化氫具有很強(qiáng)的氧化能力,在用 APM 和 HPM 溶液清洗過(guò)后,會(huì)在硅表面形成化學(xué)氧化層。一旦晶圓被清洗,表面的氧化物必須被清除掉,以確保柵極氧化物的質(zhì)量。在工藝過(guò)程中由化學(xué)氣相沉積產(chǎn)生的氧化物,例如氮化硅和氧化硅也應(yīng)該在清洗中被有選擇性地去除。
對(duì)于不同來(lái)源的污染物,若是不進(jìn)行清洗或者清洗不徹底的話,會(huì)致使芯片的良率大大降低。

二、清洗方法

I)物理方法

刷洗器比較適合去除較大的雜質(zhì)顆粒。刷洗器將晶圓承載在一個(gè)旋轉(zhuǎn)的真空吸盤上。在一般去離子水直接沖洗晶圓表面的同時(shí),一個(gè)旋轉(zhuǎn)的刷子近距離地接觸旋轉(zhuǎn)的晶圓。刷子和品圓旋轉(zhuǎn)的結(jié)合在晶圓表面產(chǎn)生了高能量的清洗動(dòng)作。液體被迫進(jìn)入品圓表面和刷子末端之間極小的空間,從而達(dá)到很高的速度,以輔助清洗。必須注意的是,要保持刷子和清洗液管道的清潔以防止二次污染。另外刷子到晶圓的距離要保持一定以防止在晶圓表面造成劃痕。

超聲波在半導(dǎo)體工藝中很常用,超聲波是人耳聽不到的20kHz以上的振動(dòng)波,利用振動(dòng)去除附著在晶圓表面的污染和顆粒。頻率在100kHz以下的超聲波和100kHz以上的超聲波也都有使用,其產(chǎn)生的作用不同,如下圖:

高壓水噴灑清洗對(duì)由于靜電作用附著的顆粒去除效果很好,成為玻璃和鉻光刻掩模版的清洗的首選方式。將一注小的水流施加2000~4000psi的壓力,水流連續(xù)不斷地噴灑掩膜或晶片的表面,除去大小不一的顆粒。在水流中經(jīng)常加入少劑量的表面活性劑作為去靜電劑。

2)化學(xué)方法
液體的化學(xué)清洗工藝通常稱為濕法工藝(wet process)或濕法清洗(wet cleaning)。
RCA清洗是化學(xué)清洗的典型方法。它是20世紀(jì)60年代由RCA公司的Kern和Puotinen提出的,使用化學(xué)溶液的組合作為清洗液,是化學(xué)清洗的代表方法?;旧厢槍?duì)各種污染的清洗液組合、混合比例、溫度等都已確定,下圖中顯示了RCA清洗液的例子。氨和雙氧水(稱為APM)的混合物也簡(jiǎn)稱為“氨雙水”,對(duì)去除有機(jī)污染和顆粒有效,這里叫作SC-1清洗,SC是SemiconductorClean的縮寫。鹽酸和雙氧水的混合物稱為 HSM,簡(jiǎn)稱為“鹽酸雙氧水”,對(duì)去除金屬污染有效,這也稱為SC-2清洗。此外,硫酸和雙氧水的混合物稱為 SPM,簡(jiǎn)稱為“硫酸雙氧水”可有效去除光刻膠及其殘留物。通常的清洗設(shè)備中都有盛放上述化學(xué)藥品組合的清洗槽。

下圖顯示了不同用途的RCA清潔組合示例,但這只是一個(gè)例子而已。另外RCA清洗主要用于前端工序。因?yàn)樵诤蠖斯ば蛑行纬山饘俨季€,RCA清洗液會(huì)溶解金屬布線。

噴灑清洗:標(biāo)準(zhǔn)的清洗技術(shù)是浸泡在濕法清洗臺(tái)或全自動(dòng)機(jī)器的化學(xué)池中進(jìn)行的。當(dāng)濕法清洗被應(yīng)用到0.35~0.50um的技術(shù)時(shí)代時(shí),也相應(yīng)出現(xiàn)了一些顧慮?;瘜W(xué)品越來(lái)越多.浸泡在池中會(huì)導(dǎo)致污染物的再次沉積,而且晶片表面越來(lái)越小,越來(lái)越深的圖形阻礙了清洗的有效性。多樣的清洗方法于是開始結(jié)合。噴灑清洗具有幾個(gè)優(yōu)越性?;瘜W(xué)品直接噴到品圓表面而無(wú)須在池中保持大量的儲(chǔ)備,導(dǎo)致化學(xué)品的成本降低?;瘜W(xué)品用量的減少也使得處理和除去運(yùn)輸化學(xué)廢物的開銷降低。清洗效果也有所提高。噴灑的壓力有助于清洗晶圓表面帶有深孔的很小圖形。而且,再次污染的概率也會(huì)變小。噴灑的方法由于品圓每次接觸的都是新鮮的化學(xué)品,使允許清洗后立即進(jìn)行清水沖淋,而無(wú)須移至另外的一個(gè)清水沖洗臺(tái)上進(jìn)行。

低溫清洗:高壓的二氧化碳(CO2)或雪清洗(snowcleaning)是一種新興的技術(shù)。CO2從一個(gè)噴嘴中直接噴到晶圓表面。當(dāng)氣體從噴嘴中噴出時(shí),其壓力下降從而導(dǎo)致快速冷卻,然后形成CO2顆粒,或叫做雪花。相互撞擊顆粒的壓力驅(qū)散表面的顆粒并由氣流將其攜帶走。表面的物理撞擊提供了一種清洗作用。

氬氣的噴霧是另外一種低溫清洗。氬氣相對(duì)較重。它的較大原子在壓力下直噴到晶片表面可以除去顆粒。一種結(jié)合了氧氣和氬氣的綜合方法,稱為低溫動(dòng)力(Cryokinelie)法。在壓力下將氣體預(yù)冷使其形成液氣混合物并流入一個(gè)真空反應(yīng)室中。在反應(yīng)室中,液體迅速膨脹形成極微小的結(jié)晶將顆粒從晶片表面擊走。

總的來(lái)講,半導(dǎo)體中常見的清洗技術(shù)、要針對(duì)不同的污染物來(lái)選擇,涉及到的清潔源、容器、清潔效果如下圖:
工藝
清潔源
容器
清潔效果
剝離光刻膠
氧等離子體
平板反應(yīng)器
刻蝕膠
去聚合物
硫酸
溶液槽
除去有機(jī)物
去自然氧化層
氫氟酸
溶液槽
產(chǎn)生無(wú)氧表面
旋轉(zhuǎn)甩干
氮?dú)?/span>
甩干機(jī)
無(wú)任何殘留物
RCA1(堿性)
氨水+雙氧水
溶液槽
除去表面顆粒
RCA2(酸性)
鹽酸+雙氧水
溶液槽
除去重金屬粒子
DI清洗
去離子水
溶液槽
除去清洗溶劑
三、干燥技術(shù)

旋轉(zhuǎn)淋洗甩干機(jī)(SRD):在旋轉(zhuǎn)淋洗甩干機(jī)中,完全的甩干是在一個(gè)類似離心分離機(jī)的設(shè)備中完成的。一種方式是將晶圓承載器裝入一個(gè)圓筒狀容器內(nèi)部的片匣固定器中。在這一圓筒狀容器的中心是一排連接著去離子水和熱氨氣的帶孔的管子。甩干的過(guò)程實(shí)際起始于晶圓的沖洗,因?yàn)榫A是圍繞著噴水的中心管柱旋轉(zhuǎn)的。然后,當(dāng)熱氮?dú)鈴闹行墓苤袊姵鰰r(shí),SRD轉(zhuǎn)換為高速旋轉(zhuǎn)。不難想象,旋轉(zhuǎn)把水從品圓表面用掉。熱氮?dú)饪梢詭椭コo附于晶圓上的小水珠。

SRD還可以設(shè)計(jì)用來(lái)做單個(gè)晶圓承載器的甩干。承載器可以被滑動(dòng)推入反應(yīng)室內(nèi)部的一個(gè)旋轉(zhuǎn)固定器中。水和氮?dú)鈴钠鋫?cè)壁進(jìn)入反應(yīng)室而不是通過(guò)一個(gè)位中心的管柱。沖洗和甩干是在承載器繞其自身的軸線旋轉(zhuǎn)時(shí)進(jìn)行的。這種類型的SRD稱為軸線甩干機(jī)(axial dryer)。這兩種烘干機(jī)均被應(yīng)用于全自動(dòng)的晶圓清洗和刻蝕工藝。作為晶圓清洗機(jī)其所需的化學(xué)品通過(guò)管道連接到機(jī)器上,又由用微處理器控制的閥門將正確的化學(xué)品輸送到反應(yīng)室中。

異丙醇(IPA)蒸氣蒸干法:一種近來(lái)又被重新發(fā)現(xiàn)的烘干技術(shù)是醇類蒸干法。在烘干器的底部有一個(gè)液體IA的儲(chǔ)液罐。其上部充滿蒸氣(氣相)。當(dāng)一片表面帶水的晶圓懸置于蒸氣中時(shí),IPA將晶圓表面的水取代。IPA蒸氣區(qū)域周圍的冷卻管使IPA蒸氣中的水蒸氣凝結(jié),從而除去晶圓表面的水。另一種為直接取代型氣相蒸干機(jī)(direct displacement vapor dryer)。在這一系統(tǒng)中,晶圓被直接從水池中拿出放入IPA蒸氣中,IPA對(duì)水的取代干燥IPA蒸氣在其中發(fā)生。

表面張力/馬拉高尼(Marangoni)烘干:當(dāng)晶圓從水中被慢慢拿出水面時(shí),水的表面張力產(chǎn)生一種特殊條件。張力吸走表面的水,使晶圓變干。一種有機(jī)物,如IPA或N2的氣流在晶圓和水的界面出現(xiàn),將使上述效果增強(qiáng)。IPA/N2的氣流產(chǎn)生一種表面張力梯度從而使得晶圓上的水從其表面流人水中。這一內(nèi)部流動(dòng)進(jìn)一步加強(qiáng)了晶圓去水的效果。在實(shí)際應(yīng)用中,晶圓會(huì)從水池中拿出或者沖洗池中的水會(huì)慢慢下降使晶圓露出水面。
四、總結(jié)
芯片制造中最常見的工藝是半導(dǎo)體清洗。清洗效果的好壞對(duì)IC工藝和性能有重大影響。清潔溶液處理不當(dāng)會(huì)嚴(yán)重污染環(huán)境,并且大量的清洗循環(huán)將消耗大量的化學(xué)品和去離子水。稀釋化學(xué)品法,IMEC法,干法清洗以及干洗和濕洗的組合都有助于減少各種化學(xué)品和去離子水的使用。人們?nèi)栽谘芯扛行У那逑醇夹g(shù),例如在面對(duì)制程更小、集成度更高的工藝時(shí),清洗與超聲波的有效配合可以去除更細(xì)顆粒物。在更高精度的制造工藝中,半導(dǎo)體清洗將面臨越來(lái)越多的問(wèn)題。

參考文獻(xiàn):

1.【美】Peter Van Zant ,韓鄭生譯,芯片制造-半導(dǎo)體工藝制程實(shí)用教程(第六版),電子工業(yè)出版社;
2.【日】佐藤淳一,王藝文,王姝婭譯,圖解入門半導(dǎo)體制造工藝基礎(chǔ)精講(第四版),機(jī)械工業(yè)出版社;;
3.余盛,芯片戰(zhàn)爭(zhēng),華中科技大學(xué)出版社;
4.Wechat~ ICPMS冷知識(shí),半導(dǎo)體清洗:工藝、方法和原理
https://mp.weixin.qq.com/s/p6MPCJ0UTbwI16sUxFEeSA

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