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石英晶體微天平原理

來源:美國Gamry電化學 更新時間:2021-02-19 14:38:09 閱讀量:6798

引言

本文主要是石英晶體微天平(QCM)的原理簡介,該設(shè)備能夠監(jiān)測電極上的微小質(zhì)量變化。
本文內(nèi)容主要分為兩大部分:
? 壓電效應的解釋
? 等效電路模型
壓電效應的解釋
在某些類型的材料(通常為晶體)上施加機械應變,會導致材料上產(chǎn)生電勢。反之,在同樣的材料上施加電壓就會產(chǎn)生機械應變(形變)。撤去電壓,晶體恢復原狀。燃氣烤爐上的點火器是壓電效應日常使用的一個好例子。按下按鈕使得彈簧錘撞擊石英晶體,由此產(chǎn)生一個大電壓,通過與金屬線的間隙放電,引燃燃氣。
石英是至今帶振蕩器的儀器上使用廣泛的材料,一部分是因為歷史原因(批晶體是自然收獲的),一部分是因為其的商業(yè)化(現(xiàn)在人工合成)。切割石英晶體的方法很多,每一種切法,在施加電壓時有不同的振動模式。AT切向石英晶體因其室溫時的低溫度系數(shù),在QCM應用中采用得多。這也意味著,小的溫度變化只造成頻率的微小變化。該晶體有沿厚度方向切變的振動模式,如圖1所示。

Quartz Crystal No Applied Potential

未施加電壓的石英晶體
Quartz Crystal Under Applied Potential

施加電壓下的石英晶體
圖1 厚度切變示意圖

在晶體表面施加交變電壓(幾乎所有案例中都為正弦波)會引起晶體振蕩。當晶體的厚度(tq)是聲波長的兩倍時,會產(chǎn)生駐波,此時施加電壓頻率的倒數(shù)是駐波的周期。該頻率稱為共振頻率f0,由下式可得:

Basics-of-an-eQCM.pdf.jpg (1)

其中,μq是切變模量(剪切應力與剪切應變之比),ρq是密度,tq是晶體厚度。在共振頻率,振蕩過程中能量損失量小。每個循環(huán)峰能量存儲與能量損失之比,被稱為質(zhì)量因子Q,由下式定義:

Basics-of-an-eQCM.pdf 2.jpg(2)

其中fc是ZX頻率,fFWHM是半高全寬。半高全寬也叫帶寬。石英晶體在空氣中時,Q能夠超100,000,而在溶液中時Q降為約3000。這是因為晶體受到了溶液的阻尼作用。該阻尼作用增加了每個循環(huán)能量的損失量,降低了Q,如圖2所示。

Comparison of High Q and Low Q

圖2 高Q(實線)和低Q(虛線)的比較

等效電路模型

電聲系統(tǒng)的力學模型(圖3)包含一個質(zhì)量(M)、一個塑性(Cm)和一個電阻(rf)。塑性代表振蕩過程中的能量存儲,電阻代表振蕩過程中的能量耗散。

Quartz Crystal Microbalance Equivalent Mechanical Model

圖3 石英晶體微天平等效力學模型

QCM力學模型可以由多種不同方式電學建模。簡單的模型是RLC電路,如圖4所示。

Basics-of-an-eQCM.pdf 7.jpg

圖4 RLC電路

其中,R1代表振蕩過程中的能量耗散,C1代表能量存儲,Li代表與位移質(zhì)量相關(guān)的慣性成分。在共振頻率fs,電路的阻抗值小,數(shù)值大小與R1相同,如圖5所示。

Impedance Spectrum for a Series RLC Circuit

圖5 串聯(lián)RLC電路阻抗譜

實現(xiàn)石英晶體電接觸簡單的方法是在晶體每個面上加上電極。這些電極在RLC電路基礎(chǔ)上引入了一個額外的電容(C0),與串聯(lián)電路并聯(lián),如圖6所示。該電路通常稱為Butterworth van Dyke (BvD)模型。

Basics-of-an-eQCM.pdf 8.jpg

圖6 Butterworth van Dyke等效電路模型

上述電路有兩個共振頻率:fs和fp。分別代表串聯(lián)共振頻率(跟原始RLC電路中一樣)和并聯(lián)共振頻率。下圖顯示的是BvD模型的阻抗譜,小值在fs處,大值在fp處。

Impedance Spectrum for the Butterworth van Dyke Equivalent Circuit Model
圖7 Butterworth van Dyke等效電路模型對應阻抗譜

依賴鎖相振蕩器的大多數(shù)商用QCM手動抵消C0,只報告串聯(lián)共振頻率fs,因為fs≈f0,fs明顯依賴于L1。eQCM 10M顯示fs和fp兩個頻率,以及相關(guān)阻抗譜。
因為這兩個共振頻率都依賴L1,電極表面上的質(zhì)量變化將導致頻率的變化。當沉積膜很薄且是剛性的,頻率的降低可采用Sauerbrey方程4與質(zhì)量的增加直接相關(guān)聯(lián)。

Basics-of-an-eQCM.pdf 3.jpg(3)

其中,f0是晶體的基頻,如方程(1)中定義的,m是增加的質(zhì)量,n是諧波數(shù)(如5 MHz晶體在5 MHz驅(qū)動時n=1),μq和ρq也跟方程(1)里定義的一樣。方程(3)可以簡化為:

Basics-of-an-eQCM.pdf 4.jpg(4)

其中,Cf是校正常數(shù)。5 MHz AT切向石英晶體在空氣中的校正常數(shù)為56.6 Hz cm2 g-1。
電化學實驗大多數(shù)是低載量的,可以直接采用Sauerbrey方程(4)將頻率變化與質(zhì)量變化關(guān)聯(lián)。
一旦沉積了薄膜且石英晶體浸于液體中,BvD模型可以修改成下圖,包含與液體的耦合。

Basics-of-an-eQCM.pdf 9.jpg

圖8 石英晶體浸于液體中的等效電路模型

三個新元件分別說明膜質(zhì)量負載Lf和液體負載(基于LL和RL)。新的質(zhì)量負載Lf和LL都對頻率減小有影響, 如圖9中的黑色箭頭所示。原始的BvD模型(黑線)共振頻率約為300 kHz,高于修改后的BvD模型(紅線)。需要注意的是,盡管增加了膜和液體負載,共振曲線的形狀不變。

Comparison of BvD and Modified BvD Models

圖9 BvD和修正BvD模型比較

知道液體粘度和密度,就可以采用方程(5)計算晶體浸于液體時頻率的降低值。

Basics-of-an-eQCM.pdf 5.jpg(5)

其中,fa是晶體在空氣中的頻率,ηL是液體粘度,ρL是液體密度,μq是石英晶體的切變模量,ρq是石英晶體密度。
例如,當晶體浸入純水中時,頻率降低約為800 Hz。
方程(4)僅在假設(shè)膜很薄且為剛性時成立。當膜不再薄或不再為剛性時,BvD模型可進一步修正如下:

Basics-of-an-eQCM.pdf 9.jpg

圖10 石英晶體涂敷聚合物膜且浸于液體中的一種可能等效電路模型

加入了兩組特征元件:膜負載(ηfρf)和彈性(μf)?;谀ふ扯龋é莊)、密度(ρf)和彈性(μf),粘彈性聚合物將影響共振頻率。如果聚合物為剛性或ηfρf在實驗過程中無變化,則峰形狀不會變,ηfρf的貢獻可忽略。當ηfρf變化,峰的頻率、數(shù)值和形狀也會變化,如圖11所示。

Comparison of BvD and Viscous Polymer Modified BvD Models

圖11 BvD和粘性聚合物修正BvD模型比較

另一種查看ηfρf是否變化的方法是查看簡化質(zhì)量因子QR隨時間的變化。

Basics-of-an-eQCM.pdf 6.jpg(6)

QR的變化對應ηfρf的變化。量化ηfρf的變化在數(shù)學上具有挑戰(zhàn)性,此處不再深入討論。有興趣的讀者可以查閱文獻5。

參考文獻

1.Hillman, A. R. The EQCM: electrogravimetry with a light touch, J. Solid State Electrochem., 15, 2011, 1647-1660.

2.Buttry, D. A. The Quartz Cystal Microbalance as an In Situ Tool for Electrochemistry, in Electrochemical Interfaces. Modern Techniques for In-Situ Interface Characterization, H. D. Abru?a, Ed., VCH Publishers, Inc., New York, 1991, 531-66. Hillman, A. R. The Electrochemical Quartz Crystal Microbalance. In Instrumentation and Electroanalytical Chemistry; Bard, A. J., Stratmann, M., Unwin, P. R., Eds.; Encyclopedia of Electrochemistry; Wiley: New York, 2003; Vol. 3, 230-289.

3.Glassford, A. P. M. J. Vac. Sci. Technol. 1978, 15, 1836. Kanazawa, K. K.; Gordon II, J. Anal. Chem. 1985, 57, 1770. Kanazawa, K. K.; Gordon II, J. Analytica Chimica Acta 1985, 175, 99-105.

4.Sauerbrey, G. Z. Phys. 1959, 155, 206.

5.Muramatsu, H.; Tamiya, E.; Karube, I. Anal. Chem. 1988, 60, 2142-2146. Hillman, A. R.; Jackson, A.; Martin, S. J. Anal. Chem. 2001, 73, 540-549. Martin; Hillman; Etchnique

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