引言

未施加電壓的石英晶體
在晶體表面施加交變電壓(幾乎所有案例中都為正弦波)會引起晶體振蕩。當晶體的厚度(tq)是聲波長的兩倍時,會產(chǎn)生駐波,此時施加電壓頻率的倒數(shù)是駐波的周期。該頻率稱為共振頻率f0,由下式可得:
(1)
其中,μq是切變模量(剪切應力與剪切應變之比),ρq是密度,tq是晶體厚度。在共振頻率,振蕩過程中能量損失量小。每個循環(huán)峰能量存儲與能量損失之比,被稱為質(zhì)量因子Q,由下式定義:
(2)
其中fc是ZX頻率,fFWHM是半高全寬。半高全寬也叫帶寬。石英晶體在空氣中時,Q能夠超100,000,而在溶液中時Q降為約3000。這是因為晶體受到了溶液的阻尼作用。該阻尼作用增加了每個循環(huán)能量的損失量,降低了Q,如圖2所示。

圖2 高Q(實線)和低Q(虛線)的比較
等效電路模型
電聲系統(tǒng)的力學模型(圖3)包含一個質(zhì)量(M)、一個塑性(Cm)和一個電阻(rf)。塑性代表振蕩過程中的能量存儲,電阻代表振蕩過程中的能量耗散。

圖3 石英晶體微天平等效力學模型
QCM力學模型可以由多種不同方式電學建模。簡單的模型是RLC電路,如圖4所示。

圖4 RLC電路
其中,R1代表振蕩過程中的能量耗散,C1代表能量存儲,Li代表與位移質(zhì)量相關(guān)的慣性成分。在共振頻率fs,電路的阻抗值小,數(shù)值大小與R1相同,如圖5所示。

圖5 串聯(lián)RLC電路阻抗譜
實現(xiàn)石英晶體電接觸簡單的方法是在晶體每個面上加上電極。這些電極在RLC電路基礎(chǔ)上引入了一個額外的電容(C0),與串聯(lián)電路并聯(lián),如圖6所示。該電路通常稱為Butterworth van Dyke (BvD)模型。

圖6 Butterworth van Dyke等效電路模型
上述電路有兩個共振頻率:fs和fp。分別代表串聯(lián)共振頻率(跟原始RLC電路中一樣)和并聯(lián)共振頻率。下圖顯示的是BvD模型的阻抗譜,小值在fs處,大值在fp處。

圖7 Butterworth van Dyke等效電路模型對應阻抗譜
(3)
其中,f0是晶體的基頻,如方程(1)中定義的,m是增加的質(zhì)量,n是諧波數(shù)(如5 MHz晶體在5 MHz驅(qū)動時n=1),μq和ρq也跟方程(1)里定義的一樣。方程(3)可以簡化為:
(4)

圖8 石英晶體浸于液體中的等效電路模型
三個新元件分別說明膜質(zhì)量負載Lf和液體負載(基于LL和RL)。新的質(zhì)量負載Lf和LL都對頻率減小有影響, 如圖9中的黑色箭頭所示。原始的BvD模型(黑線)共振頻率約為300 kHz,高于修改后的BvD模型(紅線)。需要注意的是,盡管增加了膜和液體負載,共振曲線的形狀不變。

圖9 BvD和修正BvD模型比較
知道液體粘度和密度,就可以采用方程(5)計算晶體浸于液體時頻率的降低值。
(5)

圖10 石英晶體涂敷聚合物膜且浸于液體中的一種可能等效電路模型
加入了兩組特征元件:膜負載(ηfρf)和彈性(μf)?;谀ふ扯龋é莊)、密度(ρf)和彈性(μf),粘彈性聚合物將影響共振頻率。如果聚合物為剛性或ηfρf在實驗過程中無變化,則峰形狀不會變,ηfρf的貢獻可忽略。當ηfρf變化,峰的頻率、數(shù)值和形狀也會變化,如圖11所示。

圖11 BvD和粘性聚合物修正BvD模型比較
另一種查看ηfρf是否變化的方法是查看簡化質(zhì)量因子QR隨時間的變化。
(6)
QR的變化對應ηfρf的變化。量化ηfρf的變化在數(shù)學上具有挑戰(zhàn)性,此處不再深入討論。有興趣的讀者可以查閱文獻5。
參考文獻
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