OE750直讀光譜儀（OES）采用日立的一些Z先進技術，其出色的性能可為整個光譜范圍內(nèi)金屬檢測提供低檢出限。毋庸置疑，關于OE750的問題往往與分析技術和操作性能相關。

在本文中，日立的產(chǎn)品經(jīng)理Wilhelm Sanders回答了在OE750演示過程中經(jīng)常被問到的五個問題。

Q1、OE750使用PMT還是CCD檢測器技術？

都不是。OE750使用Z先進的CMOS檢測器，CMOS檢測器是基于半導體的傳感器（與CCD檢測器的情形相同）。與光電倍增管（PMT）系統(tǒng)相比，基于半導體的系統(tǒng)更具優(yōu)勢，因為其涵蓋更廣泛的波長范圍，由此適用于更多元素。雖然PMT技術可實現(xiàn)在低靈敏度時的優(yōu)良檢出限，但每臺傳感器僅可涵蓋有限的波長。這意味著您需要在一臺光譜儀中使用多個PMT檢測器以涵蓋更廣泛范圍內(nèi)的元素，而增加額外的性能意味著增加額外的檢測器，這將導致成本增加，甚至由于此類檢測器的幾何尺寸太大而無法將其添加至光學系統(tǒng)中。

由于CMOS檢測器具有比標準CCD技術更高的分辨率和更廣的動態(tài)范圍，因此使用CMOS檢測器可帶來更好的分析性能——正如在OE750中所見的情形一樣。這意味著在金屬分析中，我們可涵蓋整個波長范圍：從119nm到766nm，這包括從氫到鈾的所有元素（取決于應用領域和基體）。

簡而言之，CMOS檢測器可同時為您提供這兩種技術的優(yōu)勢：您可獲得PMT所提供的極低檢出限和同等靈敏度，以及CCD所提供的全光譜范圍。

Q2、每天可檢測多少件樣品？

就上述所有基體而言，每次激發(fā)的標準檢測時間均在15秒以下。以下舉例說明：

鋁基體：每次激發(fā)14.5秒。

鋼基體：每次激發(fā)12.5秒。

其他基體：每次激發(fā)11-12秒。

OE750的設計支持輪班制工作，即24/7輪班制；同時，如果我們假設每件樣品激發(fā)兩次，則每天可完成數(shù)百個樣品分析。

但是，維護工作將對此產(chǎn)生影響。您需要清理火花臺的頻率取決于基體。如果是鋼基體，我們建議每2000次激發(fā)后清潔一次；如果是鋁基體，我們建議每1000次激發(fā)后清潔一次。這是因為材料的熔點越低，在激發(fā)過程中沉積的材料就越多，由此將縮短清潔的時間間隔。通過無光纖的直接光路，可盡可能減少OE750的維護工作（以及故障停機時間）。但是，如果您需要大量、連續(xù)使用光譜儀，則我們建議我們的服務團隊每年至少為您提供一次服務，以清理和維護您的光譜儀。

Q3、 氬氣消耗量和標準氬氣流量是多少？

這取決于您所開展檢測的次數(shù)；但是如果我們模擬幾種場景，我們可以計算出一年的氬氣使用量。

氬氣的恒流定量消耗為12 L / h且分析流量為50 L / h。假設我們正在檢測鋼，則檢測時間為12.5秒。對于**種場景，我們假設每天激發(fā)100次、每年工作200天且系統(tǒng)24小時處于待機狀態(tài)。則在此種情況下，您每年需要六瓶50 L/ 200 bar的氬氣。

如果您每天測量300件樣品，同時所有其他因素保持不變，則您需要七瓶氬氣。

我們需要說明的是，由于OE750使用具備低氬氣流吹掃功能的獨特中壓系統(tǒng)，因此用于光學潔凈度的氬氣使用量非常低。這意味著我們可使用無油隔膜泵，以降低污染物進入光室的風險。

因此，當您購買光譜儀時，您還應考慮運營成本，原因是運營成本很容易對總投資產(chǎn)生重大影響。

Q4、使用氬氣吹掃光室需要多久？

這取決于光譜儀的初始狀態(tài)。例如，針對交付后S次安裝的光譜儀，氬氣凈化光室將耗時12個小時。（我們將其稱為運行完整的泵循環(huán)）。但是，光譜儀一旦安裝后，您應確保您的系統(tǒng)處于待機模式——這可確保光室始終被氬氣包圍。

但是，現(xiàn)在讓我們看一下可能會關閉光譜儀的情況：

周末關閉光譜儀，但有氬氣流

您需要運行泵短循環(huán)（將耗時15分鐘），并對激發(fā)樣品進行五次檢測（例如，鐵基中激發(fā)樣品是RE12）。該步驟對于獲得良好的激發(fā)斑點并使氬氣重新激活至火花臺而言是必需的。

周末關閉光譜儀，但沒有氬氣流

與上一種有氬氣流的情況完全一致。但是，我們強烈建議您在每次關閉光譜儀后使用為該程序提供的檢查樣品樣進行潔凈度測試。您很容易就能完成該檢查，且耗時不到一分鐘。

假期關閉光譜儀

在此種情況下，您應運行12小時的泵長循環(huán)，同時您應進行潔凈度測試并檢查激發(fā)樣品以確認激發(fā)斑點。

Q5、使用氮化硼墊片以減小火花臺孔徑是否會影響分析準確度？

是的，這確實會影響分析準確度。與覆蓋14 mm完整火花臺孔徑的樣品相比，極ng確度和準確度存在細微偏差。產(chǎn)生這種偏差的原因在于空氣進入火花間隙，從而造成干擾。OE750具有獨特的噴射氣流技術，該技術可Zda程 度地降低此類干擾的影響，但是隨著直徑的減小，來自周圍空氣的干擾的作用更大。

另一個問題是氮和硼是氮化硼墊片本身的一部分，因此無法分析氮和硼。我們目前正在研發(fā)氮化硼的替代品，以便可以分析氮和硼。但是很遺憾，分析氮氣的問題仍未解決，因為從周圍空氣中通過火花臺間隙而進入設備的氮氣含量過多。