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2025-01-21 09:35:49考夫曼離子源
考夫曼離子源是一種利用電場(chǎng)和磁場(chǎng)產(chǎn)生離子的裝置。具有高效、穩(wěn)定、可控等特點(diǎn)，能夠持續(xù)穩(wěn)定地產(chǎn)生離子束。廣泛應(yīng)用于質(zhì)譜儀等設(shè)備中，用于樣品分析、物質(zhì)檢測(cè)等領(lǐng)域。在科研和工業(yè)中發(fā)揮著重要作用，提高了分析精度和檢測(cè)效率。

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2018-11-14 22:16:27什么叫考夫曼離子源
　
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2021-03-12 14:37:10KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 制備 NGZO 薄膜
上海某大學(xué)實(shí)驗(yàn)室采用 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 , 通入氬氣和氮?dú)? 在流量比分別為 25/10、25/20、25/25、25/30 ((mL/min)/(mL/min))條件下制備 NGZO 薄膜. 伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 技術(shù)參數(shù):型號(hào)RFICP140DischargeRFICP 射頻離子束流>600 mA離子動(dòng)能100-1200 V柵極直徑14 cm Φ離子束聚焦, 平行, 散射流量5-30 sccm通氣Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型壓力< 0.5m Torr長(zhǎng)度24.6 cm直徑24.6 cm中和器LFN 2000 實(shí)驗(yàn)室通過 XRD 和 SEM 對(duì)薄膜的物相結(jié)構(gòu)和表面形貌進(jìn)行分析,通過紫外可見分光光度計(jì)和霍爾效應(yīng)測(cè)試儀對(duì)薄膜透過率和載流子濃度、遷移率及薄膜電阻率進(jìn)行研究. 實(shí)驗(yàn)結(jié)果:通過與未摻入 N 的 Ga 摻雜氧化鋅 (GZO) 薄膜相比, 在可見光區(qū), 尤其是 600~800 nm 范圍內(nèi), NGZO 薄膜平均透過率在80%以上,符合透明導(dǎo)電薄膜透過率的要求.在 N-Ga 共摻雜薄膜中, N 的摻雜主要占據(jù) O 空位, 并吸引空位周圍的電子, 這減小了薄膜晶格畸變, 并產(chǎn)生電子空穴, 使得薄膜中電子載流子濃度降低, 空穴載流子濃度增加, 電阻率有所增加.隨著氮?dú)饬髁康淖兓? 發(fā)現(xiàn)在 25 mL/min 時(shí), 薄膜具有好的綜合性能. 這種薄膜可用于紫外光探測(cè)器等需較大電阻率的應(yīng)用中, 并有望實(shí)現(xiàn) n-p 型轉(zhuǎn)化.  KRI 離子源的獨(dú)特功能實(shí)現(xiàn)了更好的性能, 增強(qiáng)的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經(jīng)獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術(shù)的情況下是無(wú)法實(shí)現(xiàn)的. KRI 離子源是領(lǐng)域公認(rèn)的, 已獲得許多ZL. KRI 離子源已應(yīng)用于許多已成為行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的過程中. 伯東是德國(guó) Pfeiffer 真空泵, 檢漏儀, 質(zhì)譜儀, 真空計(jì), 美國(guó) KRI 考夫曼離子源, 美國(guó)HVA 真空閥門, 美國(guó) inTEST 高低溫沖擊測(cè)試機(jī), 美國(guó) Ambrell 感應(yīng)加熱設(shè)備和日本 NS 離子蝕刻機(jī)等進(jìn)口知名品牌的指定代理商.
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2021-03-01 13:17:38KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 濺射沉積半導(dǎo)體
河北某大學(xué)實(shí)驗(yàn)室在研究 IGZO 薄膜的特性試驗(yàn)中采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 作為濺射源, 濺射沉積半導(dǎo)體 IGZO 薄膜. 伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 技術(shù)參數(shù):型號(hào)RFICP140DischargeRFICP 射頻離子束流>600 mA離子動(dòng)能100-1200 V柵極直徑14 cm Φ離子束聚焦, 平行, 散射流量5-30 sccm通氣Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型壓力< 0.5m Torr長(zhǎng)度24.6 cm直徑24.6 cm中和器LFN 2000 試驗(yàn)采用射頻（RF）磁控濺射沉積方法, 在室溫不同壓強(qiáng)下在石英玻璃襯底上制備出高透光率與較好電學(xué)性質(zhì)的透明氧化物半導(dǎo)體 InGaZnO4（IGZO）薄膜, 并對(duì)薄膜進(jìn)行X線衍射（XRD）、生長(zhǎng)速率、電阻率和透光率的測(cè)試與表征.結(jié)果表明:實(shí)驗(yàn)所獲樣品 IGZO 薄膜為非晶態(tài), 薄膜最小電阻率為1.3×10^-3Ω·cm, 根據(jù)光學(xué)性能測(cè)試結(jié)果, IGZO 薄膜在 200～350nm 的紫外光區(qū)有較強(qiáng)吸收, 在 400～900nm 的可見光波段的透過率為75％～97％. 相比傳統(tǒng)的有以下優(yōu)點(diǎn)：更小的晶體尺寸, 設(shè)備更輕薄；全透明, 對(duì)可見光不敏感, 能夠大大增加元件的開口率, 提高亮度, 降低功耗的電子遷移率大約為, 比傳統(tǒng)材料進(jìn)步非常明顯, 面板比傳統(tǒng)面板有了全面的提升. KRI 離子源的獨(dú)特功能實(shí)現(xiàn)了更好的性能, 增強(qiáng)的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經(jīng)獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術(shù)的情況下是無(wú)法實(shí)現(xiàn)的. KRI 離子源是領(lǐng)域公認(rèn)的, 已獲得許多ZL. KRI 離子源已應(yīng)用于許多已成為行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的過程中.
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2021-03-19 16:03:26KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380 輔助磁控濺射 WS2 薄膜
WS2 作為一種固體潤(rùn)滑材料, 有著類似“三明治”層狀的六方晶體結(jié)構(gòu), 由于通過微弱范德華力結(jié)合的S—W—S層間距較大, 在發(fā)生摩擦行為時(shí)易于滑動(dòng)而達(dá)到優(yōu)異的潤(rùn)滑效果. WS2對(duì)金屬表面吸附力強(qiáng), 且摩擦系數(shù)較低, 在高溫高壓、高真空、高輻射等嚴(yán)苛環(huán)境也能保持潤(rùn)滑, 不易失效, 在航空航天領(lǐng)域有著良好的發(fā)展前景. 河南某大學(xué)研究室采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380  輔助磁控濺射 WS2 薄膜, 目的研究不同沉積壓力對(duì)磁控濺射 WS2 薄膜微觀結(jié)構(gòu)、力學(xué)性能和摩擦學(xué)性能的影響. KRI 射頻離子源 RFICP380 技術(shù)參數(shù):射頻離子源型號(hào)RFICP380Discharge 陽(yáng)極射頻 RFICP離子束流>1500 mA離子動(dòng)能100-1200 V柵極直徑30 cm Φ離子束聚焦, 平行, 散射流量15-50 sccm通氣Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型壓力< 0.5m Torr長(zhǎng)度39 cm直徑59 cm中和器LFN 2000 在磁控濺射沉積薄膜的實(shí)驗(yàn)中, 工藝參數(shù)（如沉積壓力、沉積溫度、濺射功率等）對(duì) WS2 薄膜的結(jié)構(gòu)和性能影響很大. 為制備摩擦磨損性能優(yōu)良的 WS2 薄膜, 需要系統(tǒng)研究磁控濺射沉積 WS2 薄膜的工藝方法.磁控濺射 WS2 薄膜的原理是利用稀薄氣體在低壓真空環(huán)境中發(fā)生輝光放電, 如果薄膜沉積時(shí)工作氣壓過低（10 Pa）, 真空室內(nèi)等離子體密度高, 濺射粒子向基體運(yùn)動(dòng)中發(fā)生碰撞多, 平均自由程減小, 以致無(wú)法到達(dá)基體表面進(jìn)行沉積.因此, 合適的沉積壓力是磁控濺射沉積 WS2 薄膜的一個(gè)重要工藝參數(shù). KRI 離子源的獨(dú)特功能實(shí)現(xiàn)了更好的性能, 增強(qiáng)的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經(jīng)獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術(shù)的情況下是無(wú)法實(shí)現(xiàn)的.
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2021-03-15 15:30:00KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP220 制備富硅SiNx薄膜
云南某實(shí)驗(yàn)室采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220  射頻磁控濺射沉積方法在不同溫度的 Si（100）襯底和石英襯底上制備了富硅 SiNx 薄膜, 用于研究硅量子點(diǎn) SiN 薄膜的光譜特性. 該實(shí)驗(yàn)?zāi)康氖莾?yōu)化含硅量子點(diǎn)的 SiNx 薄膜的制備參數(shù), 在硅基光電子器件的應(yīng)用方面有重要意義. 伯東 KRI 射頻離子源 RFICP220 技術(shù)參數(shù):離子源型號(hào)RFICP220DischargeRFICP 射頻離子束流>800 mA離子動(dòng)能100-1200 V柵極直徑20 cm Φ離子束聚焦,   平行,   散射流量10-40 sccm通氣Ar,   Kr,   Xe,   O2,   N2,   H2,   其他典型壓力< 0.5m Torr長(zhǎng)度30 cm直徑41 cm中和器LFN 2000* 可選: 燈絲中和器; 可變長(zhǎng)度的增量實(shí)驗(yàn)室采用 Fourier 變換紅外光譜、Raman 光譜、掠入射 X 射線衍射和光致發(fā)光光譜對(duì)退火后的薄膜樣品進(jìn)行了表征. KRI 離子源的獨(dú)特功能實(shí)現(xiàn)了更好的性能, 增強(qiáng)的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經(jīng)獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術(shù)的情況下是無(wú)法實(shí)現(xiàn)的. 因此,  該研究項(xiàng)目才采用 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 輔助濺射沉積工藝. 伯東是德國(guó) Pfeiffer 真空泵,  檢漏儀, 質(zhì)譜儀, 真空計(jì), 美國(guó) KRI 考夫曼離子源, 美國(guó)HVA 真空閥門, 美國(guó) inTEST 高低溫沖擊測(cè)試機(jī), 美國(guó) Ambrell 感應(yīng)加熱設(shè)備和日本 NS 離子蝕刻機(jī)等進(jìn)口知名品牌的指定代理商.
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