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2025-02-08 11:16:07霍爾離子源
霍爾離子源是一種利用霍爾效應產生離子的裝置。它具有高效、穩(wěn)定、可控等特點，能夠持續(xù)穩(wěn)定地產生離子束。廣泛應用于質譜儀、離子注入機等設備中，用于樣品分析、材料改性等領域。在科研和工業(yè)中發(fā)揮著重要作用，提高了分析精度和工藝效率。

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2021-03-18 15:46:05KRI射頻離子源RFICP380濺射沉積NSN70隔熱膜
某機構采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380  輔助磁控濺射在柔性基材表面沉積多層 NSN70 隔熱膜, 制備出的 NSN70 隔熱膜具有陽光控制功能, 很好的解決了普通窗簾或百葉窗隔熱效果不明顯的問題. KRI 射頻離子源 RFICP380 技術參數(shù):射頻離子源型號RFICP380Discharge 陽極射頻 RFICP離子束流>1500 mA離子動能100-1200 V柵極直徑30 cm Φ離子束聚焦, 平行, 散射流量15-50 sccm通氣Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型壓力< 0.5m Torr長度39 cm直徑59 cm中和器LFN 2000 在柔性基材 PET 上沉積 AgCu 合金制備的 NSN 系列隔熱膜, 繼承了單 Ag 隔熱膜良好的光譜選擇性, 同時能有效的解決 Ag 易硫化的難題, 還具有抗氧化功能, 以防止隔熱膜長期放置透射率指標變化過大. NSN70 隔熱膜是沉積 AgCu 合金的金屬膜系結構產品, 它生產效率高、隔熱性好. KRI 離子源的獨特功能實現(xiàn)了更好的性能, 增強的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術的情況下是無法實現(xiàn)的.
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2017-01-02 05:10:12霍爾離子源和考夫曼離子源的區(qū)別
　
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2021-03-12 14:37:10KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 制備 NGZO 薄膜
上海某大學實驗室采用 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 , 通入氬氣和氮氣, 在流量比分別為 25/10、25/20、25/25、25/30 ((mL/min)/(mL/min))條件下制備 NGZO 薄膜. 伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 技術參數(shù):型號RFICP140DischargeRFICP 射頻離子束流>600 mA離子動能100-1200 V柵極直徑14 cm Φ離子束聚焦, 平行, 散射流量5-30 sccm通氣Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型壓力< 0.5m Torr長度24.6 cm直徑24.6 cm中和器LFN 2000 實驗室通過 XRD 和 SEM 對薄膜的物相結構和表面形貌進行分析,通過紫外可見分光光度計和霍爾效應測試儀對薄膜透過率和載流子濃度、遷移率及薄膜電阻率進行研究. 實驗結果:通過與未摻入 N 的 Ga 摻雜氧化鋅 (GZO) 薄膜相比, 在可見光區(qū), 尤其是 600~800 nm 范圍內, NGZO 薄膜平均透過率在80%以上,符合透明導電薄膜透過率的要求.在 N-Ga 共摻雜薄膜中, N 的摻雜主要占據(jù) O 空位, 并吸引空位周圍的電子, 這減小了薄膜晶格畸變, 并產生電子空穴, 使得薄膜中電子載流子濃度降低, 空穴載流子濃度增加, 電阻率有所增加.隨著氮氣流量的變化, 發(fā)現(xiàn)在 25 mL/min 時, 薄膜具有好的綜合性能. 這種薄膜可用于紫外光探測器等需較大電阻率的應用中, 并有望實現(xiàn) n-p 型轉化.  KRI 離子源的獨特功能實現(xiàn)了更好的性能, 增強的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術的情況下是無法實現(xiàn)的. KRI 離子源是領域公認的, 已獲得許多ZL. KRI 離子源已應用于許多已成為行業(yè)標準的過程中. 伯東是德國 Pfeiffer 真空泵, 檢漏儀, 質譜儀, 真空計, 美國 KRI 考夫曼離子源, 美國HVA 真空閥門, 美國 inTEST 高低溫沖擊測試機, 美國 Ambrell 感應加熱設備和日本 NS 離子蝕刻機等進口知名品牌的指定代理商.
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2021-03-11 14:46:58KRI射頻離子源RFICP380制備IFBA芯塊ZrB2涂層
某科研機構在 IFBA 芯塊 ZrB2 涂層研究中采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380  輔助鍍膜設備濺射沉積 ZrB2 涂層. KRI 射頻離子源 RFICP380 技術參數(shù):射頻離子源型號RFICP380Discharge 陽極射頻 RFICP離子束流>1500 mA離子動能100-1200 V柵極直徑30 cm Φ離子束聚焦, 平行, 散射流量15-50 sccm通氣Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型壓力< 0.5m Torr長度39 cm直徑59 cm中和器LFN 2000  研究利用金相顯微鏡、掃描電子顯微鏡、X射線衍射儀、電感耦合等離子體發(fā)射光譜儀、膠帶粘附性剝離等方法測定了沉積 ZrB2 涂層的厚度、形貌、物相結構、成分、附著力以及沉積速率等性能參數(shù), 研究了各濺射工藝條件如芯塊表面清潔度、濺射氣體壓力、濺射功率密度和轉鼓轉速對ZrB 涂層沉積率和附著力的影響. KRI 離子源的獨特功能實現(xiàn)了更好的性能, 增強的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術的情況下是無法實現(xiàn)的.
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2021-03-01 13:17:38KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 濺射沉積半導體
河北某大學實驗室在研究 IGZO 薄膜的特性試驗中采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 作為濺射源, 濺射沉積半導體 IGZO 薄膜. 伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 技術參數(shù):型號RFICP140DischargeRFICP 射頻離子束流>600 mA離子動能100-1200 V柵極直徑14 cm Φ離子束聚焦, 平行, 散射流量5-30 sccm通氣Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型壓力< 0.5m Torr長度24.6 cm直徑24.6 cm中和器LFN 2000 試驗采用射頻（RF）磁控濺射沉積方法, 在室溫不同壓強下在石英玻璃襯底上制備出高透光率與較好電學性質的透明氧化物半導體 InGaZnO4（IGZO）薄膜, 并對薄膜進行X線衍射（XRD）、生長速率、電阻率和透光率的測試與表征.結果表明:實驗所獲樣品 IGZO 薄膜為非晶態(tài), 薄膜最小電阻率為1.3×10^-3Ω·cm, 根據(jù)光學性能測試結果, IGZO 薄膜在 200～350nm 的紫外光區(qū)有較強吸收, 在 400～900nm 的可見光波段的透過率為75％～97％. 相比傳統(tǒng)的有以下優(yōu)點：更小的晶體尺寸, 設備更輕?。蝗该? 對可見光不敏感, 能夠大大增加元件的開口率, 提高亮度, 降低功耗的電子遷移率大約為, 比傳統(tǒng)材料進步非常明顯, 面板比傳統(tǒng)面板有了全面的提升. KRI 離子源的獨特功能實現(xiàn)了更好的性能, 增強的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術的情況下是無法實現(xiàn)的. KRI 離子源是領域公認的, 已獲得許多ZL. KRI 離子源已應用于許多已成為行業(yè)標準的過程中.
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