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2025-01-21 09:37:28射頻離子源
射頻離子源是一種利用射頻電場產(chǎn)生離子的裝置。具有高效、穩(wěn)定、可控等特點(diǎn)，能夠持續(xù)穩(wěn)定地產(chǎn)生離子束。廣泛應(yīng)用于質(zhì)譜儀、離子注入機(jī)等設(shè)備中，用于樣品分析、材料改性等領(lǐng)域。在科研和工業(yè)中發(fā)揮著重要作用，提高了分析精度和工藝效率。

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2021-03-18 15:46:05KRI射頻離子源RFICP380濺射沉積NSN70隔熱膜
某機(jī)構(gòu)采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380  輔助磁控濺射在柔性基材表面沉積多層 NSN70 隔熱膜, 制備出的 NSN70 隔熱膜具有陽光控制功能, 很好的解決了普通窗簾或百葉窗隔熱效果不明顯的問題. KRI 射頻離子源 RFICP380 技術(shù)參數(shù):射頻離子源型號RFICP380Discharge 陽極射頻 RFICP離子束流>1500 mA離子動能100-1200 V柵極直徑30 cm Φ離子束聚焦, 平行, 散射流量15-50 sccm通氣Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型壓力< 0.5m Torr長度39 cm直徑59 cm中和器LFN 2000 在柔性基材 PET 上沉積 AgCu 合金制備的 NSN 系列隔熱膜, 繼承了單 Ag 隔熱膜良好的光譜選擇性, 同時(shí)能有效的解決 Ag 易硫化的難題, 還具有抗氧化功能, 以防止隔熱膜長期放置透射率指標(biāo)變化過大. NSN70 隔熱膜是沉積 AgCu 合金的金屬膜系結(jié)構(gòu)產(chǎn)品, 它生產(chǎn)效率高、隔熱性好. KRI 離子源的獨(dú)特功能實(shí)現(xiàn)了更好的性能, 增強(qiáng)的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經(jīng)獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術(shù)的情況下是無法實(shí)現(xiàn)的.
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2021-03-12 14:37:10KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 制備 NGZO 薄膜
上海某大學(xué)實(shí)驗(yàn)室采用 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 , 通入氬氣和氮?dú)? 在流量比分別為 25/10、25/20、25/25、25/30 ((mL/min)/(mL/min))條件下制備 NGZO 薄膜. 伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 技術(shù)參數(shù):型號RFICP140DischargeRFICP 射頻離子束流>600 mA離子動能100-1200 V柵極直徑14 cm Φ離子束聚焦, 平行, 散射流量5-30 sccm通氣Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型壓力< 0.5m Torr長度24.6 cm直徑24.6 cm中和器LFN 2000 實(shí)驗(yàn)室通過 XRD 和 SEM 對薄膜的物相結(jié)構(gòu)和表面形貌進(jìn)行分析,通過紫外可見分光光度計(jì)和霍爾效應(yīng)測試儀對薄膜透過率和載流子濃度、遷移率及薄膜電阻率進(jìn)行研究. 實(shí)驗(yàn)結(jié)果:通過與未摻入 N 的 Ga 摻雜氧化鋅 (GZO) 薄膜相比, 在可見光區(qū), 尤其是 600~800 nm 范圍內(nèi), NGZO 薄膜平均透過率在80%以上,符合透明導(dǎo)電薄膜透過率的要求.在 N-Ga 共摻雜薄膜中, N 的摻雜主要占據(jù) O 空位, 并吸引空位周圍的電子, 這減小了薄膜晶格畸變, 并產(chǎn)生電子空穴, 使得薄膜中電子載流子濃度降低, 空穴載流子濃度增加, 電阻率有所增加.隨著氮?dú)饬髁康淖兓? 發(fā)現(xiàn)在 25 mL/min 時(shí), 薄膜具有好的綜合性能. 這種薄膜可用于紫外光探測器等需較大電阻率的應(yīng)用中, 并有望實(shí)現(xiàn) n-p 型轉(zhuǎn)化.  KRI 離子源的獨(dú)特功能實(shí)現(xiàn)了更好的性能, 增強(qiáng)的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經(jīng)獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術(shù)的情況下是無法實(shí)現(xiàn)的. KRI 離子源是領(lǐng)域公認(rèn)的, 已獲得許多ZL. KRI 離子源已應(yīng)用于許多已成為行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的過程中. 伯東是德國 Pfeiffer 真空泵, 檢漏儀, 質(zhì)譜儀, 真空計(jì), 美國 KRI 考夫曼離子源, 美國HVA 真空閥門, 美國 inTEST 高低溫沖擊測試機(jī), 美國 Ambrell 感應(yīng)加熱設(shè)備和日本 NS 離子蝕刻機(jī)等進(jìn)口知名品牌的指定代理商.
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2021-03-11 14:46:58KRI射頻離子源RFICP380制備IFBA芯塊ZrB2涂層
某科研機(jī)構(gòu)在 IFBA 芯塊 ZrB2 涂層研究中采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380  輔助鍍膜設(shè)備濺射沉積 ZrB2 涂層. KRI 射頻離子源 RFICP380 技術(shù)參數(shù):射頻離子源型號RFICP380Discharge 陽極射頻 RFICP離子束流>1500 mA離子動能100-1200 V柵極直徑30 cm Φ離子束聚焦, 平行, 散射流量15-50 sccm通氣Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型壓力< 0.5m Torr長度39 cm直徑59 cm中和器LFN 2000  研究利用金相顯微鏡、掃描電子顯微鏡、X射線衍射儀、電感耦合等離子體發(fā)射光譜儀、膠帶粘附性剝離等方法測定了沉積 ZrB2 涂層的厚度、形貌、物相結(jié)構(gòu)、成分、附著力以及沉積速率等性能參數(shù), 研究了各濺射工藝條件如芯塊表面清潔度、濺射氣體壓力、濺射功率密度和轉(zhuǎn)鼓轉(zhuǎn)速對ZrB 涂層沉積率和附著力的影響. KRI 離子源的獨(dú)特功能實(shí)現(xiàn)了更好的性能, 增強(qiáng)的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經(jīng)獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術(shù)的情況下是無法實(shí)現(xiàn)的.
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2021-03-01 13:17:38KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 濺射沉積半導(dǎo)體
河北某大學(xué)實(shí)驗(yàn)室在研究 IGZO 薄膜的特性試驗(yàn)中采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 作為濺射源, 濺射沉積半導(dǎo)體 IGZO 薄膜. 伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 技術(shù)參數(shù):型號RFICP140DischargeRFICP 射頻離子束流>600 mA離子動能100-1200 V柵極直徑14 cm Φ離子束聚焦, 平行, 散射流量5-30 sccm通氣Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型壓力< 0.5m Torr長度24.6 cm直徑24.6 cm中和器LFN 2000 試驗(yàn)采用射頻（RF）磁控濺射沉積方法, 在室溫不同壓強(qiáng)下在石英玻璃襯底上制備出高透光率與較好電學(xué)性質(zhì)的透明氧化物半導(dǎo)體 InGaZnO4（IGZO）薄膜, 并對薄膜進(jìn)行X線衍射（XRD）、生長速率、電阻率和透光率的測試與表征.結(jié)果表明:實(shí)驗(yàn)所獲樣品 IGZO 薄膜為非晶態(tài), 薄膜最小電阻率為1.3×10^-3Ω·cm, 根據(jù)光學(xué)性能測試結(jié)果, IGZO 薄膜在 200～350nm 的紫外光區(qū)有較強(qiáng)吸收, 在 400～900nm 的可見光波段的透過率為75％～97％. 相比傳統(tǒng)的有以下優(yōu)點(diǎn)：更小的晶體尺寸, 設(shè)備更輕薄；全透明, 對可見光不敏感, 能夠大大增加元件的開口率, 提高亮度, 降低功耗的電子遷移率大約為, 比傳統(tǒng)材料進(jìn)步非常明顯, 面板比傳統(tǒng)面板有了全面的提升. KRI 離子源的獨(dú)特功能實(shí)現(xiàn)了更好的性能, 增強(qiáng)的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經(jīng)獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術(shù)的情況下是無法實(shí)現(xiàn)的. KRI 離子源是領(lǐng)域公認(rèn)的, 已獲得許多ZL. KRI 離子源已應(yīng)用于許多已成為行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的過程中.
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2021-03-19 16:03:26KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380 輔助磁控濺射 WS2 薄膜
WS2 作為一種固體潤滑材料, 有著類似“三明治”層狀的六方晶體結(jié)構(gòu), 由于通過微弱范德華力結(jié)合的S—W—S層間距較大, 在發(fā)生摩擦行為時(shí)易于滑動而達(dá)到優(yōu)異的潤滑效果. WS2對金屬表面吸附力強(qiáng), 且摩擦系數(shù)較低, 在高溫高壓、高真空、高輻射等嚴(yán)苛環(huán)境也能保持潤滑, 不易失效, 在航空航天領(lǐng)域有著良好的發(fā)展前景. 河南某大學(xué)研究室采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380  輔助磁控濺射 WS2 薄膜, 目的研究不同沉積壓力對磁控濺射 WS2 薄膜微觀結(jié)構(gòu)、力學(xué)性能和摩擦學(xué)性能的影響. KRI 射頻離子源 RFICP380 技術(shù)參數(shù):射頻離子源型號RFICP380Discharge 陽極射頻 RFICP離子束流>1500 mA離子動能100-1200 V柵極直徑30 cm Φ離子束聚焦, 平行, 散射流量15-50 sccm通氣Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型壓力< 0.5m Torr長度39 cm直徑59 cm中和器LFN 2000 在磁控濺射沉積薄膜的實(shí)驗(yàn)中, 工藝參數(shù)（如沉積壓力、沉積溫度、濺射功率等）對 WS2 薄膜的結(jié)構(gòu)和性能影響很大. 為制備摩擦磨損性能優(yōu)良的 WS2 薄膜, 需要系統(tǒng)研究磁控濺射沉積 WS2 薄膜的工藝方法.磁控濺射 WS2 薄膜的原理是利用稀薄氣體在低壓真空環(huán)境中發(fā)生輝光放電, 如果薄膜沉積時(shí)工作氣壓過低（10 Pa）, 真空室內(nèi)等離子體密度高, 濺射粒子向基體運(yùn)動中發(fā)生碰撞多, 平均自由程減小, 以致無法到達(dá)基體表面進(jìn)行沉積.因此, 合適的沉積壓力是磁控濺射沉積 WS2 薄膜的一個(gè)重要工藝參數(shù). KRI 離子源的獨(dú)特功能實(shí)現(xiàn)了更好的性能, 增強(qiáng)的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經(jīng)獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術(shù)的情況下是無法實(shí)現(xiàn)的.
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