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2025-01-21 09:32:52碳化硅晶體: 碳化硅晶體是由碳和硅組成的化合物，具有高硬度、高強(qiáng)度和耐高溫性能。它常用于制造高性能陶瓷、磨料和切削工具等。此外，碳化硅晶體還具有優(yōu)異的導(dǎo)熱性能和化學(xué)穩(wěn)定性，在電子、光學(xué)、航空航天等領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用。作為一種重要的半導(dǎo)體材料，碳化硅晶體還可用于制造高功率電子器件和LED等，是現(xiàn)代工業(yè)和高科技領(lǐng)域不可或缺的材料之一。

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碳化硅晶體資訊

中科院物理研究所采購(gòu)碳化硅晶體爐(50-100萬(wàn))征求意見(jiàn)公示

現(xiàn)將有關(guān)情況向潛在供應(yīng)商征求意見(jiàn)及所網(wǎng)站公示，公示期限從2022年7月12日至2022年7月14日止。

754
2022-07-18
碳化硅晶體爐

碳化硅晶體文章

鷙遠(yuǎn)科技碳化硅晶體掏棒機(jī)ZYQYJ-200特點(diǎn)

該機(jī)以穩(wěn)定的機(jī)械結(jié)構(gòu)、數(shù)字化控制和靈活的工藝頭切換為核心，能夠?qū)崿F(xiàn)高重復(fù)性加工與良好的可追溯性，適合從研究項(xiàng)目到小批量生產(chǎn)的多場(chǎng)景應(yīng)用。

上海鷙遠(yuǎn)科技有限公司 69
2025-12-04

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碳化硅晶體問(wèn)答

2025-02-01 15:10:14體視顯微鏡下觀察是否是晶體: 體視顯微鏡下觀察是否是晶體體視顯微鏡作為一種高分辨率、三維觀察的顯微儀器，廣泛應(yīng)用于材料科學(xué)、生命科學(xué)等領(lǐng)域。在許多實(shí)驗(yàn)中，研究者需要判斷樣本是否為晶體結(jié)構(gòu)。晶體的特征性規(guī)律性排列為其在顯微鏡下的識(shí)別提供了獨(dú)特的視覺(jué)標(biāo)志。本文將詳細(xì)探討如何使用體視顯微鏡觀察樣本并鑒定其是否為晶體，以及相關(guān)的技術(shù)細(xì)節(jié)和觀察要點(diǎn)。體視顯微鏡的基本原理與應(yīng)用體視顯微鏡，通常也被稱(chēng)為立體顯微鏡，具有較強(qiáng)的深度感和立體視覺(jué)效果。其工作原理通過(guò)兩臺(tái)光學(xué)路徑并行的物鏡系統(tǒng)，利用不同角度的視線從而呈現(xiàn)物體的三維結(jié)構(gòu)。這使得觀察者能夠獲得清晰的物體表面細(xì)節(jié)及其微觀形態(tài)。相比其他類(lèi)型的顯微鏡，體視顯微鏡提供的視野更廣且放大倍數(shù)適中，非常適合于觀察大尺寸樣本或三維結(jié)構(gòu)。晶體的特征與識(shí)別晶體是一種由規(guī)則排列的原子、分子或離子構(gòu)成的固體物質(zhì)，其內(nèi)部分子或原子排列有一定的對(duì)稱(chēng)性和規(guī)律性。這些規(guī)律性往往決定了晶體的形態(tài)特征，包括平面、棱角和對(duì)稱(chēng)性等。在體視顯微鏡下，晶體通常展現(xiàn)出清晰的邊緣，表面平滑，并且具有一定的反射性和光澤。晶體的邊界通常非常銳利，且常常與非晶體物質(zhì)形成明顯的對(duì)比。如何在體視顯微鏡下觀察晶體在使用體視顯微鏡進(jìn)行晶體觀察時(shí)，需要注意幾個(gè)關(guān)鍵因素。調(diào)整適當(dāng)?shù)姆糯蟊稊?shù)，確保觀察到足夠的細(xì)節(jié)。體視顯微鏡一般提供10倍到100倍的放大倍率，這對(duì)于大部分晶體樣本來(lái)說(shuō)是合適的。光源的選擇也至關(guān)重要。高質(zhì)量的照明能夠幫助觀察者更清楚地看到晶體的反射和表面特征。透射光源和反射光源常常需要根據(jù)晶體的光學(xué)特性來(lái)切換，以達(dá)到佳觀察效果。體視顯微鏡觀察晶體的技巧在體視顯微鏡下觀察晶體時(shí)，觀察者應(yīng)保持樣本的穩(wěn)定，避免震動(dòng)影響觀察結(jié)果。晶體樣本通常需要精確的定位，尤其是在識(shí)別晶體面時(shí)。調(diào)節(jié)鏡頭的聚焦，并慢慢調(diào)整至佳視野，有助于清晰地識(shí)別晶體的面向及其排列結(jié)構(gòu)。使用較高的分辨率和對(duì)比度設(shè)置，能夠更好地揭示晶體的獨(dú)特光澤和折射現(xiàn)象，從而增強(qiáng)對(duì)晶體形態(tài)的判斷。結(jié)論通過(guò)體視顯微鏡觀察晶體不僅可以幫助研究人員深入了解材料的微觀結(jié)構(gòu)，還能為晶體學(xué)研究提供關(guān)鍵的視覺(jué)證據(jù)。掌握體視顯微鏡的操作技巧，并結(jié)合適當(dāng)?shù)墓鈱W(xué)參數(shù)調(diào)整，對(duì)于晶體的識(shí)別與分析至關(guān)重要。了解晶體的結(jié)構(gòu)特征，合理利用體視顯微鏡的優(yōu)勢(shì)，是材料科學(xué)、化學(xué)、藥學(xué)等多個(gè)領(lǐng)域研究的基礎(chǔ)。

2025-01-06 18:15:14x射線晶體定向儀維修如何做？: X射線晶體定向儀維修：保障設(shè)備穩(wěn)定運(yùn)行，提升實(shí)驗(yàn)精度 X射線晶體定向儀作為一款用于晶體學(xué)研究的高精度儀器，廣泛應(yīng)用于材料科學(xué)、化學(xué)、物理及生物學(xué)等領(lǐng)域。其功能主要是通過(guò)分析晶體的X射線衍射圖譜，來(lái)確定晶體的結(jié)構(gòu)和各項(xiàng)物理屬性。隨著使用頻率的增加和設(shè)備的老化，X射線晶體定向儀也會(huì)面臨各種故障問(wèn)題，這時(shí)專(zhuān)業(yè)的維修服務(wù)顯得尤為重要。本文將深入探討X射線晶體定向儀維修的重要性、常見(jiàn)故障、維修方法及維護(hù)保養(yǎng)建議，幫助用戶(hù)延長(zhǎng)設(shè)備的使用壽命并確保實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性。 X射線晶體定向儀常見(jiàn)故障及診斷 X射線晶體定向儀作為精密儀器，其維修的復(fù)雜性和專(zhuān)業(yè)性都要求操作人員具備一定的技術(shù)水平。常見(jiàn)的故障類(lèi)型通常包括但不限于以下幾種：設(shè)備無(wú)法啟動(dòng)：可能是電源系統(tǒng)故障或主板問(wèn)題導(dǎo)致電源無(wú)法正常供應(yīng)。 X射線源不穩(wěn)定：如果X射線源的輸出功率不穩(wěn)定，可能會(huì)影響實(shí)驗(yàn)的精度，通常是由于電源模塊老化或X射線管損壞引起。衍射圖譜模糊或無(wú)信號(hào)：這類(lèi)問(wèn)題通常與探測(cè)器的損壞、數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的故障或光學(xué)系統(tǒng)的問(wèn)題有關(guān)。機(jī)械系統(tǒng)問(wèn)題：晶體定向儀的機(jī)械部分，如旋轉(zhuǎn)臺(tái)和樣品架，可能會(huì)因磨損或潤(rùn)滑不當(dāng)而出現(xiàn)問(wèn)題，影響晶體定位精度。針對(duì)這些常見(jiàn)故障，專(zhuān)業(yè)技術(shù)人員可以通過(guò)設(shè)備自檢功能、系統(tǒng)日志分析及手動(dòng)測(cè)試等方法進(jìn)行準(zhǔn)確診斷，為后續(xù)的維修提供依據(jù)。 X射線晶體定向儀維修的方法針對(duì)不同的故障類(lèi)型，維修方法也各有差異。以下是幾種常見(jiàn)的維修手段：電源系統(tǒng)維修：對(duì)于電源系統(tǒng)的故障，首先需要檢查電源輸入和輸出的電壓是否正常，并使用萬(wàn)用表測(cè)量電源模塊的各個(gè)電壓輸出。若發(fā)現(xiàn)電源模塊損壞，需更換相應(yīng)的部件。 X射線源修復(fù)：當(dāng)X射線源輸出功率不穩(wěn)定時(shí)，應(yīng)檢查電源電路、X射線管及相關(guān)連接線。如果問(wèn)題出在X射線管，可能需要進(jìn)行更換。而如果是電源電路的故障，則需進(jìn)行電路板修復(fù)或更換。探測(cè)器維護(hù)與校準(zhǔn)：探測(cè)器的故障可能導(dǎo)致數(shù)據(jù)采集不準(zhǔn)確。定期對(duì)探測(cè)器進(jìn)行校準(zhǔn)、清潔，并檢查光電管或傳感器是否有損壞，是保障其長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行的重要措施。機(jī)械系統(tǒng)調(diào)試：對(duì)于機(jī)械部分的問(wèn)題，首先檢查樣品臺(tái)、旋轉(zhuǎn)平臺(tái)及相關(guān)傳動(dòng)部分是否存在摩擦或堵塞。需要定期對(duì)機(jī)械部件進(jìn)行潤(rùn)滑，并校準(zhǔn)零點(diǎn)位置，以確保精確的晶體定位。 X射線晶體定向儀的日常維護(hù) 除了定期的維修外，日常的維護(hù)保養(yǎng)同樣至關(guān)重要。日常維護(hù)的內(nèi)容主要包括：定期清潔：清潔儀器的外部和內(nèi)部，尤其是光學(xué)鏡頭和X射線源部分，避免灰塵或污垢影響實(shí)驗(yàn)精度。檢查電源和連接線：定期檢查電源連接、線路及接口，避免出現(xiàn)接觸不良或短路現(xiàn)象。環(huán)境控制：X射線晶體定向儀的工作環(huán)境要求嚴(yán)格控制溫度、濕度和灰塵等因素，過(guò)高或過(guò)低的溫度、濕度會(huì)對(duì)設(shè)備性能造成影響。校準(zhǔn)與性能測(cè)試：定期對(duì)儀器進(jìn)行校準(zhǔn)，并進(jìn)行性能測(cè)試，確保儀器的測(cè)量精度和重復(fù)性。結(jié)論 X射線晶體定向儀作為一項(xiàng)高精度的科學(xué)儀器，必須依賴(lài)專(zhuān)業(yè)的維修和日常維護(hù)才能保障其長(zhǎng)期穩(wěn)定性和準(zhǔn)確性。定期檢查和維護(hù)，及時(shí)發(fā)現(xiàn)潛在的故障問(wèn)題，不僅能夠有效延長(zhǎng)設(shè)備使用壽命，還能避免因設(shè)備故障導(dǎo)致實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)不準(zhǔn)確，從而確保研究結(jié)果的可信性。因此，對(duì)于X射線晶體定向儀的維修，用戶(hù)應(yīng)保持高度關(guān)注，并依賴(lài)于專(zhuān)業(yè)技術(shù)團(tuán)隊(duì)提供的維修與維護(hù)服務(wù)，以確保設(shè)備始終處于佳工作狀態(tài)。

2022-11-22 17:23:20金相顯微鏡下的頭孢類(lèi)晶體: 金相顯微鏡下的頭孢類(lèi)晶體網(wǎng)傳頭孢配酒，說(shuō)走就走，頭孢是大家再熟悉不過(guò)的抗生素了，那么，顯微鏡下的頭孢類(lèi)晶體你見(jiàn)過(guò)嗎？此次，廣東用戶(hù)需要一臺(tái)顯微鏡看頭孢系晶體，以用于藥物合成，工程師推薦了金相顯微鏡MJ31，顯微鏡MJ31是一種多用途工業(yè)檢驗(yàn)用光學(xué)儀器，配置長(zhǎng)工作距離平常消色差物鏡、大視野目鏡與偏光觀察裝置，金相顯微鏡MJ31下的頭孢晶體成像清晰。金相顯微鏡MJ31采用LED落射照明裝置，內(nèi)置推拉切換的偏光觀察裝置，起偏器可360°旋轉(zhuǎn)實(shí)現(xiàn)正交偏光。 MJ31上下光源均采用LED照明，功耗低發(fā)熱小，亮度可隨意調(diào)節(jié)而不會(huì)出現(xiàn)發(fā)黃的問(wèn)題，并且壽命可達(dá)上萬(wàn)小時(shí)。金相顯微鏡MJ31三目鏡筒可自由切換目視觀察與顯微拍照，拍照時(shí)可100%通光，適合正交偏光狀態(tài)下晶體等顯微圖像拍攝和測(cè)量，可直接在電腦上成像保存與分析。金相顯微鏡MJ31可用于半導(dǎo)體硅晶片、LCD基板、電路板、固體粉末及其它各種透明或不透明工業(yè)試樣的檢驗(yàn)，是生物學(xué)、金屬學(xué)、礦物學(xué)、電子工程學(xué)等研究的理想儀器.免責(zé)聲明本站無(wú)法鑒別所上傳圖片、字體或文字內(nèi)容的版權(quán)，如無(wú)意中侵犯了哪個(gè)權(quán)利人的知識(shí)產(chǎn)權(quán)，請(qǐng)來(lái)信或來(lái)電告之，本站將立即予以刪除，謝謝。來(lái)源：https://www.mshot.com/article/1582.html

2022-09-19 15:47:06金相顯微鏡用于觀察晶體硅材料: 晶體硅材料是最主要的光伏材料，性質(zhì)為帶有金屬光澤的灰黑色固體、硬度大、有脆性、常溫下化學(xué)性質(zhì)不活潑。它包括單晶硅和多晶硅.硅的單晶體,具有基本完整的點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)的晶體。不同的方向具有不同的性質(zhì)，是一種良好的半導(dǎo)材料。常用于制造半導(dǎo)體器件、太陽(yáng)能電池等。一般需要什么顯微鏡觀察？金相顯微鏡MJ31金相顯微鏡MJ31具有長(zhǎng)工作距離平場(chǎng)物鏡、超大視野目鏡，視場(chǎng)數(shù)可達(dá)到22mm，觀察更加平展舒適主要應(yīng)用于半導(dǎo)體、FPD、電路板、金屬材料、精密刀具等制造領(lǐng)域，適用于教學(xué)及研究方面。如果您對(duì)金相顯微鏡MJ31感興趣或有疑問(wèn)，歡迎與我們聯(lián)系，期待與您相約！來(lái)源：http://www.mshot.com.cn/kehuanli/20220823.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)保留出處，謝謝！

2023-06-26 14:52:50無(wú)損無(wú)接觸定量評(píng)價(jià)！GaN晶體質(zhì)量評(píng)估新思路——ODPL法！: 隨著疫情三年的結(jié)束，大家又開(kāi)始馬不停蹄出差、旅游、返鄉(xiāng)，生活的壓力讓人喘不過(guò)氣。更別提出行的時(shí)候，還需要背一個(gè)很沉的電腦，以及與它適配的、同樣很沉的、形狀不規(guī)律的、看著就很糟心的電源適配器！有沒(méi)有一種東西，能夠讓大家的出行變得更加輕松（物理上）？那必須是現(xiàn)在越來(lái)越流行的氮化鎵（GaN）充電器了！一個(gè)氮化鎵充電器幾乎可以滿(mǎn)足所有出行充電的需求，并且占地空間小，簡(jiǎn)直是出行神器！圖1 氮化鎵（GaN）充電器氮化鎵是一種無(wú)機(jī)物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體材料。GaN材料具有寬禁帶、高臨界電場(chǎng)強(qiáng)度和高電子飽和速度等特點(diǎn)，其器件耐高溫、耐高壓、高頻和低損耗，大大提升電力器件集成度，簡(jiǎn)化了電路設(shè)計(jì)和散熱支持，具有重要的價(jià)值和廣泛的應(yīng)用，是現(xiàn)在最火熱的第三代半導(dǎo)體材料，沒(méi)有之一。GaN的應(yīng)用不止在流行的充電器上，早在2014年日本科學(xué)家天野浩就憑借基于GaN材料的藍(lán)光LED獲得了諾貝爾獎(jiǎng)。不過(guò)GaN就沒(méi)有缺點(diǎn)了嗎？或者說(shuō)GaN沒(méi)有改善的地方了嗎？并不是， GaN技術(shù)的難點(diǎn)在于晶圓制備工藝。由于制備GaN的單晶材料無(wú)法從自然界中直接獲取，所以GaN的主要制備方法是在藍(lán)寶石、碳化硅、硅等異質(zhì)襯底上進(jìn)行外延。而現(xiàn)在由異質(zhì)外延生長(zhǎng)的GaN普遍存在大量缺陷的問(wèn)題。缺陷的存在勢(shì)必會(huì)影響到晶體的質(zhì)量，從而影響到材料和器件的電學(xué)性能，最終影響到未來(lái)半導(dǎo)體科技的快速發(fā)展。因此，降低GaN晶體里面的缺陷量，提高晶體質(zhì)量，是當(dāng)前第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域研究很重要的一個(gè)課題。GaN晶體質(zhì)量/缺陷評(píng)估的方法GaN晶體里面的雜質(zhì)、缺陷是非常錯(cuò)綜復(fù)雜的，無(wú)法單純通過(guò)某一項(xiàng)缺陷濃度或者雜質(zhì)含量來(lái)定量描述GaN晶體是否是高質(zhì)量，因此現(xiàn)在評(píng)價(jià)GaN晶體質(zhì)量的手段比較有限。根據(jù)現(xiàn)有的報(bào)道，大致有以下幾種：多光子激發(fā)光致發(fā)光法（Multiphoton-excitation photoluminescence method，簡(jiǎn)稱(chēng)MPPL）、蝕坑觀察法（Etch pit method）以及二次離子質(zhì)譜（Secondary-ion mass spectrometry，簡(jiǎn)稱(chēng)SIMS)。MPPL法多光子激發(fā)光致發(fā)光法采用長(zhǎng)波長(zhǎng)激發(fā)，遠(yuǎn)大于帶邊熒光波長(zhǎng)。激發(fā)過(guò)程需要同時(shí)吸收二個(gè)或者多個(gè)光子。通過(guò)吸收多個(gè)脈沖光子，在導(dǎo)帶和價(jià)帶形成電子空穴對(duì)，隨后非輻射馳豫到導(dǎo)帶底和價(jià)帶頂,最后產(chǎn)生帶邊發(fā)光和缺陷發(fā)光。通過(guò)濾波片獲得帶邊和缺陷發(fā)光光譜和光強(qiáng)，改變?nèi)肷涔獍叩奈恢?，從而得到樣品的熒光信?hào)三維分布，即三維成像。多光子熒光三維成像技術(shù)可以識(shí)別和區(qū)分不同類(lèi)型的位錯(cuò)，但是無(wú)法定量評(píng)估GaN的晶體質(zhì)量，而且多光子激發(fā)的系統(tǒng)造價(jià)高。圖2 (a) Optical microscope image of etch pits. (b) 42 × 42 μm2 2D MPPL image taken at a depth of 22 μm. (c) 42 × 42 × 42 μm3 3D MPPL image, shown with contrast inverted參考文獻(xiàn)：Identification of Burgers vectors of threading dislocations in free-standing GaN substrates via multiphoton-excitation photoluminescence mapping' by Mayuko Tsukakoshi et al; Applied Physics Express, Volume 14, Number 5 (2021)蝕坑觀察法蝕坑觀察法通過(guò)適當(dāng)?shù)那治g可以看到位錯(cuò)的表面露頭，產(chǎn)生比較深的腐蝕坑，借助顯微鏡可以觀察晶體中的位錯(cuò)多少及其分布。該方法只適合于位錯(cuò)密度低的晶體，如果位錯(cuò)密度高，蝕坑互相重疊，就很難將它們區(qū)分。并且該方法是對(duì)晶體有損傷的，做不到無(wú)損無(wú)接觸。圖3 蝕坑觀察法SIMS技術(shù)SIMS是利用質(zhì)譜法分辨一次離子入射到測(cè)試樣品表面濺射生成的二次離子而得到材料表面元素含量及分布的一種方法。SIMS可以進(jìn)行包括氫在內(nèi)的全元素分析，并分辨出同位素、化合物組分和部分分子結(jié)構(gòu)的信息。二次離子質(zhì)譜儀具有ppm量級(jí)的靈敏度，最高甚至達(dá)到ppb的量級(jí)，還具有進(jìn)行微區(qū)成分成像和深度剖析的功能。但是SIMS對(duì)晶體有損傷，無(wú)法做到無(wú)損。圖4 SIMS技術(shù)以上三種技術(shù)均是評(píng)估GaN晶體缺陷的方法，但是每一種都有其缺憾的地方，它們無(wú)法做到定量的去評(píng)價(jià)GaN晶體的質(zhì)量，而且具有破壞性。為了更好地定量評(píng)估GaN晶體質(zhì)量，濱松公司和日本Tohoku University的Kazunobu Kojima教授以及Shigefusa Chichibu教授從2016年開(kāi)始合作研發(fā)了一套基于積分球的全向光致發(fā)光系統(tǒng)（Omnidirectional Photoluminescence，以下簡(jiǎn)稱(chēng)ODPL），該系統(tǒng)是第一個(gè)無(wú)損無(wú)接觸定量去評(píng)價(jià)GaN晶體質(zhì)量的方法/系統(tǒng)。ODPL系統(tǒng)ODPL系統(tǒng)是首個(gè)無(wú)接觸無(wú)損評(píng)價(jià)半導(dǎo)體材料晶體質(zhì)量的方法，通過(guò)積分球法測(cè)量半導(dǎo)體材料、鈣鈦礦材料的內(nèi)量子效率。該產(chǎn)品可以直接測(cè)量材料 IQE，具有制冷型背照式 CCD 高靈敏度以及高信噪比。圖5 ODPL測(cè)量方法示意圖傳統(tǒng)光致發(fā)光的量子效率測(cè)量指的是晶體的PLQY，即光致發(fā)光量子效率，其定義為：PLQY = 樣品發(fā)射的光子數(shù)/樣品吸收的光子數(shù)圖6 GaN樣品在積分球下的發(fā)射光譜PLQY是表征晶體發(fā)光效率最常見(jiàn)的參數(shù)之一，對(duì)于絕大多數(shù)的發(fā)光材料，PLQY都是黃金標(biāo)準(zhǔn)。但是對(duì)于GaN晶體，PLQY的表征顯得不足。上圖可見(jiàn)，GaN的光致發(fā)射光譜呈雙峰形狀，這是由于GaN晶體中的缺陷等，會(huì)將GaN本身發(fā)射的PL再次吸收然后發(fā)射（光子回收Photon Recycling現(xiàn)象）。圖7 ( a ) PL and ODPL spectra of the HVPE / AT - GaN crystal and ( b ) detectable light - travelling passes considered in the simulation of light extraction :(1) direct escaping from the surface :( ii ) scattered at the bottom and escaping from the surface : and ( ii ) direct eseaping from the edge .( c ) Refractive index and absorption spectra of HVPE / AT - GaN .因?yàn)榇嬖赑hoton Recycling的現(xiàn)象，GaN的PLQY不足以表征其發(fā)光轉(zhuǎn)化效率，而真正可以表征GaN晶體發(fā)光轉(zhuǎn)化效率的定義是其真正的內(nèi)量子效率：IQE = 樣品產(chǎn)生的光子數(shù)/樣品吸收的光子數(shù)圖8 GaN樣品的標(biāo)準(zhǔn)發(fā)射光譜IQE是GaN晶體的PLQY考慮LEE和光子回收現(xiàn)象以后的參數(shù)，更能直觀、定量反映GaN晶體的質(zhì)量。圖9 高IQE和低IQE晶體的對(duì)比高IQE的GaN晶體通常表現(xiàn)為：高載流子濃度、低穿透位錯(cuò)密度、低雜質(zhì)濃度、低點(diǎn)缺陷濃度、高激發(fā)功率密度。圖10 不同穿透位錯(cuò)密度晶體的IQE結(jié)果對(duì)比免費(fèi)樣機(jī)預(yù)約ODPL現(xiàn)在ODPL樣機(jī)開(kāi)放免費(fèi)預(yù)約試用活動(dòng)，有意向的客戶(hù)請(qǐng)?jiān)谠u(píng)論區(qū)留言“樣機(jī)試用”小編看到之后會(huì)第一時(shí)間與您聯(lián)系，樣機(jī)數(shù)量有限，先到先得喲~圖11 ODPL樣機(jī)展示以上有關(guān)新品的信息已經(jīng)全部介紹完畢了，如有任何疑問(wèn)，歡迎在評(píng)論區(qū)留言喲。