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2025-01-21 09:36:02離子束濺射沉積系統(tǒng): 離子束濺射沉積系統(tǒng)是利用離子束轟擊靶材，濺射出原子或分子，在基片上沉積形成薄膜的設(shè)備。具有高純度、高密度、良好附著性等優(yōu)點(diǎn)。廣泛應(yīng)用于制備光學(xué)薄膜、電子薄膜、硬質(zhì)涂層等功能薄膜。對(duì)材料科學(xué)、光學(xué)、電子等領(lǐng)域的技術(shù)進(jìn)步和產(chǎn)品創(chuàng)新具有重要意義。

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離子束濺射沉積系統(tǒng)資訊

物理研究所懷柔研究部采購(gòu)離子束濺射沉積系統(tǒng)(50-100萬(wàn))征求意見

中科院物理研究所懷柔研究部離子束濺射沉積系統(tǒng)采購(gòu)項(xiàng)目，采購(gòu)預(yù)算人民幣93萬(wàn)元。

1504
2021-12-12
離子束濺射沉積系統(tǒng)

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離子束濺射沉積系統(tǒng)問答

2023-07-29 15:21:33小型濺射儀問題解答: 小型濺射儀儀問儀答最近小伙伴對(duì)于濺射儀使用和技術(shù)參數(shù)問的問題比較多，今天總結(jié)一下濺射儀的一些常見的技術(shù)問題：1、膜厚檢測(cè)儀原理：膜厚監(jiān)測(cè)儀是采用石英晶體振蕩原理，利用頻率測(cè)量技術(shù)加上先進(jìn)的數(shù)學(xué)算法，進(jìn)行膜厚的在線鍍膜速率和實(shí)時(shí)厚度計(jì)算。主要應(yīng)用于MBE、OLED或金屬熱蒸發(fā)、磁控濺射設(shè)備的薄膜制備過程中，對(duì)膜層厚度及鍍膜速率進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)。2、濺射儀是否可以鍍鎳：可以鍍鎳但是鎳是導(dǎo)磁金屬所以需要靶材盡量薄 0.5mm-1mm 太厚磁場(chǎng)無法穿透濺射速率很低。3、直流濺射鍍膜調(diào)節(jié)：1 靶材需要良好的導(dǎo)電性, 如果具備這個(gè)條件可以鍍 2 遇到容易氧化的金屬需要配備分子泵把本底真空抽到1E-3Pa 放氬氣維持真空到1Pa左右鍍膜的金屬接近本色。鄭科探小型濺射儀KT-Z1650PVD以上是小伙伴近期問的比較多的問題，如果還有什么問題歡迎咨詢。

2023-08-22 15:39:43小型金屬濺射鍍膜機(jī)優(yōu)點(diǎn): 鄭科探小型濺射儀功能優(yōu)勢(shì)1、樣品臺(tái)旋轉(zhuǎn)，多樣品同時(shí)鍍膜時(shí)，鍍膜厚度比較均勻。2、預(yù)濺射擋板功能，剛開始鍍膜的時(shí)候腔室里會(huì)有些雜質(zhì)，擋板可以保護(hù)樣品，提高薄膜質(zhì)量3、帶有水冷系統(tǒng)，可以長(zhǎng)時(shí)間濺射鍍膜，厚度可達(dá)1微米以上。4、直流磁控濺射，提高附著力，濺射速率快，比離子濺射快上一個(gè)量級(jí)。針對(duì)某些金屬最快能達(dá)到1-2納米每秒，5、不但可以電鏡制樣，還可以制作金屬電極。6、可擴(kuò)展膜厚監(jiān)測(cè)，監(jiān)測(cè)薄膜厚度。濺射儀使用需注1 靶材需要良好的導(dǎo)電性, 如果具備這個(gè)條件可以鍍 2 遇到容易氧化的金屬需要配備分子泵把本底真空抽到1E-3Pa 放氬氣維持真空到1Pa左右鍍膜的金屬接近本色

2023-04-18 10:41:21小型濺射儀問題解答: 最近小伙伴對(duì)于濺射儀使用和技術(shù)參數(shù)問的問題比較多，今天總結(jié)一下濺射儀的一些常見的技術(shù)問題：1、膜厚檢測(cè)儀原理：膜厚監(jiān)測(cè)儀是采用石英晶體振蕩原理，利用頻率測(cè)量技術(shù)加上先進(jìn)的數(shù)學(xué)算法，進(jìn)行膜厚的在線鍍膜速率和實(shí)時(shí)厚度計(jì)算。主要應(yīng)用于MBE、OLED或金屬熱蒸發(fā)、磁控濺射設(shè)備的薄膜制備過程中，對(duì)膜層厚度及鍍膜速率進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)。2、濺射儀是否可以鍍鎳：可以鍍鎳但是鎳是導(dǎo)磁金屬所以需要靶材盡量薄 0.5mm-1mm 太厚磁場(chǎng)無法穿透濺射速率很低。3、直流濺射鍍膜調(diào)節(jié)：1 靶材需要良好的導(dǎo)電性, 如果具備這個(gè)條件可以鍍 2 遇到容易氧化的金屬需要配備分子泵把本底真空抽到1E-3Pa 放氬氣維持真空到1Pa左右鍍膜的金屬接近本色。鄭科探小型濺射儀KT-Z1650PVD以上是小伙伴近期問的比較多的問題，如果還有什么問題歡迎咨詢。

2022-11-25 16:10:30離子束刻蝕（IBE）技術(shù)研究: 離子束刻蝕（IBE）技術(shù)研究 1.離子束刻蝕（IBE）技術(shù)的原理？離子束刻蝕（IBE，Ion Beam Etching）也稱為離子銑（IBM，Ion Beam Milling），也有人稱之為離子濺射刻蝕，是利用輝光放電原理將氬氣分解為氬離子，氬離子經(jīng)過陽(yáng)極電場(chǎng)的加速對(duì)樣品表面進(jìn)行物理轟擊，以達(dá)到刻蝕的作用?？涛g過程即把Ar氣充入離子源放電室并使其電離形成等離子體，然后由柵極將離子呈束狀引出并加速，具有一定能量的離子束進(jìn)入工作室，射向固體表面轟擊固體表面原子，使材料原子發(fā)生濺射，達(dá)到刻蝕目的，屬純物理刻蝕。工件表面有制備溝槽的掩膜，最后裸露的部分就會(huì)被刻蝕掉，而掩膜部分則被保留，形成所需要的溝槽圖形。離子束刻蝕使高方向性的中性離子束能夠控制側(cè)壁輪廓，優(yōu)化納米圖案化過程中的徑向均勻性和結(jié)構(gòu)形貌。另外傾斜結(jié)構(gòu)可以通過傾斜樣品以改變離子束的撞擊方向這一獨(dú)特能力來實(shí)現(xiàn)。在離子束刻蝕過程中，通常情況下，樣品表面采用厚膠作為掩模層，刻蝕期間富有能量的離子流會(huì)使得基片和光刻膠過熱。為了便于后面光刻膠的剝離清洗，一般需要對(duì)樣品臺(tái)進(jìn)行冷卻處理，使整個(gè)刻蝕過程中溫度控制在一個(gè)比較好的范圍。圖1 離子束刻蝕設(shè)備結(jié)構(gòu)圖圖2 離子束刻蝕工藝原理圖 2.離子束刻蝕（IBE）適合的材料體系？可用于刻蝕加工各種金屬（Ni、Cu、Au、Al、Pb、Pt、Ti等）及其合金，以及非金屬、氧化物、氮化物、碳化物、半導(dǎo)體、聚合物、陶瓷、紅外和超導(dǎo)等材料。目前離子束刻蝕在非硅材料方面優(yōu)勢(shì)明顯，在聲表面波、薄膜壓力傳感器、紅外傳感器等方面具有廣泛的用途。 3. 離子束刻蝕（IBE）技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)？a 優(yōu)點(diǎn)：（1）方向性好、無鉆蝕、陡直度高；（2）刻蝕速率可控性好，圖形分辨率高，可達(dá)0.01um；（3）屬于物理刻蝕，可以刻蝕各種材料（Si、SiO2、GaAs、Ag、Au、光刻膠等）；（4）刻蝕過程中可改變離子束入射角來控制圖形輪廓，加工特殊的結(jié)構(gòu)；b 缺點(diǎn)：（1）刻蝕速率慢、效率比ICP更低；（2）難以完成晶片的深刻蝕；（3）屬于物理刻蝕，常常會(huì)有過刻的現(xiàn)象。 4.反應(yīng)離子束刻蝕（RIBE）技術(shù)簡(jiǎn)介及優(yōu)點(diǎn)？反應(yīng)離子束刻蝕（RIBE）是在離子束刻蝕的基礎(chǔ)上，增加了腐蝕性氣體，因此它不但保留了離子束物理刻蝕能力，還增加了腐蝕性氣體（氟基氣體、O2）離化后對(duì)樣品的化學(xué)反應(yīng)能力（反應(yīng)離子束刻蝕：RIBE），也支持腐蝕性氣體非離化態(tài)的化學(xué)輔助刻蝕能力（化學(xué)輔助離子束刻蝕：CAIBE），對(duì)適用于化學(xué)輔助的材料可以大幅度提升刻蝕速率，提高刻蝕質(zhì)量。 5. 離子束刻蝕（IBE）的案例展示典型應(yīng)用：1、三族和四族光學(xué)零件2、激光光柵3、高深寬比的光子晶體刻蝕4、在二氧化硅、硅和金屬上深溝刻蝕5、微流體傳感器電極6、測(cè)熱式微流體傳感器

2021-03-18 15:46:05KRI射頻離子源RFICP380濺射沉積NSN70隔熱膜: 某機(jī)構(gòu)采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380 輔助磁控濺射在柔性基材表面沉積多層 NSN70 隔熱膜, 制備出的 NSN70 隔熱膜具有陽(yáng)光控制功能, 很好的解決了普通窗簾或百葉窗隔熱效果不明顯的問題. KRI 射頻離子源 RFICP380 技術(shù)參數(shù):射頻離子源型號(hào)RFICP380Discharge 陽(yáng)極射頻 RFICP離子束流>1500 mA離子動(dòng)能100-1200 V柵極直徑30 cm Φ離子束聚焦, 平行, 散射流量15-50 sccm通氣Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型壓力< 0.5m Torr長(zhǎng)度39 cm直徑59 cm中和器LFN 2000 在柔性基材 PET 上沉積 AgCu 合金制備的 NSN 系列隔熱膜, 繼承了單 Ag 隔熱膜良好的光譜選擇性, 同時(shí)能有效的解決 Ag 易硫化的難題, 還具有抗氧化功能, 以防止隔熱膜長(zhǎng)期放置透射率指標(biāo)變化過大. NSN70 隔熱膜是沉積 AgCu 合金的金屬膜系結(jié)構(gòu)產(chǎn)品, 它生產(chǎn)效率高、隔熱性好. KRI 離子源的獨(dú)特功能實(shí)現(xiàn)了更好的性能, 增強(qiáng)的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經(jīng)獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術(shù)的情況下是無法實(shí)現(xiàn)的.