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2025-01-10 17:05:18無損分析技術(shù)
無損分析技術(shù)是一種在不破壞或改變樣品原有狀態(tài)的前提下,對(duì)其內(nèi)部成分、結(jié)構(gòu)或性能進(jìn)行分析的技術(shù)。它廣泛應(yīng)用于材料科學(xué)、考古學(xué)、藝術(shù)品鑒定、航空航天等領(lǐng)域。常見的無損分析技術(shù)包括X射線衍射(XRD)、X射線熒光光譜(XRF)、中子活化分析、紅外光譜等。這些技術(shù)能夠提供樣品的化學(xué)成分、晶體結(jié)構(gòu)、元素分布等關(guān)鍵信息,且不會(huì)對(duì)樣品造成損害,具有非破壞性、高效性和準(zhǔn)確性等優(yōu)點(diǎn)。

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2023-02-02 15:00:12溫濕度試驗(yàn)箱制冷循環(huán)終端技術(shù)簡(jiǎn)要分析
對(duì)于- 40°C型號(hào)能夠選用單極·致冷循環(huán)系統(tǒng),,還可以選用復(fù)疊式致冷呼吸系統(tǒng),但單極·致冷循環(huán)系統(tǒng)是靠調(diào)小制冷壓縮機(jī)的空調(diào)膨脹閥打開度,減少冷媒總流量制人數(shù)來降低揮發(fā)工作壓力(約0.7個(gè)大氣壓力),進(jìn)而得到更低的揮發(fā)溫度的,那樣的設(shè)計(jì)構(gòu)思要以系統(tǒng)軟件的空調(diào)制冷量來超過的(空調(diào)制冷約只能規(guī)范的0.7~0.8),造成致冷高效率低并增加了制冷壓縮機(jī)的負(fù)荷,并且易造成制冷壓縮機(jī)電磁線圈超溫,影響了制冷壓縮機(jī)的使用壽命。冷藏控制系統(tǒng)設(shè)計(jì):獲得-20°C下列的超低溫時(shí)均選用復(fù)疊式致冷呼吸系統(tǒng)。為皓天環(huán)境試驗(yàn)箱獲得超低溫而選用二級(jí)縮小復(fù)疊致冷循環(huán)系統(tǒng)的緣故:(1)單極縮小蒸汽致冷循環(huán)系統(tǒng)壓比的限定單極蒸汽縮小式制冷機(jī)組的最之低揮發(fā)溫度,關(guān)鍵在于它的冷疑工作壓力及壓縮比冷媒的冷疑工作壓力由冷媒的類型和自然環(huán)境物質(zhì)(如氣體或水)的溫度決策,在一般來說,它處在0.7~1.8Mpa范圍之內(nèi)壓縮比與冷疑工作壓力和揮發(fā)工作壓力相關(guān),當(dāng)冷疑工作壓力必須時(shí),隨之揮發(fā)溫度的減少,揮發(fā)工作壓力也相對(duì)降低,因此使壓縮比升高,它將造成制冷壓縮機(jī)排氣管溫度的上升,潤滑脂變稀,使?jié)櫥瘶?biāo)準(zhǔn)化壞,比較嚴(yán)重時(shí)乃至?xí)霈F(xiàn)結(jié)炭和拉缸狀況;與此同時(shí),壓縮比的擴(kuò)大將造成制冷壓縮機(jī)的輸氣指數(shù)減少,空調(diào)制冷量降低,具體縮小全過程偏移等熵全過程越來越遠(yuǎn)制冷壓縮機(jī)功率提升,致冷指數(shù)降低合理性減少將出現(xiàn)下列某些危害。a.一切冷媒,揮發(fā)溫度越低,則揮發(fā)工作壓力也越多低過低的揮發(fā)工作壓力,有時(shí)候?qū)?huì)導(dǎo)致制冷壓縮機(jī)無法呼吸,或是使外部的氣體進(jìn)到制冷機(jī)組。b.當(dāng)揮發(fā)溫度過低時(shí),一些常見冷媒已達(dá)凝結(jié)溫度,沒法保持冷媒的流動(dòng)性,循環(huán)系統(tǒng)。c.揮發(fā)工作壓力減少,冷媒的比體積擴(kuò)大冷媒的質(zhì)量流量降低空調(diào)制冷量大大的降低以便得到需要空調(diào)制冷量務(wù)必?cái)U(kuò)大呼吸容量,使制冷壓縮機(jī)容積過度巨大。(2)冷媒熱物理學(xué)特點(diǎn)的限定。如今溫濕度試驗(yàn)箱中單極·致冷循環(huán)系統(tǒng)大部分選用的中溫冷媒是R404A,在一個(gè)大氣壓下其揮發(fā)溫度是46.59C(R22/-40.7°C),但蒸發(fā)冷卻式冷卻器熱傳導(dǎo)溫度差一般取10°C上下(在強(qiáng)制性排風(fēng)熱管散熱循環(huán)系統(tǒng)下空調(diào)蒸發(fā)器和內(nèi)箱的溫度差),就是箱里只有制得-36.5°C的超低溫?;蛟S,根據(jù)降低制冷壓縮機(jī)的揮發(fā)工作壓力,能夠?qū)404A冷媒的最之低揮發(fā)溫度減少到-50°C;因此要獲得- 50°C及下列的超低溫時(shí)務(wù)必選用中溫冷媒與超低溫冷媒復(fù)疊式的致冷循環(huán)系統(tǒng),制得-50°C ~ -80°C的超低溫,超低溫冷媒通常采用R23它在一個(gè)大氣壓下的揮發(fā)溫度是-81.7°C。(3)制冷壓縮機(jī)電磁線圈熱管散熱的限定單極制冷壓縮機(jī)工作中時(shí),在做-35°C上下,由于制冷壓縮機(jī)的電磁線圈是旋空在制冷壓縮機(jī)正中間的,這就造成1個(gè)難題。-35°C時(shí),制冷壓縮機(jī)的底壓是為負(fù)標(biāo)值,也就是說造成了1個(gè)真空值,那樣電磁線圈的頂部發(fā)熱量就沒有方法消散,那樣就制冷壓縮機(jī)表層是非常涼,但是事實(shí)上內(nèi)部,他的溫度是很高的(由于真空泵是最之好的隔熱保溫物質(zhì))!在掌握完為皓天環(huán)境試驗(yàn)箱的致冷循環(huán)系統(tǒng)技術(shù)性以后,在接下去,東莞皓天設(shè)備將會(huì)就高溫試驗(yàn)箱、熱冷沖擊性環(huán)境試驗(yàn)箱等環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備的有關(guān)技術(shù)性逐一開展新研發(fā),讓顧客朋友們把握各類技術(shù)性步聚,為更強(qiáng)的搞好各類試驗(yàn)服務(wù)項(xiàng)目。
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2022-06-22 14:24:28eor 強(qiáng)化采油核磁共振分析技術(shù)
eor 強(qiáng)化采油核磁共振分析技術(shù)油井開發(fā)的三個(gè)階段一次采油- 在一次采油中,由于原油中存在氣體產(chǎn)生的壓力,原油被強(qiáng)制排出。二次采油- 在二次采油過程中,儲(chǔ)層會(huì)受到注水或注氣壓力的影響,以保持繼續(xù)將原油輸送到地面。三次采油- 也稱之為提高采收率(EOR),引入降低粘度和改善流動(dòng)性的流體。這些流體由能夠和油、蒸汽、空氣或氧氣、聚合物溶液、凝膠、表面活性劑聚合物制劑、堿性表面活性劑聚合物制劑或微生物制劑等混溶的氣體組成。eor 強(qiáng)化采油采油過程中向地層中注入流體、能量,以提高產(chǎn)量或采收率為目的的開采方法常被稱為“強(qiáng)化采油”即“EOR”。常規(guī)EOR采油方法包括水驅(qū)、化學(xué)驅(qū)、氣驅(qū)、熱力采油等,引導(dǎo)CO2作為注氣驅(qū)油蕞常用的氣體之一,由于超臨界CO2提高采收率方面優(yōu)異的表現(xiàn),以及可以同時(shí)完成碳的捕集和封存,受到廣泛的關(guān)注和探究。eor 強(qiáng)化采油核磁共振分析技術(shù)基本原理:核磁共振弛豫按照質(zhì)子系統(tǒng)進(jìn)發(fā)方向分為橫向弛豫和縱向弛豫。核磁共振弛豫與物質(zhì)分子的結(jié)構(gòu)和動(dòng)態(tài)過程及所處的環(huán)境密切相關(guān)。由于縱向弛豫在實(shí)際測(cè)試中測(cè)量的時(shí)間較長且測(cè)點(diǎn)數(shù)較少,一般是通過測(cè)試橫向弛豫曲線(T2譜)來分析巖心樣品的物性。核磁共振測(cè)試(NMR)直觀的探究油相在孔隙中的分布和流動(dòng)狀態(tài)。配合多場(chǎng)耦合配件,實(shí)現(xiàn)壓力、溫度對(duì)二氧化碳的相態(tài)有明顯的控制作用。當(dāng)壞境處于臨界溫度及臨界壓力時(shí),CO2會(huì)以超臨界態(tài)的形式存在,他既有氣態(tài)性質(zhì),又有液態(tài)性質(zhì),能夠快速溶解孔隙的有機(jī)物,而核磁無法檢測(cè)到不含H的超臨界CO2氣體,有效評(píng)價(jià)儲(chǔ)層采收率的提高效果,定量研究油氣開采過程。
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2021-07-20 17:14:48EDX9000A 無損測(cè)定無損測(cè)定 Ni-Mn-Co 催化
EDXRF 能量色散熒光光譜儀 EDX9000A 無損測(cè)定 Ni-Mn-Co 催化劑合金成分使用一系列已知Ni、Mn、Co含量的催化劑合金片標(biāo)準(zhǔn)樣品,在能量色散X射線熒光光譜儀EDX9000A上直接測(cè)量Ni-Mn-Co的特征X射線強(qiáng)度,并比較含量Ni、Mn 和 Co 及其特征 X 射線強(qiáng)度擬合并建立工作曲線。測(cè)量未知樣品時(shí),利用測(cè)得的 Ni、Mn 和 Co 的特征 X 射線強(qiáng)度,通過工作曲線獲得 Ni、Mn 和 Co 的含量。采用EDXRF法測(cè)定Ni-Mn-Co催化劑合金中Ni、Mn、Co的含量范圍分別為65%~88%、10%~35%、1%~10%,測(cè)定Ni、Mn、Co(n=6)精度分別為0.3%、1%、4%
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2023-06-26 14:52:50無損無接觸定量評(píng)價(jià)!GaN晶體質(zhì)量評(píng)估新思路——ODPL法!
隨著疫情三年的結(jié)束,大家又開始馬不停蹄出差、旅游、返鄉(xiāng),生活的壓力讓人喘不過氣。更別提出行的時(shí)候,還需要背一個(gè)很沉的電腦,以及與它適配的、同樣很沉的、形狀不規(guī)律的、看著就很糟心的電源適配器!有沒有一種東西,能夠讓大家的出行變得更加輕松(物理上)?那必須是現(xiàn)在越來越流行的氮化鎵(GaN)充電器了!一個(gè)氮化鎵充電器幾乎可以滿足所有出行充電的需求,并且占地空間小,簡(jiǎn)直是出行神器!圖1 氮化鎵(GaN)充電器氮化鎵是一種無機(jī)物,化學(xué)式GaN,是氮和鎵的化合物,一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體材料。GaN材料具有寬禁帶、高臨界電場(chǎng)強(qiáng)度和高電子飽和速度等特點(diǎn),其器件耐高溫、耐高壓、高頻和低損耗,大大提升電力器件集成度,簡(jiǎn)化了電路設(shè)計(jì)和散熱支持,具有重要的價(jià)值和廣泛的應(yīng)用,是現(xiàn)在最 火熱的第三代半導(dǎo)體材料,沒有之一。GaN的應(yīng)用不止在流行的充電器上,早在2014年日本科學(xué)家天野浩就憑借基于GaN材料的藍(lán)光LED獲得了諾貝爾獎(jiǎng)。不過GaN就沒有缺點(diǎn)了嗎?或者說GaN沒有改善的地方了嗎?并不是, GaN技術(shù)的難點(diǎn)在于晶圓制備工藝。由于制備GaN的單晶材料無法從自然界中直接獲取,所以GaN的主要制備方法是在藍(lán)寶石、碳化硅、硅等異質(zhì)襯底上進(jìn)行外延。而現(xiàn)在由異質(zhì)外延生長的GaN普遍存在大量缺陷的問題。缺陷的存在勢(shì)必會(huì)影響到晶體的質(zhì)量,從而影響到材料和器件的電學(xué)性能,最 終影響到未來半導(dǎo)體科技的快速發(fā)展。因此,降低GaN晶體里面的缺陷量,提高晶體質(zhì)量,是當(dāng)前第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域研究很重要的一個(gè)課題。GaN晶體質(zhì)量/缺陷評(píng)估的方法GaN晶體里面的雜質(zhì)、缺陷是非常錯(cuò)綜復(fù)雜的,無法單純通過某一項(xiàng)缺陷濃度或者雜質(zhì)含量來定量描述GaN晶體是否是高質(zhì)量,因此現(xiàn)在評(píng)價(jià)GaN晶體質(zhì)量的手段比較有限。根據(jù)現(xiàn)有的報(bào)道,大致有以下幾種:多光子激發(fā)光致發(fā)光法(Multiphoton-excitation photoluminescence method,簡(jiǎn)稱MPPL)、蝕坑觀察法(Etch pit method)以及二次離子質(zhì)譜(Secondary-ion mass spectrometry,簡(jiǎn)稱SIMS)。MPPL法多光子激發(fā)光致發(fā)光法采用長波長激發(fā),遠(yuǎn)大于帶邊熒光波長。激發(fā)過程需要同時(shí)吸收二個(gè)或者多個(gè)光子。通過吸收多個(gè)脈沖光子,在導(dǎo)帶和價(jià)帶形成電子空穴對(duì),隨后非輻射馳豫到導(dǎo)帶底和價(jià)帶頂,最 后產(chǎn)生帶邊發(fā)光和缺陷發(fā)光。通過濾波片獲得帶邊和缺陷發(fā)光光譜和光強(qiáng),改變?nèi)肷涔獍叩奈恢?,從而得到樣品的熒光信?hào)三維分布,即三維成像。多光子熒光三維成像技術(shù)可以識(shí)別和區(qū)分不同類型的位錯(cuò),但是無法定量評(píng)估GaN的晶體質(zhì)量,而且多光子激發(fā)的系統(tǒng)造價(jià)高。圖2 (a) Optical microscope image of etch pits. (b) 42 × 42 μm2 2D MPPL image taken at a depth of 22 μm. (c) 42 × 42 × 42 μm3 3D MPPL image, shown with contrast inverted參考文獻(xiàn):Identification of Burgers vectors of threading dislocations in free-standing GaN substrates via multiphoton-excitation photoluminescence mapping' by Mayuko Tsukakoshi et al; Applied Physics Express, Volume 14, Number 5 (2021)蝕坑觀察法蝕坑觀察法通過適當(dāng)?shù)那治g可以看到位錯(cuò)的表面露頭,產(chǎn)生比較深的腐蝕坑,借助顯微鏡可以觀察晶體中的位錯(cuò)多少及其分布。該方法只適合于位錯(cuò)密度低的晶體,如果位錯(cuò)密度高,蝕坑互相重疊,就很難將它們區(qū)分。并且該方法是對(duì)晶體有損傷的,做不到無損無接觸。圖3 蝕坑觀察法SIMS技術(shù)SIMS是利用質(zhì)譜法分辨一次離子入射到測(cè)試樣品表面濺射生成的二次離子而得到材料表面元素含量及分布的一種方法。SIMS可以進(jìn)行包括氫在內(nèi)的全元素分析,并分辨出同位素、化合物組分和部分分子結(jié)構(gòu)的信息。二次離子質(zhì)譜儀具有ppm量級(jí)的靈敏度,最 高甚至達(dá)到ppb的量級(jí),還具有進(jìn)行微區(qū)成分成像和深度剖析的功能。但是SIMS對(duì)晶體有損傷,無法做到無損。圖4 SIMS技術(shù)以上三種技術(shù)均是評(píng)估GaN晶體缺陷的方法,但是每一種都有其缺憾的地方,它們無法做到定量的去評(píng)價(jià)GaN晶體的質(zhì)量,而且具有破壞性。為了更好地定量評(píng)估GaN晶體質(zhì)量,濱松公司和日本Tohoku University的Kazunobu Kojima教授以及Shigefusa Chichibu教授從2016年開始合作研發(fā)了一套基于積分球的全向光致發(fā)光系統(tǒng)(Omnidirectional Photoluminescence,以下簡(jiǎn)稱ODPL),該系統(tǒng)是第 一個(gè)無損無接觸定量去評(píng)價(jià)GaN晶體質(zhì)量的方法/系統(tǒng)。ODPL系統(tǒng)ODPL系統(tǒng)是首 個(gè)無接觸無損評(píng)價(jià)半導(dǎo)體材料晶體質(zhì)量的方法,通過積分球法測(cè)量半導(dǎo)體材料、鈣鈦礦材料的內(nèi)量子效率。該產(chǎn)品可以直接測(cè)量材料 IQE,具有制冷型背照式 CCD 高靈敏度以及高信噪比。圖5 ODPL測(cè)量方法示意圖傳統(tǒng)光致發(fā)光的量子效率測(cè)量指的是晶體的PLQY,即光致發(fā)光量子效率,其定義為:PLQY = 樣品發(fā)射的光子數(shù)/樣品吸收的光子數(shù)圖6 GaN樣品在積分球下的發(fā)射光譜PLQY是表征晶體發(fā)光效率最 常見的參數(shù)之一,對(duì)于絕大多數(shù)的發(fā)光材料,PLQY都是黃金標(biāo)準(zhǔn)。但是對(duì)于GaN晶體,PLQY的表征顯得不足。上圖可見,GaN的光致發(fā)射光譜呈雙峰形狀,這是由于GaN晶體中的缺陷等,會(huì)將GaN本身發(fā)射的PL再次吸收然后發(fā)射(光子回收Photon Recycling現(xiàn)象)。圖7 ( a ) PL and ODPL spectra of the HVPE / AT - GaN crystal and ( b ) detectable light - travelling passes considered in the simulation of light extraction :(1) direct escaping from the surface :( ii ) scattered at the bottom and escaping from the surface : and ( ii ) direct eseaping from the edge .( c ) Refractive index and absorption spectra of HVPE / AT - GaN .因?yàn)榇嬖赑hoton Recycling的現(xiàn)象,GaN的PLQY不足以表征其發(fā)光轉(zhuǎn)化效率,而真正可以表征GaN晶體發(fā)光轉(zhuǎn)化效率的定義是其真正的內(nèi)量子效率:IQE = 樣品產(chǎn)生的光子數(shù)/樣品吸收的光子數(shù)圖8  GaN樣品的標(biāo)準(zhǔn)發(fā)射光譜IQE是GaN晶體的PLQY考慮LEE和光子回收現(xiàn)象以后的參數(shù),更能直觀、定量反映GaN晶體的質(zhì)量。圖9  高IQE和低IQE晶體的對(duì)比高IQE的GaN晶體通常表現(xiàn)為:高載流子濃度、低穿透位錯(cuò)密度、低雜質(zhì)濃度、低點(diǎn)缺陷濃度、高激發(fā)功率密度。圖10 不同穿透位錯(cuò)密度晶體的IQE結(jié)果對(duì)比免費(fèi)樣機(jī)預(yù)約ODPL現(xiàn)在ODPL樣機(jī)開放免費(fèi)預(yù)約試 用活動(dòng),有意向的客戶請(qǐng)?jiān)谠u(píng)論區(qū)留言“樣機(jī)試 用”小編看到之后會(huì)第 一時(shí)間與您聯(lián)系,樣機(jī)數(shù)量有限,先到先得喲~圖11 ODPL樣機(jī)展示以上有關(guān)新品的信息已經(jīng)全部介紹完畢了,如有任何疑問,歡迎在評(píng)論區(qū)留言喲。
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2023-03-13 13:22:47電子鼻結(jié)合電子舌技術(shù)對(duì)白酒大曲風(fēng)味的分析
“貴州大學(xué)釀酒與食品工程學(xué)院"利用日本INSENT電子舌、德國AIRSENSE電子鼻技術(shù)分析貴州仁懷地區(qū) 5 種醬香型白酒大曲的風(fēng)味差異。對(duì)比 95 %乙醇溶液與去離子水萃取大曲滋味化合物發(fā)現(xiàn)95%乙醇溶液能萃取出更多大曲中與酸味、苦味相關(guān)的化合物,與酸味相關(guān)的化合物增加明顯;5 種酒曲除對(duì)CAO酸味傳感器的負(fù)響應(yīng)值差異顯著(P<0.05)之外,風(fēng)味輪廓基本相似;5 種大曲中與咸味、鮮味相關(guān)的化合物含量較高;5 種酒曲粉末與 95 %乙醇溶液萃取電子鼻分析結(jié)果顯示,除響應(yīng)值高的氮氧化合物含量差異較大之外,其余傳感器對(duì)大曲響應(yīng)的風(fēng)味輪廓相似,且95 %乙醇溶液能萃取出大曲中更多的氮氧化合物、硫化物以及有機(jī)硫化物;5 種酒曲中 1 號(hào)、2號(hào)、3 號(hào)酒曲粉末氣味相似,1 號(hào)、3 號(hào)、4號(hào)、5 號(hào)酒曲 95 %乙醇提取液氣味相似。
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