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2025-01-10 10:52:26電致發(fā)光量子效率: 電致發(fā)光量子效率是描述電致發(fā)光材料性能的重要參數(shù)，它表示注入的電子-空穴對(duì)產(chǎn)生光子的效率。具體而言，它是指發(fā)光材料內(nèi)部由電能激發(fā)產(chǎn)生的光子數(shù)與注入的電子-空穴對(duì)數(shù)之比。該參數(shù)對(duì)于評(píng)估電致發(fā)光器件的發(fā)光性能和能量轉(zhuǎn)換效率具有重要意義，廣泛應(yīng)用于有機(jī)發(fā)光二極管（OLED）、量子點(diǎn)發(fā)光等領(lǐng)域。

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電致發(fā)光量子效率測(cè)量?jī)xHiYield-EL

東譜科技（廣州）有限責(zé)任公司 129
2024-06-05

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電致發(fā)光量子效率問(wèn)答

2023-01-06 13:11:28熒光量子效率測(cè)試儀QY使用指南: Quantaurus-QY熒光量子效率測(cè)量?jī)x（以下簡(jiǎn)稱(chēng)QY）是一款緊湊，操作便捷的測(cè)量?jī)x，基于濱松已經(jīng)開(kāi)發(fā)的 C9920-02，-02G / 03，-03G系統(tǒng)而研發(fā)，主要用于絕對(duì)法測(cè)量熒光量子效率（光致發(fā)光）。該設(shè)備可以為客戶(hù)提高發(fā)光材料質(zhì)量提供參考，并且操作簡(jiǎn)單，可廣泛應(yīng)用于各種發(fā)光材料，例如聚集誘導(dǎo)發(fā)光材料( AIE)、鈣鈦礦材料（Perovskite）、有機(jī)電致發(fā)光材料（OLED）、量子點(diǎn)材料（Quantum Dots）等。本文主要是以視頻的形式分6期為大家介紹QY的外觀(guān)性能、面板硬件、固體樣品裝樣操作、溶液樣品裝樣操作、基本軟件操作以及更換常規(guī)配件操作等。一、儀器外觀(guān)性能介紹本期視頻主要介紹QY熒光量子效率測(cè)量?jī)x的外觀(guān)、尺寸以及內(nèi)部測(cè)量相關(guān)的4種器件，點(diǎn)擊下方圖片了解該設(shè)備詳細(xì)外觀(guān)性能介紹。二、面板硬件介紹本期視頻主要是介紹QY面板上包含開(kāi)關(guān)、TIME COUNTER、拉桿等硬件的操作使用指南以及注意事項(xiàng)。三、固體樣品裝樣本期視頻主要講解固體樣品裝樣的8個(gè)操作步驟，點(diǎn)擊下圖視頻了解操作詳情。因?yàn)闃悠返娜〕霾襟E與裝樣步驟一致，因此不再重復(fù)講解。注意：所有裝樣過(guò)程需全程佩戴橡膠手套。四、溶液樣品裝樣本期視頻主要講解溶液樣品裝樣操作。溶液樣品與固體樣品裝樣的重要區(qū)之一是一定要保證溶液樣品裝樣時(shí)光路推桿處于位置A處。在保證推桿位置準(zhǔn)確無(wú)誤的前提下才可進(jìn)行后續(xù)操作。五、軟件基本操作本期視頻主要講解QY軟件相關(guān)的基本操作指南，在視頻中工程師會(huì)從點(diǎn)開(kāi)軟件開(kāi)始以實(shí)際操作演練帶大家熟悉一下軟件中包含的各個(gè)按鈕，視頻時(shí)長(zhǎng)近20分鐘，建議先收藏后觀(guān)看。六、更換常規(guī)配件本期視頻主要講解QY設(shè)備中氙燈與固體樣品積分球墊的更換操作。首先是氙燈的講解之后是固體樣品積分球墊的更換操作說(shuō)明，大家可以按照進(jìn)度條上的標(biāo)注按需觀(guān)看。有關(guān)熒光量子效率測(cè)試儀QY的操作使用指南到此就已經(jīng)全部講解完畢，如果大家有任何不清楚之處歡迎在評(píng)論區(qū)留言，工程師會(huì)第一時(shí)間為您解答。

2023-08-21 11:41:24熱點(diǎn)應(yīng)用丨OLED的光致發(fā)光和電致發(fā)光共聚焦成像: 要點(diǎn)光致發(fā)光和電致發(fā)光是有機(jī)發(fā)光二極管（OLED）視覺(jué)顯示發(fā)展的重要技術(shù)。與共聚焦顯微鏡相結(jié)合，使用RMS1000共聚焦顯微拉曼光譜儀對(duì)OLED器件的光電特性進(jìn)行成像研究。光譜和時(shí)間分辨成像獲得了比宏觀(guān)測(cè)試更詳細(xì)的器件組成和質(zhì)量信息。介紹近年來(lái)，有機(jī)發(fā)光二極管（OLED）已成為高端智能手機(jī)和電視全彩顯示面板的領(lǐng)先技術(shù)之一1。使用量的快速增長(zhǎng)是因?yàn)镺LED提供了比液晶顯示器（LCD）更卓越的性能。例如，它們更薄、更輕、更靈活、功耗更低、更明亮2。在典型的OLED器件中，電子和空穴被注入到傳輸層中，然后在中心摻雜發(fā)光層中復(fù)合。這種復(fù)合產(chǎn)生的能量通過(guò)共振轉(zhuǎn)移到摻雜分子中，從而使其發(fā)光。OLED發(fā)光的顏色取決于發(fā)光層中所摻雜分子的化學(xué)結(jié)構(gòu)。當(dāng)新的有機(jī)電致發(fā)光器件開(kāi)發(fā)出來(lái)時(shí)，可以利用光致發(fā)光（PL）和電致發(fā)光（EL）光譜來(lái)表征單個(gè)元件和整個(gè)器件的光電特性。在本文中，RMS1000共聚焦顯微拉曼光譜儀用于表征四種成像模式下OLED器件的光電特性：PL、EL、時(shí)間分辨PL（TRPL）和時(shí)間分辨EL（TREL）。使用共聚焦顯微拉曼光譜儀來(lái)表征OLED的光譜和時(shí)間分辨特性獲得了比宏觀(guān)測(cè)試更詳細(xì)的信息。材料和方法測(cè)試樣品為磷光OLED器件，由圣安德魯斯大學(xué)有機(jī)半導(dǎo)體光電研究組提供。將樣品放置在冷熱臺(tái)（LINKAM）上，通過(guò)兩個(gè)鎢探針連接到器件電極上實(shí)現(xiàn)成像。使用RMS1000共聚焦顯微拉曼光譜儀進(jìn)行PL、EL、時(shí)間分辨PL（TRPL）和時(shí)間分辨EL（TREL）成像，如圖1。圖1 PL、TRPL、EL和TREL成像的實(shí)驗(yàn)裝置。將裝載樣品的冷熱臺(tái)放置在顯微鏡樣品臺(tái)上，如圖2所示。對(duì)于PL測(cè)試，使用532 nm CW激光器和背照式CCD探測(cè)器；對(duì)于TRPL測(cè)試，使用外部耦合的EPL-405皮秒脈沖激光器、MCS模式和快速響應(yīng)的PMT。對(duì)于EL測(cè)試，使用Keithley 2450 SMU向OLED器件加電壓，并用CCD探測(cè)器檢測(cè)；對(duì)于TREL測(cè)試，使用Tektronix 31102 AFG向OLED加一系列短脈沖電壓，使用MCS模式測(cè)試每個(gè)脈沖下的衰減。圖2 (a)安裝在RMS1000上的冷熱臺(tái)；(b) OLED器件電致發(fā)光寬場(chǎng)成像。測(cè)試結(jié)果與討論大面積光致發(fā)光和電致發(fā)光光譜成像OLED首次采用PL和EL光譜相結(jié)合的方法進(jìn)行研究。當(dāng)使用共聚焦顯微拉曼光譜儀成像時(shí)，可以表征材料在整個(gè)器件中的分布以及在發(fā)光強(qiáng)度和顏色均勻性方面的整體質(zhì)量。圖3中的PL成像和相應(yīng)的光譜提供了器件上4個(gè)區(qū)域發(fā)光層分布的信息，還顯示了電極的位置。圖3 (a)OLED器件的PL光譜強(qiáng)度成像；(b)a中標(biāo)記的點(diǎn)1和點(diǎn)2的PL光譜。白色和灰色代表PL強(qiáng)度，顯示了有機(jī)發(fā)光層的位置。灰色區(qū)域?yàn)榘l(fā)光層被頂部電極覆蓋的位置。在頂部電極穿過(guò)發(fā)光層的地方，PL強(qiáng)度降低為未覆蓋區(qū)域強(qiáng)度的一半以下。這是由于頂部電極材料削弱了激光強(qiáng)度和光致發(fā)光強(qiáng)度。對(duì)于EL成像，鎢探針連接到與區(qū)域2相交的電極上。圖4中得到的EL圖像和相應(yīng)的光譜表明了EL發(fā)光僅發(fā)生在區(qū)域2中的發(fā)光層與電極重疊的區(qū)域。在PL成像中，空間分辨率主要取決于樣品上激光光斑的大小。而在EL成像中，由于沒(méi)有激光，因此是通過(guò)改變共焦針孔直徑來(lái)改變空間分辨率（將針孔直徑減小到25 μm）。圖4 (a)OLED器件的EL光譜強(qiáng)度成像；(b)a中標(biāo)記的點(diǎn)1和點(diǎn)2的EL光譜。EL強(qiáng)度在整個(gè)有源像素上不均勻，這對(duì)器件的質(zhì)量有影響。在區(qū)域外邊緣有兩個(gè)（白色）垂直條帶，強(qiáng)度比其余部分強(qiáng)。此外，存在許多EL強(qiáng)度降低的非發(fā)光區(qū)域。這表明器件有缺陷，理想情況下，OLED將在每個(gè)像素上呈現(xiàn)出密集和均勻的發(fā)光。高分辨率光致發(fā)光和電致發(fā)光光譜成像為了進(jìn)一步研究，使用PL和EL對(duì)EL有源像素上的較小區(qū)域（圖5a和圖5b）進(jìn)行高分辨成像。圖5b網(wǎng)格內(nèi)的上部區(qū)域是發(fā)光層與電極重疊的地方，下部區(qū)域是單獨(dú)的發(fā)光層。圖5c為 PL強(qiáng)度成像，再次表明被電極覆蓋的發(fā)光層PL強(qiáng)度小于未覆蓋的發(fā)光層。PL峰值波長(zhǎng)圖像（圖5d）表明，有電極覆蓋的發(fā)光層與未覆蓋的發(fā)光層（611 nm）相比，PL發(fā)射峰發(fā)生紅移（620 nm）。峰值波長(zhǎng)的變化表明在不同的區(qū)域中能級(jí)不同。圖5 (a) OLED器件電致發(fā)光寬場(chǎng)成像；(b)a網(wǎng)格內(nèi)的高分辨率寬場(chǎng)成像；(c)PL強(qiáng)度成像；(d)相同區(qū)域的PL峰值波長(zhǎng)成像；(e)EL強(qiáng)度成像；(f)相同區(qū)域的EL峰值波長(zhǎng)成像。EL成像顯示，與其余部分相比發(fā)射強(qiáng)度較弱的缺陷（圖5e）波長(zhǎng)發(fā)生明顯紅移（圖5f）。這是由于缺陷處的EL能帶的信號(hào)強(qiáng)度降低以及在662 nm處EL能帶信號(hào)強(qiáng)度同時(shí)增加引起的。另外，在EL有源區(qū)域的最底部的區(qū)域中，發(fā)生藍(lán)移，這與在PL圖像上看到的波長(zhǎng)變化一致。高分辨率時(shí)間分辨光致發(fā)光和電致發(fā)光成像為獲得額外信息，在同一區(qū)域進(jìn)行TRPL和TREL成像，如圖6所示。分別用激光脈沖和電脈沖，在MCS模式下測(cè)試614 nm處OLED的PL和EL衰減。利用單指數(shù)模型擬合衰減曲線(xiàn)。在圖6a的TRPL成像中，EL活性區(qū)域（上部區(qū)域）中的PL壽命比EL非活性區(qū)域（下部區(qū)域）中的PL壽命短大約200 ns。如圖6c所示，分別為800 ns和600 ns。這里觀(guān)察到與圖4中PL強(qiáng)度和波長(zhǎng)圖像的類(lèi)似梯度，沿圖向下方向的發(fā)射強(qiáng)度增強(qiáng)，并且發(fā)生了藍(lán)移。因此，根據(jù)TRPL數(shù)據(jù)可得：當(dāng)光激發(fā)時(shí)，通過(guò)摻雜帶可獲得不同的能級(jí)。在圖6b中的TREL成像中，整個(gè)區(qū)域的壽命相似，大約為470 ns。發(fā)現(xiàn)EL壽命顯著短于相同區(qū)域的PL壽命。圖6 (a)OLED的時(shí)間分辨PL成像；(b)OLED的時(shí)間分辨EL成像；(c)a中選定區(qū)域的PL衰減曲線(xiàn)；(d)b中圖像的EL衰減曲線(xiàn)。結(jié)論RMS1000共聚焦顯微拉曼光譜儀用于測(cè)試OLED器件的PL、EL、TRPL和TREL成像。這些不同的成像模式提供了關(guān)于發(fā)光層和電極在整個(gè)器件中位置的詳細(xì)信息，在工作條件下器件的發(fā)光強(qiáng)度和顏色均勻性，以及關(guān)于PL和EL過(guò)程中帶隙能量的相對(duì)信息。參考文獻(xiàn)1. A. Salehi et al., Recent Advances in OLED Optical Design, Adv. Funct. Mater., 2019, 29, 1808803, DOI: 10.1002/adfm.201808803.2. J. M. Ha et al., Recent Advances in Organic Luminescent Materials with Narrowband Emission, NPG Asia Mater., 2021, 13, 1–36, DOI: 10.1038/s41427-021-00318-8.天美分析更多資訊