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2025-01-10 10:53:59直流磁控濺射: 直流磁控濺射是一種先進(jìn)的薄膜制備技術(shù)。它利用直流電源產(chǎn)生電場，使濺射靶材在電場作用下產(chǎn)生濺射，同時結(jié)合磁場控制濺射粒子的運(yùn)動軌跡，提高濺射效率和薄膜質(zhì)量。該技術(shù)具備鍍膜速度快、薄膜純度高、附著力強(qiáng)等特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于電子、光學(xué)、航空航天等領(lǐng)域。直流磁控濺射設(shè)備設(shè)計合理，操作簡便，能夠?yàn)楦鞣N薄膜的制備提供可靠、高效的解決方案。

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預(yù)算270萬元中國科學(xué)院電工研究所采購直流reel-to-reel磁控濺射設(shè)備

中國科學(xué)院電工研究所直流reel-to-reel磁控濺射設(shè)備采購項(xiàng)目招標(biāo)項(xiàng)目的潛在投標(biāo)人應(yīng)在www.oitccas.com獲取招標(biāo)文件，并于2025年03月26日 09點(diǎn)30分（北京時間）前遞交投標(biāo)

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2025-03-06
磁控濺射設(shè)備

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直流磁控濺射問答

2025-03-07 13:30:11直流調(diào)速器怎么調(diào)試: 直流調(diào)速器怎么調(diào)試：優(yōu)化電機(jī)性能的關(guān)鍵步驟在電氣控制系統(tǒng)中，直流調(diào)速器是一種至關(guān)重要的設(shè)備，它可以精確控制直流電機(jī)的轉(zhuǎn)速，實(shí)現(xiàn)不同負(fù)載情況下的穩(wěn)定運(yùn)行。調(diào)試直流調(diào)速器是確保其高效穩(wěn)定運(yùn)行的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。通過合理的調(diào)試步驟，不僅可以提高電機(jī)的性能，還能延長設(shè)備的使用壽命。本文將詳細(xì)介紹直流調(diào)速器的調(diào)試方法，幫助工程師和技術(shù)人員掌握正確的調(diào)試技巧，從而優(yōu)化電機(jī)的運(yùn)行效果。 1. 檢查硬件連接在進(jìn)行調(diào)試之前，首先要確認(rèn)直流調(diào)速器及電機(jī)的硬件連接是否正確。檢查電源線、控制線以及各個接線端子是否牢固、無松動或短路現(xiàn)象。確保設(shè)備接地良好，避免電氣干擾或設(shè)備損壞。檢查電機(jī)和調(diào)速器的功率匹配，確保兩者的額定功率符合系統(tǒng)需求。 2. 設(shè)置基本參數(shù) 在確保硬件連接無誤后，進(jìn)入調(diào)試界面，進(jìn)行直流調(diào)速器的基本參數(shù)設(shè)置。這些參數(shù)包括電機(jī)的額定電壓、額定電流、額定轉(zhuǎn)速以及控制方式。不同類型的直流調(diào)速器可能會有不同的設(shè)置方式，通?？梢酝ㄟ^面板上的調(diào)節(jié)按鈕或控制軟件進(jìn)行設(shè)定。確保這些基本參數(shù)符合電機(jī)的技術(shù)要求，以便調(diào)速器能夠精確控制電機(jī)的運(yùn)行狀態(tài)。 3. 調(diào)整增益和反饋控制直流調(diào)速器的核心功能之一是對電機(jī)的轉(zhuǎn)速進(jìn)行精確控制。為了實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)，需要調(diào)整調(diào)速器的增益和反饋控制系統(tǒng)。增益參數(shù)決定了調(diào)速器響應(yīng)輸入信號的靈敏度，而反饋控制則通過監(jiān)測電機(jī)的實(shí)際轉(zhuǎn)速來調(diào)整輸入信號。調(diào)整增益時要小心過高或過低的設(shè)置，因?yàn)檫@可能導(dǎo)致電機(jī)出現(xiàn)過調(diào)或響應(yīng)遲緩的現(xiàn)象。通過適當(dāng)?shù)恼{(diào)整，使電機(jī)運(yùn)行平穩(wěn)，避免振動或噪音過大。 4. 調(diào)整加減速時間加減速時間是影響直流電機(jī)啟動和停止過程的重要因素。調(diào)速器一般都具備加速和減速時間的調(diào)節(jié)功能。根據(jù)具體的應(yīng)用需求，可以設(shè)置適當(dāng)?shù)募訙p速時間，避免電機(jī)在啟動或停止時產(chǎn)生過大的電流沖擊。過快的加減速可能會導(dǎo)致電機(jī)損傷或系統(tǒng)不穩(wěn)定，而過慢的加減速則可能降低生產(chǎn)效率。通常，針對不同負(fù)載情況下的需求，調(diào)整加減速時間能夠使電機(jī)的啟停更加平穩(wěn)，延長電機(jī)的使用壽命。 5. 進(jìn)行負(fù)載測試調(diào)試過程中，負(fù)載測試是驗(yàn)證直流調(diào)速器調(diào)試效果的重要環(huán)節(jié)。通過模擬不同工況下的負(fù)載運(yùn)行，觀察電機(jī)的轉(zhuǎn)速變化情況，確保調(diào)速器在各種負(fù)載下都能穩(wěn)定運(yùn)行。負(fù)載測試能夠幫助技術(shù)人員發(fā)現(xiàn)潛在問題，如轉(zhuǎn)速波動、電流異常等，并根據(jù)測試結(jié)果進(jìn)一步調(diào)整參數(shù)，確保設(shè)備在實(shí)際使用中的高效性和穩(wěn)定性。 6. 終檢查與測試在完成以上調(diào)試步驟后，需要進(jìn)行全面的檢查與測試。檢查各項(xiàng)參數(shù)設(shè)置是否符合技術(shù)要求，確保沒有遺漏或錯誤。進(jìn)行長時間的運(yùn)行測試，監(jiān)測電機(jī)在連續(xù)工作中的性能變化，確保設(shè)備的穩(wěn)定性和可靠性。通過記錄測試數(shù)據(jù)和調(diào)試過程中的各項(xiàng)參數(shù)，可以為未來的維護(hù)提供依據(jù)，也能夠?yàn)椴煌瑧?yīng)用場景下的調(diào)試工作積累經(jīng)驗(yàn)。結(jié)語直流調(diào)速器的調(diào)試工作關(guān)乎電機(jī)系統(tǒng)的性能和安全，因此必須嚴(yán)格按照操作規(guī)范進(jìn)行。通過合理的硬件檢查、參數(shù)設(shè)置、增益調(diào)整、加減速時間控制和負(fù)載測試，能夠確保直流調(diào)速器在不同工況下的佳運(yùn)行效果。調(diào)試工作的細(xì)致入微是優(yōu)化電機(jī)性能的基礎(chǔ)，也是延長設(shè)備使用壽命的重要保證。

2022-10-28 14:57:47詳解磁控濺射技術(shù): 一、磁控濺射的工作原理：磁控濺射是一種常用的物理氣相沉積（PVD）的方法，具有沉積溫度低、沉積速度快、所沉積的薄膜均勻性好，成分接近靶材成分等眾多優(yōu)點(diǎn)。磁控濺射的工作原理是：在高真空的條件下充入適量的氬氣，在陰極（柱狀靶或平面靶）和陽極（鍍膜室壁）之間施加幾百K 直流電壓，在鍍膜室內(nèi)產(chǎn)生磁控型異常輝光放電，電子在電場E的作用下，在飛向基片過程中與氬原子發(fā)生碰撞，使氬氣發(fā)生電離（在高壓作用下Ar 原子電離成為Ar+離子和電子），入射離子（Ar+）在電場的作用下轟擊靶材，使得靶材表面的中性原子或分子獲得足夠動能脫離靶材表面，沉積在基片表面形成薄膜。而產(chǎn)生的二次電子會受到電場和磁場作用，產(chǎn)生E（電場）×B（磁場）所指的方向漂移，簡稱E×B漂移，其運(yùn)動軌跡近似于一條擺線。若為環(huán)形磁場，則電子就以近似擺線形式在靶表面做圓周運(yùn)動，它們的運(yùn)動路徑不僅很長，而且被束縛在靠近靶表面的等離子體區(qū)域內(nèi)，并且在該區(qū)域中電離出大量的Ar+ 來轟擊靶材，從而實(shí)現(xiàn)了高的沉積速率。隨著碰撞次數(shù)的增加，二次電子的能量消耗殆盡，逐漸遠(yuǎn)離靶表面，并在電場E的作用下最終沉積在基片上。由于該電子的能量很低，傳遞給基片的能量很小，致使基片溫升較低。磁控濺射是入射粒子和靶的碰撞過程。入射粒子在靶中經(jīng)歷復(fù)雜的散射過程，和靶原子碰撞，把部分動量傳給靶原子，此靶原子又和其他靶原子碰撞，形成級聯(lián)過程。在這種級聯(lián)過程中某些表面附近的靶原子獲得向外運(yùn)動的足夠動量，離開靶被濺射出來。二、磁控濺射優(yōu)點(diǎn)：（1）沉積速率快，沉積效率高，適合工業(yè)生產(chǎn)大規(guī)模應(yīng)用；在沉積大部分的金屬薄膜，尤其是沉積高熔點(diǎn)的金屬和氧化物薄膜時，如濺射鎢、鋁薄膜和反應(yīng)濺射TiO2、ZrO2薄膜，具有很高的沉積率。（2）基片溫度低，適合塑料等不耐高溫的基材鍍膜；（3）制備的薄膜純度高、致密性好、薄膜均勻性好、膜基結(jié)合力強(qiáng)。濺射薄膜與基板有著極好的附著力，機(jī)械強(qiáng)度也得到了改善；濺射的薄膜聚集密度普遍提高了，從顯微照片看，濺射的薄膜表面微觀形貌比較精致細(xì)密，而且非常均勻。（4）可制備金屬、合金、半導(dǎo)體、鐵磁材料、絕緣體（氧化物、陶瓷）等薄膜；（5））濺射的薄膜均具有優(yōu)異的性能。如濺射的金屬膜通常能獲得良好的光學(xué)性能、電學(xué)性能及某些特殊性能；（6）環(huán)保無污染。傳統(tǒng)的濕法電鍍會產(chǎn)生廢液、廢渣、廢氣，對環(huán)境造成嚴(yán)重的污染。不產(chǎn)生環(huán)境污染、生產(chǎn)效率高的磁控濺射鍍膜法則可較好解決這一難題。三、磁控濺射技術(shù)的分類：（一）磁控濺射按照電源的不同，可以分為直流磁控濺射（DC）和射頻磁控濺射（RF）?！　☆櫭剂x，直流磁控濺射運(yùn)用的是直流電源，射頻磁控濺射運(yùn)用的是交流電源（射頻屬于交流范疇，頻率是13.56MHz。我們平常的生活中用電頻率為50Hz）?！　煞N方式的用途不太一樣，直流磁控濺射一般用于導(dǎo)電型（如金屬）靶材的濺射，射頻一般用于非導(dǎo)電型（如陶瓷化合物）靶材的濺射。　　兩種方式的不同應(yīng)用　　直流磁控濺射只能用于導(dǎo)電的靶材（靶材表面在空氣中或者濺射過程中不會形成絕緣層的靶材），并不局限于金屬。譬如，對于鋁靶，它的表面易形成不導(dǎo)電的氧化膜層，造成靶表面電荷積累（靶中毒），嚴(yán)重時直流濺射無法進(jìn)行。這時候，就需要射頻電源，簡單的說，用射頻電源的時候，有一小部分時間是在沖抵靶上積累的電荷，不會發(fā)生靶中毒?！　∩漕l磁控濺射一般都是針對絕緣體的靶材或者導(dǎo)電性相對較差的靶材，利用同一周期內(nèi)電子比正離子速度快進(jìn)而沉積到靶材上的電子數(shù)目比正離子數(shù)目多從而建立起自偏壓對離子進(jìn)行加速實(shí)現(xiàn)靶的濺射。　　兩種方式的特點(diǎn)：　　1、直流濺射：對于導(dǎo)電性不是很好的金屬靶，很難建立較高的自偏壓，正離子無法獲得足夠的能量去轟擊靶材　　2、射頻的設(shè)備貴，直流的便宜。（二）磁控濺射按照磁場結(jié)構(gòu)，可以分為平衡磁控濺射和非平衡磁控濺射。平衡磁控濺射即傳統(tǒng)的磁控濺射，是在陰極靶材背后放置芯部與外環(huán)磁場強(qiáng)度相等或相近的永磁體或電磁線圈，在靶材表面形成與電場方向垂直的磁場。沉積室充入一定量的工作氣體，通常為Ar，在高壓作用下Ar 原了電離成為Ar+離子和電子，產(chǎn)生輝光放電，Ar+ 離子經(jīng)電場加速轟擊靶材，濺射出靶材原子、離子和二次電子等。電子在相互垂直的電磁場的作用下，以擺線方式運(yùn)動，被束縛在靶材表面，延長了其在等離子體中的運(yùn)動軌跡，增加其參與氣體分子碰撞和電離的過程，電離出更多的離子，提高了氣體的離化率，在較低的氣體壓力下也可維持放電，因而磁控濺射既降低濺射過程中的氣體壓力，也同時提高了濺射的效率和沉積速率。但平衡磁控濺射也有不足之處，例如：由于磁場作用，輝光放電產(chǎn)生的電子和濺射出的二次電子被平行磁場緊緊地約束在靶面附近，等離子體區(qū)被強(qiáng)烈地束縛在靶面大約60 mm 的區(qū)域，隨著離開靶面距離的增大，等離子濃度迅速降低，這時只能把工件安放在磁控靶表面50～100 mm的范圍內(nèi)，以增強(qiáng)離子轟擊的效果。這樣短的有效鍍膜區(qū)限制了待鍍工件的幾何尺寸，不適于較大的工件或裝爐量，制約了磁控濺射技術(shù)的應(yīng)用。且在平衡磁控濺射時，飛出的靶材粒子能量較低，膜基結(jié)合強(qiáng)度較差，低能量的沉積原子在基體表面遷移率低，易生成多孔粗糙的柱狀結(jié)構(gòu)薄膜。提高被鍍工件的溫度固然可以改善膜層的結(jié)構(gòu)和性能，但是在很多的情況下，工件材料本身不能承受所需的高溫。非平衡磁控濺射的出現(xiàn)部分克服了以上缺點(diǎn)，將陰極靶面的等離子體引到濺射靶前200～300 mm 的范圍內(nèi)，使基體沉浸在等離子體中，如圖所示。這樣，一方面，濺射出來的原子和粒子沉積在基體表面形成薄膜，另一方面，等離子體以一定的能量轟擊基體，起到離子束輔助沉積的作用，大大的改善了膜層的質(zhì)量。非平衡磁控濺射系統(tǒng)有兩種結(jié)構(gòu)，一種是其芯部磁場強(qiáng)度比外環(huán)高，磁力線沒有閉合，被引向真空室壁，基體表面的等離子體密度低，因此該方式很少被采用。另一種是外環(huán)磁場強(qiáng)度高于芯部磁場強(qiáng)度，磁力線沒有完全形成閉合回路，部分外環(huán)的磁力線延伸到基體表面，使得部分二次電子能夠沿著磁力線逃逸出靶材表面區(qū)域，同時再與中性粒子發(fā)生碰撞電離，等離子體不再被完全限制在靶材表面區(qū)域，而是能夠到達(dá)基體表面，進(jìn)一步增加鍍膜區(qū)域的離子濃度，使襯底離子束流密度提高，通?？蛇_(dá)5 mA/cm2 以上。這樣濺射源同時又是轟擊基體表面的離子源，基體離子束流密度與靶材電流密度成正比，靶材電流密度提高，沉積速率提高，同時基體離子束流密度提高，對沉積膜層表面起到一定的轟擊作用。非平衡磁控濺射離子轟擊在鍍膜前可以起到清洗工件的氧化層和其他雜質(zhì)，活化工件表面的作用，同時在工件表面上形成偽擴(kuò)散層，有助于提高膜層與工件表面之間的結(jié)合力。在鍍膜過程中，載能的帶電粒子轟擊作用可達(dá)到膜層的改性目的。比如，離子轟擊傾向于從膜層上剝離結(jié)合較松散的和凸出部位的粒子，切斷膜層結(jié)晶態(tài)或凝聚態(tài)的優(yōu)勢生長，從而生更致密，結(jié)合力更強(qiáng)，更均勻的膜層，并可以較低的溫度下鍍出性能優(yōu)良的鍍層。該技術(shù)被廣泛應(yīng)用于制備各種硬質(zhì)薄膜。（三）反應(yīng)磁控濺射：以金屬、合金、低價金屬化合物或半導(dǎo)體材料作為靶陰極，在濺射過程中或在基片表面沉積成膜過程中與氣體粒子反應(yīng)生成化合物薄膜，這就是反應(yīng)磁控濺射。反應(yīng)磁控濺射廣泛應(yīng)用于化合物薄膜的大批量生產(chǎn)，這是因?yàn)椋海?）反應(yīng)磁控濺射所用的靶材料 ( 單元素靶或多元素靶 ) 和反應(yīng)氣體 ( 氧、氮、碳?xì)浠衔锏?) 純度很高，因而有利于制備高純度的化合物薄膜。（2）通過調(diào)節(jié)反應(yīng)磁控濺射中的工藝參數(shù) , 可以制備化學(xué)配比或非化學(xué)配比的化合物薄膜，通過調(diào)節(jié)薄膜的組成來調(diào)控薄膜特性。（3）反應(yīng)磁控濺射沉積過程中基板升溫較小，而且制膜過程中通常也不要求對基板進(jìn)行高溫加熱，因此對基板材料的限制較少。（4）反應(yīng)磁控濺射適于制備大面積均勻薄膜，并能實(shí)現(xiàn)單機(jī)年產(chǎn)上百萬平方米鍍膜的工業(yè)化生產(chǎn)。四、磁控濺射的應(yīng)用：磁控濺射技術(shù)是一種非常有效的沉積鍍膜方法，非常廣泛的用于薄膜沉積和表面覆蓋層制備?？杀挥糜谥苽浣饘?、半導(dǎo)體、鐵磁材料、絕緣體（氧化物、陶瓷）等多材料，尤其適合高熔點(diǎn)和低蒸汽壓的材料沉積鍍膜在適當(dāng)條件下多元靶材共濺射方式，可沉積所需組分的混合物、化合物薄膜；在濺射的放電氣中加入氧、氮或其它活性氣體，可沉積形成靶材物質(zhì)與氣體分子的化合物薄膜；且設(shè)備簡單、鍍膜面積大和附著力強(qiáng)。磁控濺射目前是一種應(yīng)用十分廣泛的薄膜沉積技術(shù),濺射技術(shù)上的不斷發(fā)展和對新功能薄膜的探索研究,使磁控濺射應(yīng)用延伸到許多生產(chǎn)和科研領(lǐng)域。（1）在微電子領(lǐng)域作為一種非熱式鍍膜技術(shù),主要應(yīng)用在化學(xué)氣相沉積(CVD)或金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)生長困難及不適用的材料薄膜沉積,而且可以獲得大面積非常均勻的薄膜。包括歐姆接觸的Al、Cu、Au、W、Ti等金屬電極薄膜及可用于柵絕緣層或擴(kuò)散勢壘層的TiN、Ta2O5、TiO、Al2O3、ZrO2、AlN等介質(zhì)薄膜沉積。（2）磁控濺射技術(shù)在光學(xué)薄膜(如增透膜)、低輻射玻璃和透明導(dǎo)電玻璃等方面也得到應(yīng)用。在透明導(dǎo)電玻璃在玻璃基片或柔性襯底上,濺射制備SiO2薄膜和摻雜ZnO或InSn氧化物(ITO)薄膜，使可見光范圍內(nèi)平均光透過率在90%以上。透明導(dǎo)電玻璃廣泛應(yīng)用于平板顯示器件、太陽能電池、微波與射頻屏蔽裝置與器件、傳感器等。（3）在現(xiàn)代機(jī)械加工工業(yè)中,利用磁控濺射技術(shù)制作表面功能膜、超硬膜，自潤滑薄膜，能有效的提高表面硬度、復(fù)合韌性、耐磨損性和抗高溫化學(xué)穩(wěn)定性能，從而大幅度地提高涂層產(chǎn)品的使用壽命。磁控濺射除上述已被大量應(yīng)用的領(lǐng)域,還在高溫超導(dǎo)薄膜、鐵電體薄膜、巨磁阻薄膜、薄膜發(fā)光材料、太陽能電池、記憶合金薄膜研究方面發(fā)揮重要作用。五、磁控濺射的實(shí)用案例：圖1 磁控濺射制備的MoS2薄膜，相比于CVD法，成功在低溫下制備了垂直片層的MoS2薄膜圖2 磁控濺射法制備SiC多層薄膜用于鋰電池正極，可得到有均勻調(diào)制周期和調(diào)制比的多層薄膜

2022-07-28 11:31:00帶你一文領(lǐng)略磁控濺射: 主要功能：主要用于半導(dǎo)體應(yīng)用，及各種需要進(jìn)行微納工藝濺射鍍膜的情形?？梢杂糜诮饘俨牧希ń?、銀、銅、鎳、鉻等）的直流濺射、直流共濺射，絕緣材料（如陶瓷等）的射頻濺射，以及反應(yīng)濺射能力。基片可支持硅片，氧化硅片，玻璃片，以及對溫度敏感的有機(jī)柔性基片等。工作原理：通過分子泵和機(jī)械泵組成的兩級真空泵對不銹鋼腔體抽真空，當(dāng)廣域真空計顯示的讀數(shù)達(dá)到10-6Torr量級或更高的真空時，主系統(tǒng)的控制軟件通過控制質(zhì)量流量計精確控制Ar氣體(如需要濺射氧化物薄膜，可增加O2)，此時可以設(shè)定工藝所要求的真空（一般在0.1-10Pa范圍）。這時可以根據(jù)濺射的需要開啟RF或DC電源，并通過軟件選擇所要濺射的靶槍，產(chǎn)生的Ar等離子轟擊相應(yīng)的靶槍(如果增加O2，氧原子則會與濺射出來的原子產(chǎn)生反應(yīng)，實(shí)現(xiàn)反應(yīng)濺射)。并在樣品臺上方的基片上沉積出相應(yīng)的薄膜，薄膜的膜厚可以通過膜厚監(jiān)控儀自動控制。工藝狀況可通過腔門上的觀察視窗實(shí)時觀看。自動遮板則可以遮擋每一次除了被選中的靶槍外的其它靶槍，防止被污染。設(shè)備優(yōu)勢：考慮實(shí)驗(yàn)應(yīng)用要求工藝數(shù)據(jù)的可靠性，NANO-MASTER的磁控濺射設(shè)備在鍍膜均勻性、重復(fù)性和設(shè)備穩(wěn)定性等方面均有優(yōu)勢。1、鍍膜均勻性：在關(guān)鍵的鍍膜均勻性方面，對于6”硅片的金屬材料鍍膜，NM設(shè)備可以達(dá)到優(yōu)于3%的鍍膜均勻度。2、設(shè)備制造工藝：在配備相似等級的分子泵及機(jī)械泵的情況下，NM設(shè)備普遍具有更快的抽真空速率，可在20-25分鐘左右就達(dá)到高真空工藝。腔體真空的穩(wěn)定度影響鍍膜的性能。3、工藝的可重復(fù)性：NM設(shè)備在工藝控制方面，有更高的自動化能力，通過PC控制，減少人工干預(yù)造成的工藝偏差。相比需要人工配合的設(shè)備，導(dǎo)致不同人采用同樣的工藝做出來的效果卻不同，甚至同一個人在不同時間運(yùn)行相同的工藝做出來的效果也不同。4、設(shè)備的緊湊性：在滿足相同性能情況下，由于加工精密度方面的優(yōu)勢，NM設(shè)備具有更緊湊的設(shè)計，占地面積較小，節(jié)約實(shí)驗(yàn)室寶貴的空間。5、設(shè)備的穩(wěn)定性：NM設(shè)備的維護(hù)率較低，可以保證設(shè)備較長時間的穩(wěn)定運(yùn)行，保證科研進(jìn)度。

2023-04-12 14:26:08季華實(shí)驗(yàn)室磁控濺射系統(tǒng)順利驗(yàn)收: 季華實(shí)驗(yàn)室磁控濺射系統(tǒng)順利驗(yàn)收近日，NANO-MASTER工程師至季華實(shí)驗(yàn)室，順利安裝驗(yàn)收NSC-3500型磁控濺射系統(tǒng)！磁控濺射系統(tǒng)主要用于半導(dǎo)體應(yīng)用，同時也可以用于各種需要進(jìn)行微納工藝濺射鍍膜的情形?？捎糜诮饘俨牧希ń?、銀、銅、鎳、鉻等）的直流濺射、直流共濺射，絕緣材料（如陶瓷等）的射頻濺射，以及反應(yīng)濺射能力?；芍С止杵?，氧化硅片，玻璃片，以及對溫度敏感的有機(jī)柔性基片等。設(shè)備優(yōu)勢01鍍膜均勻性對于最關(guān)鍵的鍍膜的均勻性方面，對于6”硅片的金屬材料鍍膜，NANO-MASTER可以達(dá)到優(yōu)于3%的鍍膜均勻度，而一些設(shè)備只能穩(wěn)定在5%甚至更高。02設(shè)備制造工藝在配備相似等級的分子泵及機(jī)械泵的情況下，NANO-MASTER具有更快的抽真空速率，比如可以在20-25分鐘左右就達(dá)到高真空工藝，而一些設(shè)備則需要30-40分鐘。腔體真空的穩(wěn)定度影響鍍膜的性能。03工藝的可重復(fù)性NANO-MASTER設(shè)備在工藝控制方面，有更高的自動化能力，通過PC控制，減少人工干預(yù)造成的工藝偏差。而一些設(shè)備要求人工配合，導(dǎo)致不同人采用同樣的工藝做出來的效果不同，甚至同一個人在不同時間運(yùn)行相同的工藝做出來的效果也不同。04設(shè)備緊湊性一些設(shè)備在滿足相同性能情況下，由于加工的精密度方面的差距，造成設(shè)備比較龐大，占地面積較大，使得實(shí)驗(yàn)室寶貴的空間被占用嚴(yán)重。而NANO-MASTER設(shè)備相對而言具有更緊湊的設(shè)計，占地面積也較小。05設(shè)備穩(wěn)定性進(jìn)口設(shè)備的維護(hù)率較低，可以保證設(shè)備較長時間的穩(wěn)定運(yùn)行，而一些設(shè)備的故障率高，不利于設(shè)備的穩(wěn)定使用，經(jīng)常因?yàn)楣收嫌绊憣?shí)驗(yàn)的正常進(jìn)行，影響科研進(jìn)度。

2021-08-20 11:34:06可編程直流穩(wěn)壓電源如何維護(hù): 最近，有很多人向安泰電源維修小編詢問，可編程直流穩(wěn)壓電源如何才能使用更長時間，因?yàn)楦鶕?jù)安泰電源維修ZX小編以往經(jīng)驗(yàn)，在大數(shù)據(jù)分析下，產(chǎn)品都是有著平均壽命而言，可編程直流穩(wěn)壓電源也不例外，其中影響使用時間的因素很多，但是我們在使用的過程中進(jìn)行適當(dāng)保護(hù)，可以緩解穩(wěn)壓電源淘汰時間?！　∠旅嬗砂蔡╇娫淳S修ZX小編分享如何維護(hù)可編程直流穩(wěn)壓電源?！　】删幊讨绷鞣€(wěn)壓電源的使用壽命主要取決于內(nèi)部元器件和PCB的使用壽命以及整個焊接裝配過程。安泰電源維修ZX小編建議在設(shè)計上確?？删幊讨绷鞣€(wěn)壓電源元件的參數(shù)選擇，在生產(chǎn)上確保整個焊接和裝配的一致性和可操作性。這樣可以從電源上保證可編程直流穩(wěn)壓電源的穩(wěn)定性和可靠性?！　“蔡╇娫淳S修ZX小編提示大家以下為保證可編程直流穩(wěn)壓電源壽命的關(guān)鍵環(huán)節(jié)：　　我們希望減少故障的可能性，以確?？删幊讨绷鞣€(wěn)壓電源長期穩(wěn)定運(yùn)行?？删幊讨绷鞣€(wěn)壓電源的研發(fā)和可編程直流穩(wěn)壓電源的生產(chǎn)是可編程直流穩(wěn)壓電源生命周期中必須控制的兩個重要環(huán)節(jié)?？删幊讨绷鞣€(wěn)壓電源的研究和開發(fā)需要確?？删幊讨绷鞣€(wěn)壓電源的性能可以滿足我們的要求規(guī)范,并確?？删幊讨绷鞣€(wěn)壓電源的性能指標(biāo)的正常生命周期可編程直流穩(wěn)壓電源?？删幊讨绷鞣€(wěn)壓電源模塊產(chǎn)品對生產(chǎn)工藝和過程控制要求較高，需要高質(zhì)量的生產(chǎn)設(shè)備和管理才能達(dá)到預(yù)期的產(chǎn)品質(zhì)量?！　”ＷC使用壽命的關(guān)鍵材料可編程直流穩(wěn)壓電源：　　在可編程直流穩(wěn)壓電源的使用壽命和器件的使用之間也滿足了桶效應(yīng)。據(jù)安泰電源維修ZX小編所知，一般只有當(dāng)所有器件的使用壽命達(dá)到規(guī)定的使用壽命時，才能保證可編程直流穩(wěn)壓電源的ZZ使用壽命。一般關(guān)鍵器件都受到高電應(yīng)力、高熱量計的影響，機(jī)器內(nèi)部溫度上升迅速，溫度對器件壽命有很大的影響，所以對器件壽命的ZZ評估就顯得尤為重要。那么，在我們的可編程直流穩(wěn)壓電源中，哪些關(guān)鍵部件是我們需要特別注意的呢?　　1. 電解電容器　　在可編程直流穩(wěn)壓電源器件中，電解電容對溫度最敏感。從這個角度來看，電解電容器的質(zhì)量也在一定程度上決定了可編程直流穩(wěn)壓電源器件的壽命，而交直流可編程直流穩(wěn)壓產(chǎn)品的性能最為突出?！　?. 一次開關(guān)管(MOS管)　　這種開關(guān)裝置處于高速開關(guān)狀態(tài)，電壓應(yīng)力和電流應(yīng)力都很高。開關(guān)損耗引起的加熱也會加速設(shè)備的老化，同時也容易受到外部高壓干擾而擊穿損壞?！　?.高頻電源變壓器　　高頻變壓器在能量傳遞過程中，內(nèi)部損耗會導(dǎo)致其發(fā)熱，所散發(fā)的熱量也會影響變壓器材料的壽命。變壓器常見故障有絕緣層擊穿、繞組燒毀、銅線斷裂等?！　?. 多層陶瓷電容器　　SMT陶瓷電容器存在的ZD問題是其焊點(diǎn)，焊點(diǎn)在一定的應(yīng)力作用下可能出現(xiàn)裂紋。為了將發(fā)生的可能性降到ZD，安泰電源維修ZX小編建議避免多個陶瓷電容器并聯(lián)使用?！　?. 輸出整流二極管　　二極管主要受到兩種主要的電應(yīng)力，包括反向耐壓和正向電流，它們也是加熱裝置。為了保證該裝置的使用壽命，在設(shè)計中我們將流出足夠的余量，ZZ保證可編程直流穩(wěn)壓電源的批量性能。　　6. 光電耦合器　　電流傳遞比(CTR)隨時間減小。為了保持回路穩(wěn)定，LED的電流不斷增加，ZZ達(dá)到極限，導(dǎo)致光耦損壞?！　【C上所述，可編程直流穩(wěn)壓電源模塊的值與模塊本身無關(guān)，而是保證了批量工藝水平的質(zhì)量。消費(fèi)者需要的也是可編程直流穩(wěn)壓電源的安全性和可靠性，從而降低產(chǎn)品的生產(chǎn)和維護(hù)成本。