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2025-04-25 14:13:57離子束沉積: 離子束沉積是一種先進(jìn)的材料表面改性與薄膜制備技術(shù)。它利用高能離子束轟擊靶材，使靶材原子或分子被濺射出來并沉積到基片上，形成薄膜。該技術(shù)具有沉積速率高、薄膜質(zhì)量好、可精確控制薄膜成分和結(jié)構(gòu)等優(yōu)點(diǎn)。離子束沉積在半導(dǎo)體、光學(xué)、航空航天等領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用，可用于制備功能薄膜、提高材料表面硬度、耐磨性和耐腐蝕性等。

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物理研究所懷柔研究部采購離子束濺射沉積系統(tǒng)(50-100萬)征求意見

中科院物理研究所懷柔研究部離子束濺射沉積系統(tǒng)采購項(xiàng)目，采購預(yù)算人民幣93萬元。

1504
2021-12-12
離子束濺射沉積系統(tǒng)

離子束沉積文章

KRi 射頻離子源 IBSD 離子束濺射沉積應(yīng)用

 伯東企業(yè)（上海）有限公司 147
2023-04-12
KRi 射頻離子源 IBSD 離子束濺射沉積應(yīng)用

 伯東企業(yè)（上海）有限公司 194
2023-03-21

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離子束沉積問答

2022-11-25 16:10:30離子束刻蝕（IBE）技術(shù)研究: 離子束刻蝕（IBE）技術(shù)研究 1.離子束刻蝕（IBE）技術(shù)的原理？離子束刻蝕（IBE，Ion Beam Etching）也稱為離子銑（IBM，Ion Beam Milling），也有人稱之為離子濺射刻蝕，是利用輝光放電原理將氬氣分解為氬離子，氬離子經(jīng)過陽極電場(chǎng)的加速對(duì)樣品表面進(jìn)行物理轟擊，以達(dá)到刻蝕的作用。刻蝕過程即把Ar氣充入離子源放電室并使其電離形成等離子體，然后由柵極將離子呈束狀引出并加速，具有一定能量的離子束進(jìn)入工作室，射向固體表面轟擊固體表面原子，使材料原子發(fā)生濺射，達(dá)到刻蝕目的，屬純物理刻蝕。工件表面有制備溝槽的掩膜，最后裸露的部分就會(huì)被刻蝕掉，而掩膜部分則被保留，形成所需要的溝槽圖形。離子束刻蝕使高方向性的中性離子束能夠控制側(cè)壁輪廓，優(yōu)化納米圖案化過程中的徑向均勻性和結(jié)構(gòu)形貌。另外傾斜結(jié)構(gòu)可以通過傾斜樣品以改變離子束的撞擊方向這一獨(dú)特能力來實(shí)現(xiàn)。在離子束刻蝕過程中，通常情況下，樣品表面采用厚膠作為掩模層，刻蝕期間富有能量的離子流會(huì)使得基片和光刻膠過熱。為了便于后面光刻膠的剝離清洗，一般需要對(duì)樣品臺(tái)進(jìn)行冷卻處理，使整個(gè)刻蝕過程中溫度控制在一個(gè)比較好的范圍。圖1 離子束刻蝕設(shè)備結(jié)構(gòu)圖圖2 離子束刻蝕工藝原理圖 2.離子束刻蝕（IBE）適合的材料體系？可用于刻蝕加工各種金屬（Ni、Cu、Au、Al、Pb、Pt、Ti等）及其合金，以及非金屬、氧化物、氮化物、碳化物、半導(dǎo)體、聚合物、陶瓷、紅外和超導(dǎo)等材料。目前離子束刻蝕在非硅材料方面優(yōu)勢(shì)明顯，在聲表面波、薄膜壓力傳感器、紅外傳感器等方面具有廣泛的用途。 3. 離子束刻蝕（IBE）技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)？a 優(yōu)點(diǎn)：（1）方向性好、無鉆蝕、陡直度高；（2）刻蝕速率可控性好，圖形分辨率高，可達(dá)0.01um；（3）屬于物理刻蝕，可以刻蝕各種材料（Si、SiO2、GaAs、Ag、Au、光刻膠等）；（4）刻蝕過程中可改變離子束入射角來控制圖形輪廓，加工特殊的結(jié)構(gòu)；b 缺點(diǎn)：（1）刻蝕速率慢、效率比ICP更低；（2）難以完成晶片的深刻蝕；（3）屬于物理刻蝕，常常會(huì)有過刻的現(xiàn)象。 4.反應(yīng)離子束刻蝕（RIBE）技術(shù)簡(jiǎn)介及優(yōu)點(diǎn)？反應(yīng)離子束刻蝕（RIBE）是在離子束刻蝕的基礎(chǔ)上，增加了腐蝕性氣體，因此它不但保留了離子束物理刻蝕能力，還增加了腐蝕性氣體（氟基氣體、O2）離化后對(duì)樣品的化學(xué)反應(yīng)能力（反應(yīng)離子束刻蝕：RIBE），也支持腐蝕性氣體非離化態(tài)的化學(xué)輔助刻蝕能力（化學(xué)輔助離子束刻蝕：CAIBE），對(duì)適用于化學(xué)輔助的材料可以大幅度提升刻蝕速率，提高刻蝕質(zhì)量。 5. 離子束刻蝕（IBE）的案例展示典型應(yīng)用：1、三族和四族光學(xué)零件2、激光光柵3、高深寬比的光子晶體刻蝕4、在二氧化硅、硅和金屬上深溝刻蝕5、微流體傳感器電極6、測(cè)熱式微流體傳感器

2022-08-16 21:44:30福州大學(xué)離子束刻蝕機(jī)順利驗(yàn)收: 福州大學(xué)離子束刻蝕機(jī)順利驗(yàn)收烈日炎炎，熱情滿心間！后疫情時(shí)代，NANO-MASTER工程師步履不停，一站接一站為客戶提供設(shè)備安裝調(diào)試服務(wù)。首站福州大學(xué)，那諾-馬斯特工程師已順利安裝驗(yàn)收NIE-3500型離子束刻蝕機(jī)！性能配置：離子束刻蝕機(jī)用于刻蝕金屬和介質(zhì)，z大可支持6”晶圓。配套美國(guó)考夫曼-羅賓遜 KDC160離子槍，650mA，100-1200V?？涛g速率：~250A/min對(duì)Au；刻蝕均勻度：對(duì)4”片，片內(nèi)均勻性優(yōu)于±3%，重復(fù)性優(yōu)于±3%。樣品臺(tái)可旋轉(zhuǎn)，轉(zhuǎn)速0-30RPM精確可控；可任意角度傾斜，支持斜齒刻蝕；帶水冷功能，刻蝕后易去除光刻膠。極限真空12小時(shí)可達(dá)6x10-7Torr，15分鐘可達(dá)10-6Torr量級(jí)的真空；采用雙真空計(jì)，長(zhǎng)期可靠，使用穩(wěn)定。14”不銹鋼立方腔體，配套一臺(tái)主控計(jì)算機(jī)，20”觸摸屏監(jiān)控，配合Labview軟件，實(shí)現(xiàn)計(jì)算機(jī)全自動(dòng)工藝控制，并可在電源中斷情況下安全恢復(fù)；完全的安全聯(lián)鎖；支持百級(jí)超凈間使用。驗(yàn)收培訓(xùn)：安裝調(diào)試視頻：

2023-08-09 15:13:49原子層沉積ALD在納米材料方面的應(yīng)用: 在微納集成器件進(jìn)一步微型化和集成化的發(fā)展趨勢(shì)下，現(xiàn)有器件特征尺寸已縮小至深亞微米和納米量級(jí)，以突破常規(guī)尺寸的極限實(shí)現(xiàn)超微型化和高功能密度化，成為近些年來的熱點(diǎn)研究領(lǐng)域。微納結(jié)構(gòu)器件不僅對(duì)功能薄膜本身的厚度和質(zhì)量要求嚴(yán)格，而且對(duì)功能薄膜/基底之間的界面質(zhì)量也十分敏感，尤其是隨著復(fù)雜高深寬比和多孔納米結(jié)構(gòu)在微納器件中的應(yīng)用，傳統(tǒng)的薄膜制備工藝越來越難以滿足其發(fā)展需求。ALD 技術(shù)沉積參數(shù)高度可控，可在各種尺寸的復(fù)雜三維微納結(jié)構(gòu)基底上，實(shí)現(xiàn)原子級(jí)精度的薄膜形成和生長(zhǎng)，可制備出高均勻性、高精度、高保形的納米級(jí)薄膜。微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)是尺寸在幾毫米乃至更小的高科技裝置，其內(nèi)部結(jié)構(gòu)一般在微米甚至納米量級(jí)，是一個(gè)獨(dú)立的智能系統(tǒng)，主要由傳感器、動(dòng)作器(執(zhí)行器)和微能源三大部分組成，廣泛應(yīng)用于智能系統(tǒng)、消費(fèi)電子、可穿戴設(shè)備、智能家居、系統(tǒng)生物技術(shù)的合成生物學(xué)與微流控技術(shù)等領(lǐng)域。MEMS的構(gòu)造過程需要精細(xì)的微納加工技術(shù)，而工作過程伴隨著器件復(fù)雜的三維運(yùn)動(dòng)，其中ALD技術(shù)均可發(fā)揮重要作用，ALD具有高致密性以及高縱寬比結(jié)構(gòu)均勻性，為MEMS機(jī)械耐磨損層、抗腐蝕層、介電層、憎水涂層、生物相容性涂層、刻蝕掩膜層等提供優(yōu)質(zhì)解決方案。磁隧道結(jié)(MTJ)是由釘扎層、絕緣介質(zhì)層和自由由層的多層堆垛組成。在電場(chǎng)作用下，電子會(huì)隧穿絕緣層勢(shì)壘而垂直穿過器件，電子隧穿的程度依賴于釘扎層和自由層的相對(duì)磁化方向。隨著MTJ尺寸的不斷縮小以及芯片集成度的不斷提高，MTJ制備過程中的薄膜生長(zhǎng)工藝偏差和刻蝕工藝偏差的存在，將會(huì)導(dǎo)致MTJ狀態(tài)切換變得不穩(wěn)定，并降低MTJ的讀取甚至?xí)?yán)重影響NV-FA電路中寫入功能和邏輯運(yùn)算結(jié)果輸出功能的正確性。ALD技術(shù)沉積參數(shù)高度可控，可通過精準(zhǔn)控制循環(huán)數(shù)來控制MTJ所需達(dá)到的各項(xiàng)參數(shù)，是適用于MTJ制造的最佳工藝方案之一。生物物理學(xué)微流體器件可由單個(gè)納米孔和電極組成，也可以由許多納米孔陣列組成，可同時(shí)篩選、引導(dǎo)、定位、測(cè)量不同尺度的生物大分子，在生物物理學(xué)和生物技術(shù)領(lǐng)域中有著廣泛的應(yīng)用前景。生物納米孔逐漸受到了人們的普遍重視引起了人們的廣泛興趣，尤其是納米孔作為生物聚合物的檢測(cè)器件，為一些生物化學(xué)現(xiàn)象的基礎(chǔ)研究提供了研究的平臺(tái)。然而生物納米孔所固有的一些缺陷也很明顯，如生物相容性差及微孔的尺寸不可更改等；針對(duì)于此，ALD技術(shù)可通過表面修飾，改善納米孔的生物相容性，同時(shí)提升抗菌抑菌和促進(jìn)細(xì)胞合成。圖一: ALD Al2O3(僅~10 nm)可作為MEMS齒輪高硬度潤(rùn)滑膜圖二：ALD應(yīng)用于低溫MEMS器件構(gòu)造圖三：MRAM磁隧道結(jié)（MTJ）存儲(chǔ)元件圖四：一種具有納米蛛網(wǎng)結(jié)構(gòu)的細(xì)菌纖維素膜

2017-10-23 04:28:15離子束沉積與離子束濺射是一個(gè)意思嗎:

2021-09-06 14:40:15吉時(shí)利皮安表6485/6487在離子束測(cè)量的應(yīng)用: 離子束用于各種應(yīng)用場(chǎng)合，諸如，質(zhì)譜儀和離子注入機(jī)等。離子束電流通常非常?。╩A）, 所以需要使用靜電計(jì)或皮安表來進(jìn)行測(cè)量。今天安泰測(cè)試為大家介紹如何使用吉時(shí)利皮安表6485 型和 6487 型皮安表來進(jìn)行這種測(cè)量工作。在電流靈敏度更高時(shí)，可以改用靜電計(jì)來進(jìn)行測(cè)量。測(cè)量方法如果離子源偏離地電位，那么離子收集電極多半處在地電位。在這種情況下，可以使用簡(jiǎn)單的真空同軸接頭來進(jìn)行從收集電極到皮安計(jì)的連接。圖 1 示出吉時(shí)利皮安計(jì)6485從離子收集電極測(cè)量電流的情況 , 這時(shí)儀器工作在地電位。然而，如果離子源處在地電位，那么離子收集電極必須偏離地電位。6485 型皮安計(jì)只能偏離地電位大約 42V, 所以必須使用能夠浮地電位達(dá) 500V 的吉時(shí)利皮安計(jì)6487 型。圖 2 是 6487 型皮安計(jì)浮地測(cè)量離子束的一個(gè)例子。皮安計(jì)的高端通過三同軸的真空接頭連到離子收集電極。皮安計(jì)的低端由電壓源偏離地電位。出于安全的考慮，當(dāng)偏置電壓大于 42V 時(shí)，應(yīng)當(dāng)使用三同軸的真空接頭。6487 型皮安計(jì)能夠浮地高達(dá) 500V。如果無法找到三同軸的真空接頭，那么可以在絕緣的 BNC 連接處構(gòu)建金屬安全屏蔽（圖 3）。將該金屬安全屏蔽接地。。如果對(duì)地的浮地電壓小于 42V, 那么絕緣的 BNC 接頭就不需要安全屏蔽。圖 1. 帶接地 BNC 插座的離子收集極圖 2. 帶三同軸插座的離子收集電極圖 3. 帶 BNC 插座的離子收集極完成電路連接之后，接通偏置電壓，在沒有離子束電流的情況下進(jìn)行電流測(cè)量，以驗(yàn)證系統(tǒng)能夠正常工作。如果這時(shí)的電流比要測(cè)量的電流大得多，那么系統(tǒng)中一定存在著寄生泄漏通路，必須將其糾正。我們常常需要把離子束電流與時(shí)間的函數(shù)關(guān)系畫成曲線。此項(xiàng)工作可以使用皮安計(jì)的模擬輸出功能來完成或者使用 IEEE-488 總線或 RS-232 接口來采集讀數(shù)，再用繪圖編程軟件包（例如 ExceLINX）或圖表軟件將其畫成曲線。吉時(shí)利皮安表Keithley 6400 系列提供經(jīng)濟(jì)實(shí)惠且專業(yè)的低電流測(cè)量解決方案，可測(cè)量元器件中的超低漏電流、光學(xué)器件中的暗電流以及顯微儀器中的射束電流，備受研發(fā)型企業(yè)和高校的青睞，安泰測(cè)試作為泰克吉時(shí)利的長(zhǎng)期合作伙伴，和廠家一起為用戶提供全面的測(cè)試方案，如果您想了解吉時(shí)利皮安表更多應(yīng)用，歡迎訪問安泰測(cè)試網(wǎng)。