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2025-01-21 09:35:14鈣鈦礦太陽電池
鈣鈦礦太陽電池指利用鈣鈦礦結(jié)構(gòu)材料制成的太陽能電池。具有高光電轉(zhuǎn)換效率、低成本、易制備等特點(diǎn)。能夠直接將太陽能轉(zhuǎn)化為電能，應(yīng)用于太陽能發(fā)電領(lǐng)域。對(duì)推動(dòng)可再生能源發(fā)展、減少碳排放具有重要意義。

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2023-07-21 10:25:31ALD在鈣鈦礦方面的應(yīng)用
    “碳達(dá)峰”和“碳中和”一直都是能源領(lǐng)域的熱點(diǎn)話題，作為助力“雙碳”戰(zhàn)略的生力軍，光伏產(chǎn)業(yè)具有舉足輕重的地位。目前光伏的主力是硅太陽能電池，它們具有效率高、穩(wěn)定性好、產(chǎn)業(yè)鏈完備、使用壽命長的優(yōu)勢(shì)。然而，晶硅電池的轉(zhuǎn)換效率到達(dá)瓶頸，且從硅料到組件至少經(jīng)過4 道工序，單位制程需要3 天以上，同時(shí)還需要大量人力、運(yùn)輸成本等。為了讓太陽能的利用更加便捷、高效且廉價(jià)，科學(xué)界和工業(yè)界正在研制新型太陽能電池；鈣鈦礦太陽能電池就是備受關(guān)注的后起之秀，鈣鈦礦疊層效率極限可達(dá)50%，而鈣鈦礦組件在單一工廠完成生產(chǎn)，原材料經(jīng)過加工后直接成組件，沒有傳統(tǒng)的“電池片”工序，大大縮短制程耗時(shí)。但是，如何制備大面積且能保持較高效率的鈣鈦礦太陽能電池，依然是難題，也成了制約其產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用的瓶頸。       原速ALD在鈣鈦礦電子傳輸層、空穴傳輸層、鈍化層、封裝阻水層等領(lǐng)域已取得了突破性進(jìn)展，獲得了業(yè)界的認(rèn)可。為了更高效地服務(wù)于世界光伏產(chǎn)業(yè)高地，原速也在上海建立了技術(shù)研發(fā)中心。截止目前，公司已形成服務(wù)于鈣鈦礦電池研發(fā)、中試、100MW、 GW級(jí)量產(chǎn)的產(chǎn)線ALD技術(shù)解決方案。1、ALD-SnO2 應(yīng)用于鈣鈦礦電池電子傳輸層 ? ALD 相比于傳統(tǒng)沉積技術(shù)，在制備超薄膜時(shí)具有更優(yōu)異的均勻性和保形性，以及缺陷更少的優(yōu)點(diǎn) 2、ALD-NiO 應(yīng)用于鈣鈦礦電池空穴傳輸層 ? ALD 可用于制備性能優(yōu)異的超?。?/dd>
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2023-07-25 10:40:14半導(dǎo)體和鈣鈦礦材料的高光譜（顯微）成像
目前在光伏業(yè)界，正在進(jìn)行一項(xiàng)重大努力，以提高光伏和發(fā)光應(yīng)用中所用半導(dǎo)體的效率并降低相關(guān)成本。這就需要探索和開發(fā)新的制造和合成方法，以獲得更均勻、缺陷更少的材料。無論是電致還是光致發(fā)光，都是實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的重要工具。通過發(fā)光可以深入了解薄膜內(nèi)部發(fā)生的重組過程， 而無需通過對(duì)完整器件的多層電荷提取來解決復(fù)雜問題。HERA高光譜照相機(jī)是繪制半導(dǎo)體光譜成像的理想設(shè)備，因?yàn)樗軌蚩焖?、定量地繪制半導(dǎo)體發(fā)射光譜圖，且具有高空間分辨率和高光譜分辨率的特性。硅太陽能電池的電致發(fā)光光譜成像光伏設(shè)備中的缺陷會(huì)導(dǎo)致光伏產(chǎn)生的載流子發(fā)生重組，阻礙其提取并降低電池效率。電致發(fā)光光譜成像可以揭示這些有害缺陷的位置和性質(zhì)。"反向"驅(qū)動(dòng)太陽能電池（即施加電流）會(huì)產(chǎn)生電致發(fā)光，因?yàn)檩d流子在電極上被注入并在有源層中重新結(jié)合。在理想的電池中，所有載流子都會(huì)發(fā)生帶間重組，這在硅中會(huì)產(chǎn)生1100 nm附近的光（效率非常低）。然而，晶體結(jié)構(gòu)中的缺陷會(huì)產(chǎn)生其他不利的重組途徑。雖然這些過程通常被稱為"非輻射"重組，但偶爾也會(huì)產(chǎn)生光子，其能量通常低于帶間發(fā)射。捕獲這些非常罕見的光子可以了解缺陷的能量和分布。在本實(shí)驗(yàn)中，我們使用了HERA SWIR (900-1700 nm)，它非常適合測(cè)量硅發(fā)光衰減。測(cè)量裝置如圖1所示：HERA安裝在三腳架上，在太陽能電池上方，連接到一個(gè)10A的電源。640×512像素的傳感器安裝在樣品上方75厘米處，空間分辨率約為250微米。圖1. 實(shí)驗(yàn)裝置最重要的是，HERA光學(xué)系統(tǒng)沒有輸入狹縫，因此光通量非常高，是測(cè)量極微弱光發(fā)射的理想選擇。圖2.A和2.B顯示了兩個(gè)波長的電致發(fā)光（EL）圖像：1150 nm（帶間發(fā)射）和1600 nm（缺陷發(fā)射），這是4次掃描的平均值（總采集時(shí)間：5分鐘）。通過分析這些圖像，我們可以看到，盡管缺陷區(qū)域的亮度遠(yuǎn)低于主發(fā)射區(qū)域，但它們?nèi)员磺逦胤直娉鰜怼４送?，具有?qiáng)缺陷發(fā)射的區(qū)域的帶間發(fā)射相對(duì)較弱。我們可以注意到有幾個(gè)區(qū)域在兩個(gè)波長下都是很暗的；這可能是由于樣品在運(yùn)輸過程中損壞了電池造成的。圖2.C中以對(duì)數(shù)標(biāo)尺顯示了小方塊感興趣區(qū)域（圖2A和2B中所示）的光譜。圖 2.A 和 B：兩個(gè)選定波長（1150 nm 和 1600 nm）的電致發(fā)光（EL）圖像。C：A和B中三個(gè)不同區(qū)域?qū)?yīng)的電致發(fā)光光譜（圖像中的彩色方框）。金屬鹵化物鈣鈦礦薄膜的光致發(fā)光顯微研究通過旋涂等技術(shù)含量低、成本效益高的方法，可以制造出非常高效的太陽能電池和LED。這些方法面臨的一個(gè)挑戰(zhàn)是在微觀長度的尺度上保持均勻的成分。光致發(fā)光顯微鏡是表征這種不均勻性的一個(gè)特別強(qiáng)大的工具。HERA高光譜相機(jī)可以連接到任何顯微鏡（正置或倒置）的c-mount相機(jī)端口，并直接開始采集高光譜數(shù)據(jù)，無需任何校準(zhǔn)程序。圖3. 與尼康LV100直立顯微鏡連接的HERA VIS-NIR。在本實(shí)驗(yàn)中，我們使用HERA VIS-NIR（400-1000 nm）耦合到尼康LV100直立顯微鏡（圖3）來表征兩種鹵化物前驅(qū)體合金的帶隙分布。將兩種鹵化物前驅(qū)體合金化的優(yōu)點(diǎn)是能夠調(diào)整材料的帶隙；然而，這兩種成分經(jīng)常會(huì)發(fā)生逆混合，從而導(dǎo)致性能損失。本實(shí)驗(yàn)的目的是檢測(cè)這種逆混合現(xiàn)象：事實(shí)上，混合比的局部變化會(huì)改變局部帶隙，從而導(dǎo)致發(fā)射不同能量的光子。在這種配置中，激發(fā)光來自汞燈，通過帶通濾光片在350 nm處進(jìn)行濾光，并通過發(fā)射路徑上的二向色鏡將其從相機(jī)中濾除。HERA的高通量使其能夠在大約1分鐘的測(cè)量時(shí)間內(nèi)收集完整的數(shù)據(jù)立方體（130萬個(gè)光譜）。圖4.樣品的光譜綜合強(qiáng)度圖（A：全尺寸；B：放大）。圖4.A和4.B分別顯示了所有波長（400-1000 nm）總集成信號(hào)的全尺寸和放大圖像，揭示了長度尺度在1 μm左右的明亮特征。當(dāng)我們比較亮區(qū)和暗區(qū)的光譜時(shí)（圖5.B中的黑色和紅色曲線），我們發(fā)現(xiàn)暗區(qū)實(shí)際上也有發(fā)射， 不僅強(qiáng)度較低，而且波長中心比亮區(qū)短。事實(shí)上，光譜具有雙峰形狀，很可能與逆混合前驅(qū)體的發(fā)射相對(duì)應(yīng)。圖5.A的發(fā)射圖清楚地顯示了帶隙的這種變化。我們現(xiàn)在可以理解為什么低帶隙區(qū)域看起來更亮了--載流子可能從高帶隙區(qū)域弛豫到那里，并且在發(fā)生輻射重組之前無法返回。圖5.A：顯示平均發(fā)射波長的強(qiáng)度圖。B：亮區(qū)和暗區(qū)的發(fā)射光譜（正?；|隆科技作為NIREOS國內(nèi)總代理公司，在技術(shù)、服務(wù)、價(jià)格上都具有優(yōu)勢(shì)。如果您有任何產(chǎn)品相關(guān)的問題，歡迎隨時(shí)來電垂詢，我們將為您提供專業(yè)的技術(shù)支持與產(chǎn)品服務(wù)。
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2023-08-18 11:29:42用戶前沿丨楊培東 Nature-鈣鈦礦高熵半導(dǎo)體
盡管高熵材料 high-entropy materials是一系列功能材料的極 佳候選者，但其形成通常需要超過1,000°C高溫合成程序，以及復(fù)雜加工技術(shù)，如熱軋。解決高熵材料極端合成要求的途徑之一，應(yīng)該包括設(shè)計(jì)具有離子鍵網(wǎng)絡(luò)和低內(nèi)聚能的晶體結(jié)構(gòu)。今日，美國 加利福尼亞大學(xué)伯克利分校 (University of California, Berkeley) Maria C. Folgueras, Yuxin Jiang，Jianbo Jin & 楊培東Peidong Yang，在Nature上發(fā)文，報(bào)道開發(fā)了一種新型金屬鹵化物鈣鈦礦高熵半導(dǎo)體high-entropy semiconductor，HES單晶的室溫溶液20°C和低溫溶液80°C合成方法因?yàn)榻饘冫u化物鈣鈦礦的軟離子晶格性質(zhì)，這些高熵半導(dǎo)體HES單晶設(shè)計(jì)在立方Cs2MCl6（M=Zr4+, Sn4+, Te4+, Hf4+, Re4+, Os4+, Ir4+ 或 Pt4+）空位有序的雙鈣鈦礦結(jié)構(gòu)上，該雙鈣鈦礦結(jié)構(gòu)來自穩(wěn)定絡(luò)合物在多元素墨水中的自組裝，即在強(qiáng)鹽酸中充分混合的游離Cs+ 陽離子和五或六個(gè)不同[MCl6]2–陰離子八面體分子。所得到的單相單晶跨越五和六個(gè)元素的兩個(gè)高熵半導(dǎo)體HES族，以接近等摩爾比例作為無規(guī)合金near-equimolar ratios占據(jù)M位，并保持整體Cs2MCl6晶體結(jié)構(gòu)和化學(xué)計(jì)量。在高熵5-和6-元素Cs2MCl6單晶中，各種[MCl6]2-八面體分子軌道的無序結(jié)合產(chǎn)生了復(fù)雜的振動(dòng)和電子結(jié)構(gòu)，在5或6個(gè)不同孤立八面體分子的受限激子態(tài)之間，具有能量轉(zhuǎn)移相互作用。High-entropy halide perovskite single crystals stabilized by mild chemistry. 基于溫和化學(xué)，穩(wěn)定高熵化鹵化物鈣鈦礦單晶圖1:高熵五和六元Cs2MX6單晶的合成設(shè)計(jì)。圖2:五和六元高熵鈣鈦礦單晶的相鑒定。圖3:高熵鈣鈦礦單晶的元素分析，以確認(rèn)在M位點(diǎn)上結(jié)合了五或六種元素。圖4:在高熵鈣鈦礦單晶中，M位金屬中心絕 對(duì)構(gòu)型的高分辨結(jié)構(gòu)測(cè)定。圖5:確認(rèn)五或六個(gè)不同[MCl6]2-八面體復(fù)合物的無序性質(zhì)貫穿單相高熵鈣鈦礦系統(tǒng)，沒有微結(jié)構(gòu)晶粒形成。圖6:高熵鈣鈦礦單晶的光電行為。文獻(xiàn)鏈接Folgueras, M.C., Jiang, Y., Jin, J. et al. High-entropy halide perovskite single crystals stabilized by mild chemistry. Nature (2023). https://doi.org/10.1038/s41586-023-06396-8https://www.nature.com/articles/s41586-023-06396-8本文譯自Nature。來源：今日新材料聲明：僅代表譯者個(gè)人觀點(diǎn)，小編水平有限，如有不當(dāng)之處，請(qǐng)?jiān)谙路搅粞灾刚?！儀器推薦愛丁堡儀器穩(wěn)態(tài)瞬態(tài)熒光光譜儀FS5加州大學(xué)伯克利分校楊培東教授團(tuán)隊(duì)開發(fā)了一種新型金屬鹵化物鈣鈦礦高熵半導(dǎo)體溶液合成方法，研究中使用愛丁堡穩(wěn)態(tài)瞬態(tài)熒光光譜儀FS5，通過光致發(fā)光的激發(fā)（PLE）光譜，闡明了五元素ZrSnTeHfPt 單晶中的能量轉(zhuǎn)移現(xiàn)象。愛丁堡穩(wěn)態(tài)瞬態(tài)熒光光譜儀FS5標(biāo)配自動(dòng)濾光片輪，可自動(dòng)獲取完整的三維熒光光譜，去除瑞利散射的影響，因此可進(jìn)一步的通過激發(fā)光譜研究物質(zhì)的能量轉(zhuǎn)移過程。天美分析更多資訊
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2022-12-07 12:22:57用戶成果賞析I Science：鈣鈦礦太陽能電池穩(wěn)定性研究
一、用戶簡介北京理工大學(xué)材料學(xué)院作為國家首批博士學(xué)位授權(quán)點(diǎn)和首批博士后流動(dòng)站，主要致力于在燃燒、爆轟、超高速、超高溫等極端條件下面向裝備服役的先進(jìn)特種材料的研究，同時(shí)促進(jìn)新材料的軍民融合應(yīng)用與協(xié)同發(fā)展，在國防/民用的新能源、阻燃、光電信息等新材料前沿研究方面不斷強(qiáng)化。[1]為對(duì)各類功能材料進(jìn)行全面表征和深入研究，材料學(xué)院于2018年建立了先進(jìn)材料實(shí)驗(yàn)中心，配備了飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀（TOF-SIMS，PHI Nano TOF II）、掃描微聚焦式X射線光電子能譜儀（XPS，PHI Quantera II和PHI Versaprobe III）、高分辨冷場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡（SEM）、原子力顯微鏡（AFM）、多功能X射線衍射儀（XRD）、電感耦合等離子體質(zhì)譜儀（ICP-MS）、液體及固體核磁共振波譜儀（NMR）等近40臺(tái)（套）先進(jìn)的分析測(cè)試儀器設(shè)備，將實(shí)驗(yàn)中心打造成國際一 流的先進(jìn)材料研究平臺(tái)，大力推動(dòng)了學(xué)院在鋰離子電池能源材料、鈣鈦礦發(fā)光材料、光伏材料、阻燃材料等的研究進(jìn)展。[2]二、用戶成果賞析光伏發(fā)電新能源技術(shù)對(duì)于實(shí)現(xiàn)碳中和目標(biāo)具有重要意義。近年來，基于有機(jī)-無機(jī)雜化鈣鈦礦的光電太陽能電池器件取得了飛速的發(fā)展，目前報(bào)道的最 高光電轉(zhuǎn)化效率已接近26%。鹵化物鈣鈦礦材料具有無限的組分調(diào)整空間，因此表現(xiàn)出優(yōu)異的可調(diào)控的光電性質(zhì)。然而，由于多組分的引入，鈣鈦礦材料生長過程中會(huì)出現(xiàn)多相競爭問題，導(dǎo)致薄膜初始組分分布不均一，這嚴(yán)重降低器件效率和壽命。圖1. 鈣鈦礦晶體結(jié)構(gòu)由于目前用于高性能太陽能電池的混合鹵化物過氧化物中的陽離子和陰離子的混合物經(jīng)常發(fā)生元素和相分離，這限制了器件的壽命。對(duì)此，北京理工大學(xué)材料學(xué)院陳棋教授等人研究了二元（陽離子）系統(tǒng)鈣鈦礦薄膜(FA1-xCsxPbI3，F(xiàn)A：甲酰胺)，揭示了鈣鈦礦薄膜材料初始均一性對(duì)薄膜及器件穩(wěn)定性的影響。研究發(fā)現(xiàn)，薄膜在納米尺度的不均一位點(diǎn)會(huì)在外界刺激下快速發(fā)展，導(dǎo)致更為嚴(yán)重的組分分布差異化（如圖2所示），最 終形成熱力學(xué)穩(wěn)定的物相分離，并貫穿整個(gè)鈣鈦礦薄膜，造成材料退化和器件失活。該研究成果以題為“Initializing Film Homogeneity to Retard Phase Segregation for Stable Perovskite Solar Cells”發(fā)表在Science期刊。[3]圖2. 二元 FAC 鈣鈦礦的降解機(jī)制。（A-H）鈣鈦礦薄膜的組分初始分布和在外界刺激下的演變行為。（I-N）熱力學(xué)驅(qū)動(dòng)下，鈣鈦礦薄膜的物相分離現(xiàn)象的TOF-SIMS表征TOF-SIMS作為重要的表面分析方法，具有高檢測(cè)靈敏度（ppm-ppb）、高質(zhì)量分辨率(M/DM>16000)和高空間分辨率(16000)和高空間分辨率(
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2023-05-30 09:50:54蘇大廖良生教授Angewandte：高效鑭系摻雜鈣鈦礦基近紅外LED，通過量子剪裁實(shí)現(xiàn)！| 前沿用戶報(bào)道
成果簡介鈣鈦礦納米晶體(PeNCs)在可見光中具有高效和高色純度的依尺寸和組成而可調(diào)的發(fā)光。然而，在近紅外(NIR)區(qū)域獲得高效的電致發(fā)光(EL)具有挑戰(zhàn)性，限制了其潛在的應(yīng)用。在這里，我們展示了一種高效的近紅外發(fā)光二極管(LED)，通過將鐿離子摻雜到PeNC基質(zhì)(Yb3+: PeNCs)中，將EL波長延長到1000 nm，這是通過PeNC基質(zhì)直接敏化Yb3+離子來實(shí)現(xiàn)的。高效的量子剪裁工藝使Yb3+: PeNCs的光致發(fā)光量子產(chǎn)率(PLQYs)高達(dá)126%。通過鹵化物組成工程和表面鈍化策略來改善PLQY和電荷傳輸平衡，我們展示了一種在990 nm中心波長處峰值EQE為7.7%的高效近紅外LED，代表了發(fā)射波長超過850 nm的最 高效鈣鈦礦基LED。創(chuàng)新點(diǎn)：在本研究中，我們將鐿離子摻雜到鈣鈦礦納米晶體中，使電致發(fā)光波長延長至1000 nm。鹵化物化學(xué)計(jì)量控制和表面鈍化的協(xié)同作用使我們能夠?qū)崿F(xiàn)高效的近紅外LED，峰值EQE為7.7%，是迄今為止峰值波長超過850 nm的OLED和PeLED中效率最 高的。圖文導(dǎo)讀圖1 a) Yb3+:PeNCs的TEM圖像和元素映射，TEM圖像的插入部分顯示了晶體衍射圖樣。b) XRD圖譜，c) IR PLQY, d) PL光譜，e) Yb3+: CsPb(Cl1-xBrx)3 PeNCs的不同鹵化物化學(xué)計(jì)量量的吸收。f) Yb3+: PeNCs的能量轉(zhuǎn)移機(jī)制，三種重組途徑分別記為(1)、(2)、(3)。g)在所選泵-探頭延遲時(shí)的TA光譜。h)不同名義摻雜濃度的Yb3+:PeNCs在450nm處的歸一化TA信號(hào)衰減隨時(shí)間的變化。圖2 a)基于Yb3+: CsPb(Cl1-xBrx)3 NC發(fā)射極的近紅外PeLEDs器件結(jié)構(gòu)示意圖。b)能帶圖。c)近紅外LED內(nèi)部光能通道的功率分布。d)基于Yb3+: CsPbCl1-xBrx NC發(fā)射器的PeLEDs EQE與J特性，僅考慮近紅外峰值計(jì)算EQE。e)不同激子波長下PeNC薄膜的PLQY和近紅外PeLEDs的峰值EQE(平均值)。f) 3.2 V ~ 6 V不同偏差下對(duì)應(yīng)的EL譜，步長為0.2V。插圖顯示了在3.2 V電壓下工作的PeLED的EL譜。圖3a)插圖為BTC的分子結(jié)構(gòu)。b) EQE－電流密度特性。c)原始(藍(lán)色曲線)和鈍化(紅色曲線)LED器件的峰值EQE直方圖?；谠己外g化Yb3+:PeNCs的純空穴器件d)和純電子器件e)的J-V曲線。黑色虛線表示陷阱填充電壓。f)我們的設(shè)備之間的峰值EQE比較，之前報(bào)道的近紅外PeLDs和OLED (EL峰值波長超過850 nm)。圖4 a) Yb3+: PeNCs的表面鈍化機(jī)理。原始Yb3+和鈍化Yb3+的XPS譜: Yb 4d; b)Pb 4f5/2和4f7/2 c)的XPS譜. d)硫氰酸芐酯、原始和鈍化Yb3+: PeNCs的FTIR透射光譜。e)原始和鈍化Yb3+:PeNCs在480 nm波長處獲得的瞬態(tài)PL衰變。f) PeNCs在480 nm處剩余激子發(fā)射的PLQY(藍(lán)色曲線)和Yb3+離子在990 nm處近紅外發(fā)射的PLQY(粉紅色曲線)。論文信息Efficient Near-Infrared Electroluminescence from Lanthanide-Doped Perovskite Quantum CuttersYan-Jun Yu, Chen Zou, Wan-Shan Shen, Xiaopeng Zheng, Qi-Sheng Tian, You-Jun Yu, Chun-Hao Chen, Baodan Zhao, Zhao-Kui Wang, Dawei Di, Osman M. Bakr, Liang-Sheng LiaoFirst published: 25 March 2023 https://doi.org/10.1002/anie.202302005
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