- 2025-01-21 09:36:26納米顆粒粒徑
- 納米顆粒粒徑是指納米顆粒的大小或直徑,是描述納米材料基本物理特性的重要參數(shù)。它直接影響納米顆粒的光學(xué)、電學(xué)、磁學(xué)及催化等性能。粒徑的測(cè)量通常采用動(dòng)態(tài)光散射、電子顯微鏡、X射線衍射等方法。不同粒徑的納米顆粒在生物醫(yī)學(xué)、材料科學(xué)、環(huán)境保護(hù)等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用,如藥物輸送、催化劑制備、污染物處理等??刂萍{米顆粒的粒徑對(duì)于優(yōu)化其性能和應(yīng)用至關(guān)重要。
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納米顆粒粒徑相關(guān)內(nèi)容
納米顆粒粒徑資訊
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- 微小顆粒粒徑的動(dòng)態(tài)光散射測(cè)量技術(shù)已經(jīng)成為一種主要的納米及亞微米級(jí)微小顆粒尺度的測(cè)量方法。
納米顆粒粒徑文章
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- 從納米到微米:一文拆穿激光粒度儀所有技術(shù)路數(shù)的“底牌”
- 實(shí)驗(yàn)室檢測(cè)中,顆粒粒徑分布是表征粉體、生物制劑、半導(dǎo)體材料性能的核心指標(biāo)之一,而激光粒度儀作為跨尺度(納米到微米)檢測(cè)的核心設(shè)備,其技術(shù)邏輯直接決定數(shù)據(jù)可靠性。不同于普通分析儀器,激光粒度儀的“底牌”藏在散射理論適配、組件迭代、數(shù)據(jù)反演三大維度中——這也是不同廠商設(shè)備性能差異的根源。
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- 控制納米金顆粒的粒徑大小和形態(tài)非常重要。本應(yīng)用文檔介紹了測(cè)量 NIST 參考樣品的過(guò)程和結(jié)果
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納米顆粒粒徑問(wèn)答
- 2018-11-30 15:57:50粒徑分析儀測(cè)得的納米顆粒粒徑的準(zhǔn)確率多大
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- 2022-04-24 16:42:23納米多孔氧化鋁
- 本品為化學(xué)法合成的白色球形粉末,無(wú)重金屬、 無(wú)放射性元素。物理指標(biāo)①晶相 γ相②AI2O3含量 ≥99.9③ 介孔 0.38④ 原晶粒度 50-60納米化學(xué)指標(biāo)①本品用于噴墨打印紙的涂層, 為紙張?zhí)岣吖鉂?。②増加涂料的耐磨性,具有助流?提高上粉率、防結(jié)塊等特點(diǎn)應(yīng)用范圍①導(dǎo)熱硅膠②電子灌封膠③粉末涂料公眾號(hào)搜索粉體圈,聯(lián)系報(bào)價(jià)。聯(lián)系方式:400-869-9320轉(zhuǎn)8990更多信息進(jìn)入店鋪查看:https://www.360powder.com/shop.html?shop_id=1727
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- 2023-04-20 09:37:22BeNano 180 Zeta Pro 納米粒度及 Zeta
- BeNano 180 Zeta Pro 納米粒度及 Zeta 電位分析儀BeNano 180 Zeta Pro 納米粒度及 Zeta 電位分析儀——背向 + 90°散射粒度 + Zeta 電位三合一型儀 器 簡(jiǎn) 介BeNano 180 Zeta Pro 納米粒度及Zeta電位分析儀是BeNano 90+BeNano 180+BeNano Zeta 三合一的頂 級(jí)光學(xué)檢測(cè)系統(tǒng)。該系統(tǒng)中集成了背向 +90°動(dòng)態(tài)光散射 DLS、電泳光散射 ELS和靜態(tài)光散射技術(shù) SLS,可以準(zhǔn)確的檢測(cè)顆粒的粒徑及粒徑分布,Zeta 電位,高分子和蛋白體系的分子量信息等參數(shù),可廣泛的應(yīng)用于化學(xué)、化工、生物、制藥、食品、材料等領(lǐng)域的基礎(chǔ)研究和質(zhì)量分析與控制。指標(biāo)與性能Index&performance粒徑測(cè)試原理:動(dòng)態(tài)光散射技術(shù)粒徑范圍:0.3 nm – 15 μm樣品量:3 μL - 1 mL檢測(cè)角度:173°+90°+12°分析算法:Cumulants、通用模式、CONTIN、NNLSZeta電位測(cè)試原理:相位分析光散射技術(shù)檢測(cè)角度:12°Zeta范圍:無(wú)實(shí)際限制電泳遷移率范圍:> ±20 μ.cm/V.s電導(dǎo)率范圍:0 - 260 mS/cmZeta測(cè)試粒徑范圍:2 nm – 110 μm分子量測(cè)試分子量范圍:342 Da – 2 x 107 Da微流變測(cè)試頻率范圍:0.2 – 1.3 x 107 rad/s測(cè)試能力:均方位移、復(fù)數(shù)模量、彈性模量、粘性模量、蠕變?nèi)崃空扯群驼酃饴蕼y(cè)試粘度范圍:0.01 cp – 100 cp折光率范圍:1.3-1.6趨勢(shì)測(cè)試模式:時(shí)間和溫度系統(tǒng)參數(shù)溫控范圍:-15° C - 110° C+/- 0.1°C冷凝控制:干燥空氣或者氮?dú)鈽?biāo)準(zhǔn)激光光源:50 mW 高性能固體激光器, 671 nm相關(guān)器:最快25 ns采樣,最多 4000 通道,1011 動(dòng)態(tài)線性范圍檢測(cè)器:APD (高性能雪崩光電二極管)光強(qiáng)控制:0.0001% - 100%,手動(dòng)或自動(dòng)軟件中文和英文符合21CFR Part 11原理圖儀器檢測(cè)檢測(cè)參數(shù)顆粒體系的光強(qiáng)、體積、面積和數(shù)量分布顆粒體系的 Zeta 電位及其分布分子量分布系數(shù) PD.I擴(kuò)散系數(shù) D流體力學(xué)直徑 D H顆粒間相互作用力因子 k D溶液粘度檢測(cè)技術(shù)動(dòng)態(tài)光散射電泳光散射靜態(tài)光散射
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- 2023-04-25 09:25:28Nicomp? 在線粒度儀用于納米藥物粒度監(jiān)測(cè)
- 在過(guò)去的幾十年中,納米醫(yī)學(xué)研究發(fā)展迅速,大部分重 點(diǎn)放在藥物輸送上。納米顆粒具有降低毒性和副作用等優(yōu)點(diǎn),控制這些納米粒子的大小至關(guān)重要。Nicomp系列的大部分粒度測(cè)量是在實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行的,但現(xiàn)在已經(jīng)有在生產(chǎn)線中進(jìn)行粒度測(cè)量的產(chǎn)品——Nicomp? 在線粒度儀。本應(yīng)用說(shuō)明介紹了 Bind Therapeutics(輝瑞于 2016 年收購(gòu)的資產(chǎn))開(kāi)展的開(kāi)創(chuàng)性工作,將Nicomp? 在線動(dòng)態(tài)光散射測(cè)量納入其 Accurins? 納米粒子候選藥物的制造過(guò)程。引言BIND Therapeutics, Inc. 是一家生物制藥公司,開(kāi)發(fā)稱為 Accurins(見(jiàn)圖 1)的靶向納米粒子技術(shù),用于治 療癌癥和其他具有大量未滿足醫(yī)療需求的嚴(yán)重疾病。通過(guò)結(jié)合控釋聚合物系統(tǒng)、靶向和遞送大量治 療藥物的能力,Bind 正在為一類新型靶向治 療開(kāi)發(fā)一個(gè)納米技術(shù)支持的平臺(tái)。圖 1. BIND Accurins 技術(shù)Accurins 通常是 80-120 nm 的顆粒,由具有活性藥物成分 (API) 核心的聚丙交酯聚乙二醇 (PLA-PEG) 共聚物組成。共聚物的 PLA 部分為包封疏水性 API 提供了一個(gè)可生物降解的、相對(duì)疏水的核心。聚合物的親水性聚乙二醇酯部分期望覆蓋在顆粒的表面,使它們能夠逃避網(wǎng)狀內(nèi)皮系統(tǒng)(RES)吞噬細(xì)胞的調(diào)理和從血液循環(huán)中移除。80-120 nm 的大小非常適合通過(guò)滲漏的脈管系統(tǒng)(增強(qiáng)的通透性和滯留性,或 EPR 效應(yīng))積聚在腫瘤部位,同時(shí)避免被脾 臟過(guò)濾。80-120 nm也是適合所需理化特性的尺寸,可保持高載藥量、控制釋放和加工能力,包括最 終無(wú)菌過(guò)濾和凍干的能力。Accurins 是通過(guò)納米乳液工藝制造的,該工藝使用高壓均化來(lái)剪切分散在不混溶水相中的有機(jī)液滴??刂埔旱纬叽鐚?duì)于確定藥品的最 終尺寸分布十分重要。許多因素會(huì)影響液滴大小,包括原材料屬性、顆粒配方、均質(zhì)機(jī)機(jī)械性能、水相組成和工藝參數(shù)。該批次開(kāi)始生產(chǎn)后,均質(zhì)器壓力是最容易控制來(lái)調(diào)節(jié)尺寸的過(guò)程。BIND 014 是一種 Accurin,開(kāi)發(fā)用于將多西紫杉醇遞送至實(shí)體瘤和癌細(xì)胞,表達(dá)前列腺特異性膜抗原 (PSMA)。這里描述的所有實(shí)驗(yàn)都是針對(duì) BIND-014 Accurins。在線動(dòng)態(tài)光散射動(dòng)態(tài)光散射 (DLS) 可用于測(cè)量亞微米顆粒尺寸,DLS 的工作原理是小顆粒通過(guò)布朗運(yùn)動(dòng)在流體中隨機(jī)移動(dòng)。系統(tǒng)檢測(cè)到布朗運(yùn)動(dòng)引起的平移擴(kuò)散,然后用于求解 Stokes-Einstein 方程以確定粒子大小(方程 1)。其中: D = 擴(kuò)散系數(shù) kB = 波爾茲曼常數(shù) η = 粘度 R = 粒子半徑Nicomp DLS 已在實(shí)驗(yàn)室中成功使用數(shù)十年,Nicomp?在線粒度儀也已有了實(shí)際應(yīng)用。Entegris (Nicomp粒度儀生產(chǎn)商)現(xiàn)在已在客戶制造業(yè)務(wù)中安裝了多個(gè)系統(tǒng),用于在生產(chǎn)運(yùn)行期間跟蹤顆粒大小。在線系統(tǒng)從過(guò)程中取出樣品,稀釋樣品以避免多重散射效應(yīng),測(cè)量樣品,然后重復(fù)該過(guò)程(見(jiàn)圖 2)。完整的測(cè)量周期約為 2 分鐘,為監(jiān)控制造操作的工藝工程師提供連續(xù)的粒度信息。圖 2. DLS 系統(tǒng)簡(jiǎn)圖,帶自動(dòng)稀釋實(shí)驗(yàn)細(xì)節(jié)Entegris Nicomp?在線 DLS 系統(tǒng)安裝在高壓均質(zhì)器的下游,其設(shè)置使其能夠每約 2 分鐘從工藝流中獲取乳液樣品。設(shè)置 DLS 的射流系統(tǒng),使乳液樣品以與下游 Accurin 過(guò)程類似的方式在水中稀釋,并在流通池中自動(dòng)稀釋至產(chǎn)生理想光散射強(qiáng)度(~300 kCt/秒)的濃度。此處描述了三個(gè)批次: 一個(gè)批次由 11 個(gè)過(guò)程樣品和可變壓力制成,在整個(gè)均質(zhì)化過(guò)程中,以建立壓力大小相關(guān)性。在工藝條件略有不同的情況下生產(chǎn)的批次導(dǎo)致前兩個(gè)工藝樣品的尺寸略小于目標(biāo)尺寸。調(diào)整壓力后,尺寸恢復(fù)到最 后四個(gè)樣品的目標(biāo)值。臨床規(guī)模開(kāi)發(fā)批次在以約 5 分鐘的間隔采集的八個(gè)樣本期間展示穩(wěn)定的尺寸讀數(shù),確認(rèn)壓力設(shè)定點(diǎn)是合適的。結(jié)果第 一個(gè)實(shí)驗(yàn)(圖 3 和圖 4)的結(jié)果顯示了我們預(yù)期的壓力與尺寸的關(guān)系。從趨勢(shì)線曲線擬合可以看出,尺寸對(duì)壓力的響應(yīng)為每 1,000 psig 約 9 nm。圖 3. 均質(zhì)機(jī)壓力與粒徑圖 4. 壓力與平均尺寸的相關(guān)性第二個(gè)實(shí)驗(yàn)的初始尺寸讀數(shù)低于目標(biāo)尺寸約 5–7 nm,因此進(jìn)行了壓力調(diào)整(降低 1,000 psig)。在稍后的時(shí)間點(diǎn),平均粒徑按預(yù)期增加了 ~5–10 nm。圖 5. 均質(zhì)器壓力與粒徑最后一組數(shù)據(jù)來(lái)自使用在線分級(jí)器的第 一個(gè)臨床規(guī)模實(shí)驗(yàn)。盡管 BIND 有程序在尺寸超出我們的目標(biāo)范圍時(shí)根據(jù)需要調(diào)整壓力,但沒(méi)有必要這樣做。所有八次測(cè)量都非常接近 100 nm 目標(biāo)。圖 6. 批處理運(yùn)行期間的平均大小結(jié)論Nicomp? 在線 DLS 系統(tǒng)被集成到 Accurin 制造過(guò)程中,用于確定最佳條件并確保在整個(gè)批次中粒徑在所需規(guī)格范圍內(nèi)。進(jìn)行在線測(cè)量可減少進(jìn)行工藝更改與獲取評(píng)估更改是否產(chǎn)生預(yù)期效果所需的粒度數(shù)據(jù)之間的滯后時(shí)間。此外,與將樣品帶到實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行離線批量分析相比,在線分析可以更好地監(jiān)控產(chǎn)品質(zhì)量。在線 DLS 是一種有價(jià)值的過(guò)程分析技術(shù)。
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- 2022-07-14 15:06:51淺談掃描俄歇納米探針
- 簡(jiǎn)介 掃描俄歇納米探針,又稱俄歇電子能譜(Auger Electron Spectroscopy,簡(jiǎn)稱AES)是一種表面科學(xué)和材料科學(xué)的分析技術(shù)。根據(jù)分析俄歇電子的基本特性得到材料表面元素成分(部分化學(xué)態(tài))定性或定量信息??梢詫?duì)納米級(jí)形貌進(jìn)行觀察和成分表征。近年來(lái),隨著超高真空和能譜檢測(cè)技術(shù)的發(fā)展,掃描俄歇納米探針作為一種極為有效的表面分析工具,為探索和研究表面現(xiàn)象的理論和工藝問(wèn)題,做出了巨大貢獻(xiàn),日益受到科研工作者的普遍重視。俄歇電子能譜常常應(yīng)用在包括半導(dǎo)體芯片成分表征等方向發(fā)展歷史 近年來(lái),固體表面分析方法獲得了迅速的發(fā)展,它是目前分析化學(xué)領(lǐng)域中最活躍的分支之一。它的發(fā)展與催化研究、材料科學(xué)和微型電子器件研制等有關(guān)領(lǐng)域內(nèi)迫切需要了解各種固體表面現(xiàn)象密切相關(guān)。各種表面分析方法的建立又為這些領(lǐng)域的研究創(chuàng)造了很有利的條件。在表面組分分析方法中,除化學(xué)分析用光電子能譜以外,俄歇電子能譜是最重要的一種。目前它已廣泛地應(yīng)用于化學(xué)、物理、半導(dǎo)體、電子、冶金等有關(guān)研究領(lǐng)域中。 俄歇現(xiàn)象于1925年由P.Auger發(fā)現(xiàn)。28 年以后,J.J.Lander從二次電子能量分布曲線中第一次辨認(rèn)出俄歇電子譜線, 但是由于俄歇電子譜線強(qiáng)度低,它常常被淹沒(méi)在非彈性散射電子的背景中,所以檢測(cè)它比較困難。 1968年,L.A.Harris 提出了一種“相敏檢測(cè)”方法,大大改善了信噪比,使俄歇信號(hào)的檢測(cè)成為可能。以后隨著能量分析器的完善,使俄歇譜儀達(dá)到了可以實(shí)用的階段。 1969年圓筒形電子能量分析器應(yīng)用于AES, 進(jìn)一步提高了分析的速度和靈敏度。 1970年通過(guò)掃描細(xì)聚焦電子束,實(shí)現(xiàn)了表面組分的兩維分布的分析(所得圖像稱俄歇圖),出現(xiàn)了掃描俄歇微探針儀器。 1972年,R.W.Palmberg利用離子濺射,將表面逐層剝離,獲得了元素的深度分析,實(shí)現(xiàn)了三維分析。至此,俄歇譜儀的基本格局已經(jīng)確定, AES已迅速地發(fā)展成為強(qiáng)有力的固體表面化學(xué)分析方法,開(kāi)始被廣泛使用?;驹?nbsp; 俄歇電子是由于原子中的電子被激發(fā)而產(chǎn)生的次級(jí)電子。當(dāng)原子內(nèi)殼層的電子被激發(fā)形成一個(gè)空穴時(shí),電子從外殼層躍遷到內(nèi)殼層的空穴并釋放出光子能量;這種光子能量被另一個(gè)電子吸收,導(dǎo)致其從原子激發(fā)出來(lái)。這個(gè)被激發(fā)的電子就是俄歇電子。這個(gè)過(guò)程被稱為俄歇效應(yīng)。Auger electron emission 入射電子束和物質(zhì)作用,可以激發(fā)出原子的內(nèi)層電子。外層電子向內(nèi)層躍遷過(guò)程中所釋放的能量,可能以X光的形式放出,即產(chǎn)生特征X射線,也可能又使核外另一電子激發(fā)成為自由電子,這種自由電子就是俄歇電子。對(duì)于一個(gè)原子來(lái)說(shuō),激發(fā)態(tài)原子在釋放能量時(shí)只能進(jìn)行一種發(fā)射:特征X射線或俄歇電子。原子序數(shù)大的元素,特征X射線的發(fā)射幾率較大,原子序數(shù)小的元素,俄歇電子發(fā)射幾率較大,當(dāng)原子序數(shù)為33時(shí),兩種發(fā)射幾率大致相等。因此,俄歇電子能譜適用于輕元素的分析。 如果電子束將某原子K層電子激發(fā)為自由電子,L層電子躍遷到K層,釋放的能量又將L層的另一個(gè)電子激發(fā)為俄歇電子,這個(gè)俄歇電子就稱為KLL俄歇電子。同樣,LMM俄歇電子是L層電子被激發(fā),M層電子填充到L層,釋放的能量又使另一個(gè)M層電子激發(fā)所形成的俄歇電子。 只要測(cè)定出俄歇電子的能量,對(duì)照現(xiàn)有的俄歇電子能量圖表,即可確定樣品表面的成份。由于一次電子束能量遠(yuǎn)高于原子內(nèi)層軌道的能量,可以激發(fā)出多個(gè)內(nèi)層電子,會(huì)產(chǎn)生多種俄歇躍遷,因此,在俄歇電子能譜圖上會(huì)有多組俄歇峰,雖然使定性分析變得復(fù)雜,但依靠多個(gè)俄歇峰,會(huì)使得定性分析準(zhǔn)確度很高,可以進(jìn)行除氫氦之外的多元素一次定性分析。同時(shí),還可以利用俄歇電子的強(qiáng)度和樣品中原子濃度的線性關(guān)系,進(jìn)行元素的半定量分析,俄歇電子能譜法是一種靈敏度很高的表面分析方法。其信息深度為5nm以內(nèi),檢出限可達(dá)到0.1%atom。是一種很有用的分析方法。系統(tǒng)組成 AES主要由超高真空系統(tǒng)、肖特基場(chǎng)發(fā)射電子槍、CMA同軸式筒鏡能量分析器、五軸樣品臺(tái)、離子槍等組成。以ULVAC-PHI的PHI 710舉例,其核心分析能力為25 kV肖特基熱場(chǎng)發(fā)射電子源,與筒鏡式電子能量分析器CMA同軸。伴隨著這一核心技術(shù)是閃爍二次電子探測(cè)器、 高性能低電壓浮式氬濺射離子槍、高精度自動(dòng)的五軸樣品臺(tái)和PHI創(chuàng)新的儀器控制和數(shù)據(jù)處理軟件包:SmartSoft AES ? 和 MultiPak ?。并且,目前ULVAC-PHI的PHI 710可以擴(kuò)展冷脆斷樣品臺(tái)、EDS、EBSD、BSE、FIB等技術(shù),深受廣大用戶認(rèn)可。PHI710激發(fā)源,分析器和探測(cè)器結(jié)構(gòu)示意圖: 為滿足當(dāng)今納米材料的應(yīng)用需求,PHI 710提供了最高穩(wěn)定性的 AES 成像平臺(tái)。隔聲罩、 低噪聲電子系統(tǒng)、 穩(wěn)定的樣品臺(tái)和可靠的成像匹配軟件可實(shí)現(xiàn) AES對(duì)納米級(jí)形貌特征的成像和采譜。 真正的超高真空(UHV)可保證分析過(guò)程中樣品不受污染,可進(jìn)行明確、準(zhǔn)確的表面表征。測(cè)試腔室的真空是由差分離子泵和鈦升華泵(TSP)抽氣實(shí)現(xiàn)的。肖特基場(chǎng)發(fā)射源有獨(dú)立的抽氣系統(tǒng)以確保發(fā)射源壽命。最新的磁懸浮渦輪分子泵技術(shù)用于系統(tǒng)粗抽,樣品引入室抽真空,和差分濺射離子槍抽氣。為了連接其他分析技術(shù),如EBSD、 FIB、 EDS 和BSE,標(biāo)配是一個(gè)多技術(shù)測(cè)試腔體。 PHI 710 是由安裝在一個(gè)帶有 Microsoft Windows ? 操作系統(tǒng)的專用 PC 里的PHI SmartSoft-AES 儀器操作軟件來(lái)控制的。所有PHI電子光譜產(chǎn)品都包括執(zhí)行行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 PHI MultiPak 數(shù)據(jù)處理軟件用于獲取數(shù)據(jù)的最大信息。710 可應(yīng)用互聯(lián)網(wǎng),使用標(biāo)準(zhǔn)的通信協(xié)議進(jìn)行遠(yuǎn)程操作。AES的應(yīng)用 掃描俄歇納米探針可分析原材料(粉末顆粒,片材等)表面組成,晶粒觀察,金相分布,晶間晶界偏析,又可以分析材料表面缺陷如納米尺度的顆粒物、磨痕、污染、腐蝕、摻雜、吸附等,還具備深度剖析功能表征鈍化層,包覆層,摻雜深度,納米級(jí)多層膜層結(jié)構(gòu)等。AES的分析深度4-50 ?,二次電子成像的空間分辨可達(dá) 3納米,成分分布像可達(dá)8納米,分析材料表面元素組成 (Li ~ U),是真正的納米級(jí)表面成分分析設(shè)備??蓾M足合金、催化、半導(dǎo)體、能源電池材料、電子器件等材料和產(chǎn)品的分析需求。AES 應(yīng)用的幾種例子,從左到右為半導(dǎo)體FIB-cut,鋰電陰極向陶瓷斷面分析小結(jié)本文小編粗淺的介紹了俄歇電子能譜AES的一些基礎(chǔ)知識(shí),后續(xù)我們還會(huì)提供更有價(jià)值的知識(shí)和信息,希望大家持續(xù)關(guān)注“表面分析家”!
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