單晶硅材料可以用于制造太陽能電池、半導(dǎo)體器件等，由于其應(yīng)用領(lǐng)域的特殊性要求其純度達(dá)到99.9999%甚至更高。在單晶硅生產(chǎn)過程中由原料及方法等因素難以避免的引入了碳、氧等雜質(zhì)，直接影響了單晶硅的性能。因而需對單晶硅材料中的氧碳含量進(jìn)行控制。依據(jù)GB/T 1558-2009和GB/T 1557-2006，紅外光譜法可以在對單晶硅中代位碳和間隙氧進(jìn)行定性的同時進(jìn)行定量測定,具有快速、方便、準(zhǔn)確的優(yōu)點(diǎn)。