溫度范圍： -70℃ 至 +150℃ 。

溫度均勻度： ±2℃ 。

升溫/降溫速率： 可調(diào)節(jié)，升溫速率不低于 5℃/min，降溫速率不低于 3℃/min 。

包括電源、信號(hào)發(fā)生器、示波器、邏輯分析儀等。

用于記錄溫度和集成電路的性能參數(shù)。

對(duì)集成電路進(jìn)行外觀檢查，確保無(wú)明顯缺陷。

對(duì)大型高低溫試驗(yàn)箱進(jìn)行預(yù)熱和校準(zhǔn)，確保溫度控制準(zhǔn)確。

將集成電路安裝在測(cè)試夾具上，連接好測(cè)試設(shè)備。

在常溫（25℃）下，對(duì)集成電路進(jìn)行功能測(cè)試，記錄其各項(xiàng)性能參數(shù)，如工作電壓、電流、頻率、邏輯電平、輸出信號(hào)等。

將集成電路放入大型高低溫試驗(yàn)箱中，設(shè)置溫度為 -70℃ ，以一定的降溫速率降溫至目標(biāo)溫度，并保持一定時(shí)間。

在低溫環(huán)境下，對(duì)集成電路進(jìn)行性能測(cè)試，記錄數(shù)據(jù)。

從 -70℃ 升溫至 +150℃ ，以一定的升溫速率升溫至目標(biāo)溫度，并保持一定時(shí)間。

在高溫環(huán)境下，對(duì)集成電路進(jìn)行性能測(cè)試，記錄數(shù)據(jù)。

設(shè)定多個(gè)溫度循環(huán)，如從 -70℃ 升溫至 +150℃ ，再降溫至 -70℃ ，每個(gè)循環(huán)保持一定時(shí)間。

在每個(gè)循環(huán)結(jié)束后，對(duì)集成電路進(jìn)行性能測(cè)試。

將集成電路從試驗(yàn)箱中取出，恢復(fù)至常溫。

再次對(duì)集成電路進(jìn)行常溫性能測(cè)試，與實(shí)驗(yàn)前的常溫性能數(shù)據(jù)進(jìn)行對(duì)比。

在實(shí)驗(yàn)過(guò)程中，通過(guò)數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)實(shí)時(shí)采集試驗(yàn)箱內(nèi)的溫度以及集成電路的各項(xiàng)性能參數(shù)。

分析集成電路在不同溫度條件下的性能變化趨勢(shì)。

比較低溫、高溫和溫度循環(huán)測(cè)試前后集成電路性能參數(shù)的差異。

根據(jù)數(shù)據(jù)分析結(jié)果，評(píng)估集成電路的溫度適應(yīng)性和可靠性。