半導體硅材料中磷含量的高低，直接影響器件的電性能隨著硅材料研究及生產(chǎn)的不斷提高，對于原材料三氯氫硅中磷的測試靈敏度速度準確度提出更高要求 三氯氫硅中雜質(zhì)磷的分析，傳統(tǒng)的方法為將雜質(zhì)磷轉(zhuǎn)變成磷鉬雜多酸，再還原成磷鉬藍進行比色測定在此基礎上后來有改進，諸如經(jīng)苯肟酮或硫氰化銨比色測定鉬，或利用化學光譜法測出鉬量進而間接換算出磷含量；加大取樣量等雖然在靈敏度上有一定提高，但都要經(jīng)過使磷形成磷鉬雜多酸這一過程為要形成穩(wěn)定的絡合物來分離基本和消除雜質(zhì)干擾，化學分離手續(xù)相當繁雜，分析時間長，而且，測定靈敏度也不能滿足生產(chǎn)上的要求