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產(chǎn)品特點：

華科智源功率半導(dǎo)體參數(shù)測試儀，測試二極管、IGBT，MOS管，SIC器件靜態(tài)參數(shù)，并生產(chǎn)器件傳輸曲線和轉(zhuǎn)移曲線，測試1600A，5000V以下的各種功率器件，廣泛應(yīng)用于器件設(shè)計，封裝測試，軌道交通，電動汽車，風(fēng)力發(fā)電，變頻器，焊機等行業(yè)的IGBT來料選型和失效分析。

產(chǎn)品詳情：

HUSTEC華科智源

HUSTEC-1600A-MT

功率半導(dǎo)體參數(shù)測試儀

一：功率半導(dǎo)體參數(shù)測試儀主要特點

華科智源HUSTEC-1600A-MT靜態(tài)測試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測試，還可以測量大功率二極管、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V-I 特性測試，測試600A（可擴展至2000A），5000V以下的各種功率器件，廣泛應(yīng)用于軌道交通，電動汽車，風(fēng)力發(fā)電，變頻器，焊機行業(yè)的IGBT來料選型和失效分析，設(shè)備還可以用于變頻器，風(fēng)電，軌道交通，電焊機等行業(yè)的在線檢修，無需從電路板上取下來進(jìn)行單獨測試，可實現(xiàn)在線IGBT檢測，測試方便，測試過程簡單，既可以在測試主機里設(shè)置參數(shù)直接測試，又可以通過軟件控制主機編程后進(jìn)行自動測試，通過電腦操作完成 IGBT 的靜態(tài)參數(shù)測試；

功率半導(dǎo)體參數(shù)測試儀測試參數(shù)：

ICES 集電極-發(fā)射極漏電流

IGESF 正向柵極漏電流

IGESR 反向柵極漏電流

BVCES 集電極-發(fā)射極擊穿電壓

VGETH 柵極-發(fā)射極閾值電壓

VCESAT 集電極-發(fā)射極飽和電壓

ICON 通態(tài)電極電流

VGEON 通態(tài)柵極電壓

VF 二極管正向?qū)▔航?/p>

整個測試過程自動完成，電腦軟件攜帶數(shù)據(jù)庫管理查詢功能，可生成測試曲線，方便操作使用。

二：華科智源功率半導(dǎo)體參數(shù)測試儀應(yīng)用范圍

A：IGBT單管及模塊，

B：大功率場效應(yīng)管（Mosfet）

C：大功率二極管

D：標(biāo)準(zhǔn)低阻值電阻

E：軌道交通，風(fēng)力發(fā)電，新能源汽車，變頻器，焊機等行業(yè)篩選以及在線故障檢測

三、華科智源功率半導(dǎo)體參數(shù)測試儀特征：

A：測量多種IGBT、MOS管

B：脈沖電流1200A，電壓5KV，測試范圍廣；

C：脈沖寬度 50uS~300uS

D：Vce測量精度2mV

E：Vce測量范圍>10V

F：電腦圖形顯示界面

G：智能保護(hù)被測量器件

H：上位機攜帶數(shù)據(jù)庫功能

I：MOS IGBT內(nèi)部二極管壓降

J : 一次測試IGBT全部靜態(tài)參數(shù)

K: 生成測試曲線（IV曲線直觀看到IGBT特性，可以做失效分析以及故障定位）

L:可以進(jìn)行不同曲線的對比，觀測同一批次產(chǎn)品的曲線狀態(tài)，或者不同廠家同一規(guī)格參數(shù)的曲線對比；

序號	測試項目	描述	測量范圍	分辨率	精度
1	VF	二極管正向?qū)▔航?/p>	0~20V	1mV	±1%,±1mV
2	IF	二極管正向?qū)娏?/p>	0~1200A	≤200A時,0.1A	≤200A時,±1%±0.1A
3	IF	二極管正向?qū)娏?/p>	0~1200A	＞200A時,1A	＞200A時,±1%
4	Vces	集電極-發(fā)射極電壓	0~5000V	1V	±1%,±1V
5	Ic	通態(tài)集電極電流	0~1200A	≤200A時,0.1A	≤200A時,±1%±0.1A
6	Ic	通態(tài)集電極電流	0~1200A	＞200A時,1A	＞200A時,±1%
7	Ices	集電極-發(fā)射極漏電流	0~50mA	1nA	±1%,±10μA
8	Vgeth	柵極-發(fā)射極閾值電壓	0~20V	1mV	±1%,±1mV
9	Vcesat	集電極-發(fā)射極飽和電壓	0~20V	1mV	±1%,±1mV
10	Igesf	正向柵極漏電流	0~10uA	1nA	±2%,±1nA
11	Igesr	反向柵極漏電流	0~10uA	1nA	±2%,±1nA
12	Vges	柵極發(fā)射極電壓	0~40V	1mV	±1%,±1mV

測試參數(shù)：

ICES 集電極-發(fā)射極漏電流

IGESF 正向柵極漏電流

IGESR 反向柵極漏電流

BVCES 集電極-發(fā)射極擊穿電壓

VGETH 柵極-發(fā)射極閾值電壓

VCESAT 集電極-發(fā)射極飽和電壓

ICON 通態(tài)電極電流

VGEON 通態(tài)柵極電壓

VF 二極管正向?qū)▔航?/p>

IGBT靜態(tài)參數(shù)測試儀整個測試過程自動完成，電腦軟件攜帶數(shù)據(jù)庫管理查詢功能，可生成測試曲線，方便操作使用

1) 物理規(guī)格

設(shè)備尺寸：500（寬）x 450（深）x 250（高）mm；

質(zhì)量：30kg

2) 環(huán)境要求

海拔高度：海拔不超過 1000m；

儲存環(huán)境：-20℃～50℃；

工作環(huán)境：15℃～40℃。

相對濕度：20%RH ~ 85%RH ；

大氣壓力：86Kpa～ 106Kpa。

防護(hù)：無較大灰塵，腐蝕或爆炸性氣體，導(dǎo)電粉塵等空氣污染的損害；

3) 水電氣 用電要求：AC220V，±10%；

電網(wǎng)頻率：50Hz±1Hz

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1、STD2000/半導(dǎo)體分立器件靜態(tài)參數(shù)測試儀系統(tǒng) 2、一機多用：一臺設(shè)備可以覆蓋常見的很多元器件，如Si,SiC,GaN & IGBT、Mosfet、Diode、BJT、SCR、OC/光耦等 3、分辨率高：Z高至1.5uV / 1.5pA， 4、精度有保證：0.1% / 16 位 ADC、1M/S 采樣率 5、測試參數(shù)全面：靜態(tài)參數(shù)+IV曲線（如擊穿電壓V(BR)CES/V(BR)DSs、漏電流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、閾值電壓/VGE(th)、開啟電壓/VCE(on)、跨導(dǎo)/Gfe/Gfs、壓降/Vf、內(nèi)阻Rds(on)）/6、高壓源：標(biāo)配1400V 選配2KV/7、高流源：標(biāo)配100A 選配40A,200A,500A 8、柵極電壓：40V 9、柵極電流：100mA; 功率半導(dǎo)體參數(shù)測試儀

華科智源功率器件測試儀，測試二極管、IGBT，MOS管，SIC器件靜態(tài)參數(shù)，并生產(chǎn)器件傳輸曲線和轉(zhuǎn)移曲線，測試1600A，5000V以下的各種功率器件，廣泛應(yīng)用于器件設(shè)計，封裝測試，軌道交通，電動汽車，風(fēng)力發(fā)電，變頻器，焊機等行業(yè)的IGBT來料選型和失效分析。; 功率半導(dǎo)體參數(shù)測試儀

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