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儀器網>產品中心> 物性測試儀器>其它>介電常數測定儀/介質損耗測試儀>金屬氧化物介電常數測定儀

金屬氧化物介電常數測定儀

¥20000 (具體成交價以合同協(xié)議為準)
北京北廣精儀 GDAT-A 北京 海淀區(qū) 2026-04-08 08:23:16
售全國 入駐:11年 等級:金牌 營業(yè)執(zhí)照已審核
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核心參數

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產品特點:

金屬氧化物介電常數測定儀技術參數:
Q值測量
a.Q值測量范圍:2~1023。
b.Q值量程分檔:30、100、300、1000、自動換檔或手動換檔。
c.標稱誤差
頻率范圍(100kHz~10MHz): 頻率范圍(10MHz~160MHz):
固有誤差:≤5%±滿度值的2% 固有誤差:≤6%±滿度值的2%
工作誤差:≤7%±滿度值的2% 工作誤差:≤8%±滿度值的2%
2.電感測量范圍:4.5nH~7.9mH
3.電容測量:1~205
主電容調節(jié)范圍:18~220pF

產品詳情:

金屬氧化物介電常數測定儀準確度:150pF以下±1.5pF; 150pF以上±1%注:大于直接測量范圍的電容測量見后頁使用說明

信號源頻率覆蓋范圍頻率范圍CH1:0.1~0.999999MHz, CH2: 1~9.99999MHz,
CH3:10~99.9999MHz, CH1 :100~160MHz,Q合格指示預置功能:      預置范圍:5~1000。
測試儀正常工作條件
a.  環(huán)境溫度:0℃~+40℃;
b.相對濕度:<80%;
c.電源:220V±22V,50Hz±2.5Hz。
其他
a.消耗功率:約25W;
b.凈重:約7kg;
c. 外型尺寸:(l×b×h)mm:380×132×280。

1  測量范圍及誤差

 本電橋的環(huán)境溫度為20±5℃,相對濕度為30%-80%條件下,應滿足下列表中的技術指示要求。

  在Cn=100pF    R4=3183.2(W)(即10K/π)時

    測量項目       測量范圍             測量誤差               

    電容量Cx       40pF--20000pF      ±0.5%  Cx±2pF     

    介質損耗tgd      0~1              ±1.5%tgdx±0.0001

    在Cn=100pF      R4=318.3(W)(即1K/π)時

    測量項目       測量范圍             測量誤差               

    電容量Cx       4pF--2000pF      ±0.5%  Cx±3pF     

    介質損耗tgd      0~0.1          ±1.5%tgdx±0.0001

GDAT-S3.png

金屬氧化物介電常數測定儀

特點:優(yōu)化的測試電路設計使殘值更小◆ 高頻信號采用數碼調諧器和頻率鎖定技術◆ LED 數字讀出品質因數,手動/自動量程切換◆ 自動掃描被測件諧振點,標頻單鍵設置和鎖定,大大提高測試速度

作為新一代的通用、多用途、多量程的阻抗測試儀器,測試頻率上限達到目前國內高的160MHz。1 雙掃描技術 - 測試頻率和調諧電容的雙掃描、自動調諧搜索功能。2 雙測試要素輸入 - 測試頻率及調諧電容值皆可通過數字按鍵輸入。3 雙數碼化調諧 - 數碼化頻率調諧,數碼化電容調諧。4 自動化測量技術 -對測試件實施 Q 值、諧振點頻率和電容的自動測量。5 全參數液晶顯示 – 數字顯示主調電容、電感、 Q 值、信號源頻率、諧振指針。6 DDS 數字直接合成的信號源 -確保信源的高葆真,頻率的高精確、幅度的高穩(wěn)定。7 計算機自動修正技術和測試回路優(yōu)化 —使測試回路 殘余電感減至低,徹底 Q 讀數值在不同頻率時要加以修正的困惑。

標準配置:高配Q表 一只  試驗電極  一只 (c類)電感      一套(9只)電源線    一條說明書    一份合格證    一份保修卡    一份

為什么介電常數越大,絕緣能力越強?因為物質的介電常數和頻率相關,通常稱為介電系數。

介電常數又叫介質常數,介電系數或電容率,它是表示絕緣能力特性的一個系數。所以理論上來說,介電常數越大,絕緣性能就越好。

注:這個性質不是成立的。

對于絕緣性不太好的材料(就是說不擊穿的情況下,也可以有一定的導電性)和絕緣性很好的材料比較,這個結論是成立的。

但對于兩個絕緣體就不一定了。

介電常數反映的是材料中電子的局域(local)特性,導電性是電子的全局(global)特征.不是一回事情的。

1)漏導損耗

實際使用中的絕緣材料都不是完善的理想的電介質,在外電場的作用下,總有一些帶電粒子會發(fā)生移動而引起微弱的電流,這種微小電流稱為漏導電流,漏導電流流經介質時使介質發(fā)熱而損耗了電能。這種因電導而引起的介質損耗稱為“漏導損耗”。由于實阿的電介質總存在一些缺陷,或多或少存在一些帶電粒子或空位,因此介質不論在直流電場或交變電場作用下都會發(fā)生漏導損耗。

2)極化損耗

在介質發(fā)生緩慢極化時(松弛極化、空間電荷極化等),帶電粒子在電場力的影響下因克服熱運動而引起的能量損耗。

  一些介質在電場極化時也會產生損耗,這種損耗一般稱極化損耗。位移極化從建立極化到其穩(wěn)定所需時間很短(約為10-16~10-12s),這在無線電頻率(5×1012Hz 以下)范圍均可認為是極短的,因此基本上不消耗能量。其他緩慢極化(例如松弛極化、空間電荷極化等)在外電場作用下,需經過較長時間(10-10s或更長)才達到穩(wěn)定狀態(tài),因此會引起能量的損耗。

若外加頻率較低,介質中所有的極化都能完全跟上外電場變化,則不產生極化損耗。若外加頻率較高時,介質中的極化跟不上外電場變化,于是產生極化損耗。

電離損耗

電離損耗(又稱游離損耗)是由氣體引起的,含有氣孔的固體介質在外加電場強度超過氣孔氣體電離所需要的電場強度時,由于氣體的電離吸收能量而造成指耗,這種損耗稱為電離損耗。

結構損耗

在高頻電場和低溫下,有一類與介質內鄰結構的緊密度密切相關的介質損耗稱為結構損耗。這類損耗與溫度關系不大,耗功隨頻率升高而增大。

試驗表明結構緊密的晶體成玻璃體的結構損耗都很小,但是當某此原因(如雜質的摻入、試樣經淬火急冷的熱處理等)使它的內部結構松散后。其結構耗就會大大升高。

宏觀結構不均勾性的介質損耗

工程介質材料大多數是不均勻介質。例如陶瓷材料就是如此,它通常包含有晶相、玻璃相和氣相,各相在介質中是統(tǒng)計分布口。由于各相的介電性不同,有可能在兩相間積聚了較多的自由電荷使介質的電場分布不均勻,造成局部有較高的電場強度而引起了較高的損耗。但作為電介質整體來看,整個電介質的介質損耗必然介于損耗大的一相和損耗小的一相之間。

表征:

電介質在恒定電場作用下,介質損耗的功率為

中性750.png

  W=U2/R=(Ed)2S/ρd=σE2Sd

定義單位體積的介質損耗為介質損耗率為

ω=σE2

在交變電場作用下,電位移D與電場強度E均變?yōu)閺蛿凳噶?,此時介電常數也變成復數,其虛部就表示了電介質中能量損耗的大小。

D,E,J之間的相位關系圖

D,E,J之間的相位關系圖

如圖所示,從電路觀點來看,電介質中的電流密度為

J=dD/dt=d(εE)/dt=Jτ+iJe

式中Jτ與E同相位。稱為有功電流密度,導致能量損耗;Je,相比較E超前90°,稱為無功電流密度。

定義

tanδ=Jτ/Je=ε〞/εˊ

式中,δ稱為損耗角,tanδ稱為損耗角正切值。

損耗角正切表示為獲得給定的存儲電荷要消耗的能量的大小,是電介質作為絕緣材料使用時的重要評價參數。為了減少介質損耗,希望材料具有較小的介電常數和更小的損耗角正切。損耗因素的倒數Q=(tanδ)-1在高頻絕緣應用條件下稱為電介質的品質因素,希望它的值要高。

工程材料:離子晶體的損耗,離子晶體的介質損耗與其結構的緊密程度有關。

緊密結構的晶體離子都排列很有規(guī)則,鍵強度比較大,如α-Al2O3、鎂橄欖石晶體等,在外電場作用下很難發(fā)生離子松弛極化,只有電子式和離子式的位移極化,所以無極化損耗,僅有的一點損耗是由漏導引起的(包括本質電導和少量雜質引起的雜質電導)。這類晶體的介質損耗功率與頻率無關,損耗角正切隨頻率的升高而降低。因此,以這類晶體為主晶相的陶瓷往往用在高頻場合。如剛玉瓷、滑石瓷、金紅石瓷、鎂橄欖石瓷等

陶瓷材料的介質損耗主要來源于電導損耗、松弛質點的極化損耗和結構損耗。此外,表面氣孔吸附水分、油污及灰塵等造成的表面電導也會引起較大的損耗。

在結構緊密的陶瓷中,介質損耗主要來源于玻璃相。為了改善某些陶瓷的工藝性能,往往在配方中引人此易熔物質(如黏土),形成玻璃相,這樣就使損耗增大。如滑石瓷、尖晶石瓷隨黏土含量增大,介質損耗也增大。因面一般高頻瓷,如氧化鋁瓷、金紅石等很少含有玻璃相。大多數電陶瓷的離子松弛極化損耗較大,主要的原因是:主晶相結構松散,生成了缺固濟體、多品型轉變等。

高分子材料的損耗

高分子聚合物電介質按單體單元偶極矩的大小可分為極性和非極性兩類。一般地,偶極矩在0~0.5D(德拜)范圍內的是非極性高聚物;偶極矩在0.5D以上的是極性高聚物。非極性高聚物具有較低的介電常數和介質損耗,其介電常數約為2,介質損耗小于10-4;極性高聚物則具有較高的介電常數和介質損耗,并且極性愈大,這兩個值愈高。

高聚物的交聯通常能阻礙極性基團的取向,因此熱固性高聚物的介電常數和介質損耗均隨交聯度的提高而下降。酚醛樹脂就是典型的例子,雖然這種高聚物的極性很強,但只要固化比較完全,它的介質損耗就不高。相反,支化使分子鏈間作用力減弱,分子鏈活動能力增強,介電常數和介質損耗均增大。

高聚物的凝聚態(tài)結構及力學狀態(tài)對介電性景響也很大。結品能鏈段上偶極矩的取向極化,因此高聚物的介質損耗隨結晶度升高而下降。當高聚物結晶度大于70%時,鏈段上的偶極的極化有時完全被,介電性能可降至低值,同樣的道理,非晶態(tài)高聚物在玻璃態(tài)下比在高彈態(tài)下具有更低的介質損耗。此外,高聚物中的增塑利、雜質等對介電性能也有很大景響。

介質損耗(dielectric loss )指的是絕緣材料在電場作用下,由于介質電導和介質極化的滯后效應,在其內部引起的能量損耗。也叫介質損失,簡稱介損。

介質損耗因數(dielectric loss factor)指的是衡量介質損耗程度的參數。【依據標準】GB/T 16491、GB/T 1040、GB/T 8808、GB/T 13022、GB/T 2790、GB/T 2791、GB/T 2792、GB/T 16825、GB/T 17200、GB/T 3923.1、GB/T 528、GB/T 2611、GB/T 6344、GB/T 20310、GB/T 3690、GB/T 4944、GB/T 3686、GB/T 529、GB/T 6344、GB/T 10654、HG/T 2580、JC/T 777、QB/T 2171、HG/T 2538、CNS 11888、JIS K6854、PSTC-7、ISO 37、AS 1180.2、BS EN 1979、BSEN ISO 1421、BS EN ISO 1798、BS EN ISO 9163、DIN EN ISO 1798、GOST 18299、DIN 53357、ISO 2285、ISO 34-1、ISO 34-2、BS 903、BS 5131、DIN EN 12803、DIN EN 12995、DIN53507-A、DIN53339、ASTM D3574、ASTM D6644、ASTM D5035、ASTM D2061、ASTM D1445、ASTM D2290、ASTM D412、ASTM D3759/D3759M

微信圖片_20210324151557.jpg

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