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筱曉小課堂 | 光電探測(cè)器基本參數(shù)介紹

來源:筱曉(上海)光子技術(shù)有限公司 更新時(shí)間:2024-01-26 12:00:05 閱讀量:385
導(dǎo)讀:光電探測(cè)器是一種能夠?qū)⒐庑盘?hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)的器件,原理一般是通過光電效應(yīng)來實(shí)現(xiàn)光電轉(zhuǎn)換的。光電探測(cè)器廣泛應(yīng)用于各種光學(xué)和光電子學(xué)領(lǐng)域,如激光測(cè)距、光纖通信、光譜分析等。

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光電探測(cè)器是一種能夠?qū)⒐庑盘?hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)的器件,原理一般是通過光電效應(yīng)來實(shí)現(xiàn)光電轉(zhuǎn)換的。光電探測(cè)器廣泛應(yīng)用于各種光學(xué)和光電子學(xué)領(lǐng)域,如激光測(cè)距、光纖通信、光譜分析等。

PIN型光電探測(cè)器


本次我們將會(huì)介紹光電探測(cè)器的一些常見參數(shù),幫助不熟悉光電探測(cè)器的客戶能大致看懂光電探測(cè)器的參數(shù)表。以這款PIN型光電探測(cè)器為例:銦鎵砷 InGaAs 單元探測(cè)器 PD系列 800~1700nm-筱曉(上海)光子技術(shù)有限公司,MCT探測(cè)器,半導(dǎo)體激光二極管,中紅外QCL激光器,光纖放大器,光電探測(cè)器 (.cn)

InGaAs(銦鎵砷)是探測(cè)器的材料類型,不同的材料響應(yīng)的光波段不同。下面列出幾種常見材料的典型工作波段。

硅:400~1100nm

銦鎵砷:800~1700nm

砷化銦:2.15~3.5um

碲鎘汞:2~12um

砷化稼:500~850nm               

它的工作波長(zhǎng)是800~1700nm,表明該探測(cè)器只對(duì)800~1700nm的光有響應(yīng),這要求您所要探測(cè)的光必須在該范圍內(nèi),否則就需要更換其他波段的材料。

工作帶寬,它表明了該款探測(cè)器能響應(yīng)的光功率變化頻率。

以第一款為例(InGaAs單元探測(cè)器 100MHz-筱曉(上海)光子技術(shù)有限公司,MCT探測(cè)器,半導(dǎo)體激光二極管,中紅外QCL激光器,光纖放大器,光電探測(cè)器 (.cn))它的帶寬是100MHz,那么它就可以響應(yīng)光在100MHz以內(nèi)的調(diào)制信號(hào),如果有大于100MHz的調(diào)制成分,那幾乎會(huì)完全丟失,這在頻域上會(huì)更好理解。如果您探測(cè)的光是緩慢變化甚至是恒定的,沒有高動(dòng)態(tài)響應(yīng)的需求,那這個(gè)參數(shù)就不需要考慮了。

探測(cè)器的響應(yīng)度曲線

響應(yīng)度是描述探測(cè)器靈敏度的參量。

它代表探測(cè)器輸出信號(hào)和輸入信號(hào)的關(guān)系,一般分為電壓響應(yīng)度RV和電流響應(yīng)度RI。

如果產(chǎn)品沒有明確寫出,看單位即可。比如本文例舉的這個(gè)產(chǎn)品,響應(yīng)度0.95A/W@1550nm,明顯就是電流響應(yīng)度。

它表明輸入的光功率和響應(yīng)光電流的比值,至于為什么要專門表明是1550nm下的響應(yīng)度,那是因?yàn)轫憫?yīng)度本身就是波長(zhǎng)的函數(shù),需要選擇一個(gè)波長(zhǎng)去比較。


跨阻增益

表示該款探測(cè)器還會(huì)對(duì)產(chǎn)生的光電流進(jìn)行跨阻放大,從而變成電壓信號(hào),單位是V/A。


飽和光功率表示該款探測(cè)器能響應(yīng)的Z大功率

超過這個(gè)光功率值后,探測(cè)器的輸出信號(hào)不再隨著輸入光功率的變大而變大,不再滿足之前定義的響應(yīng)度了。以PD-100M-A為例,它的飽和光功率是140uW,響應(yīng)度是0.95A/W,相乘得到飽和光電流是133uA,然后經(jīng)過30kV/A的跨阻增益,Z終輸出的飽和電壓是3.99V。



NEP,用于表示探測(cè)器Z小可探測(cè)的功率。

因?yàn)樗械奶綔y(cè)器都是存在本底噪聲的,如果您輸入的光功率十分微弱,引發(fā)的光電流完全被淹沒在噪聲里面,那么這個(gè)光功率認(rèn)為是沒有探測(cè)到。現(xiàn)在想象這么一種情況,我們逐漸增加輸入光功率,直到激發(fā)的電信號(hào)正好和噪聲齊平,再高一點(diǎn),就會(huì)超出本底噪聲顯現(xiàn)出來了。這個(gè)功率值,我們就定義為探測(cè)器的噪聲等效功率(Noise Equivalent Power,NEP)。


現(xiàn)在我們看到PD-100M-A的NEP參數(shù),5pW/sqrt(Hz)。噪聲等效功率的單位不應(yīng)該是功率嗎?

為什么會(huì)除以sqrt(Hz)?

實(shí)際上這里的NEP是歸一化的,它將原來的NEP再除以帶寬的平方根,才得到這個(gè)歸一化的NEP。所以我們直接將5pW/sqrt(Hz)×sqrt(100MHz),得到50nW,才是該探測(cè)器能探測(cè)到的Z小光功率值。

輸出耦合方式,分為DC耦合和AC耦合兩種。

DC耦合可以理解為原始電壓信號(hào)直接輸出,AC耦合額外添加了直流電壓信號(hào)的過濾,只輸出交流信號(hào)。


剩下的一些通用器件參數(shù),本文不再贅述。


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產(chǎn)

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銦鎵砷 InGaAs 單元探測(cè)器 PD系列 800~1700nm

http://www..cn/?a=cp3&id=212

銦鎵砷 InGaAs 高速放大型光電探測(cè)器 PDA系列 800-1700nm  http://www..cn/?a=cp3&id=827

碲鎘汞 MCT(HgCdTe) 帶光浸式光伏探測(cè)器的可編程紅外探測(cè)模塊 2-12μm/2.5-7μm?http://www..cn/?a=cp3&id=562?

碲鎘汞 MCT(HgCdTe) 熱電冷卻光電導(dǎo) 中紅外光電導(dǎo)探測(cè)器 2.0-15umhttp://www..cn/?a=cp3&id=266
美國(guó) EOT 高速光電探測(cè)器(InGaAs/Si/GaAs) 830/1300/2000nm?http://www..cn/?a=cp3&id=534?


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