在半導體工業(yè)中，金屬污染是一個嚴重的問題。這些污染物主要是過渡金屬和堿性元素，它們可能會以納米級大小聚集在晶圓表面，導致晶圓線之間的損壞或短路。隨著線寬的不斷縮小，我們需要檢測更小、更低的污染物。而在這個挑戰(zhàn)中，四甲基氫氧化物（TMAH）作為其中一種重要的化學品，其雜質(zhì)的分析顯得尤為重要。

在實驗中，我們使用了超純水和純度較高的TMAH。通過連續(xù)稀釋樣品，我們成功地對不同元素顆粒進行了多次稀釋。在NexION 5000 ICP-MS的單顆粒模式下，我們采集了所有的SP-ICP-MS數(shù)據(jù)，并使用了Syngistix Nano應(yīng)用軟件模塊進行數(shù)據(jù)處理。

NexION ICP-MS儀器組件和工作條件

在校準范圍內(nèi)，所有元素的相關(guān)系數(shù)（R）都高于0.9995。實時信號顯示，在無污染的TMAH中確實存在一些納米顆粒。因此，我們使用5%的TMAH中的顆粒作為加標樣品和未知樣品的基線。

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