磁控濺射儀為一種用于物理學(xué)領(lǐng)域的分析儀器，于2015年05月25日啟用。

磁控濺射為物理氣相沉積的一種。金屬、半導(dǎo)體、絕緣體等多材料的制備通常會采用一般的濺射法，其的特點(diǎn)為有著較為簡單的設(shè)備，控制起來不困難，有著較大的鍍膜面積以及有著較強(qiáng)的附著力等。在上世紀(jì) 70 年代發(fā)展起來的磁控濺射法更是使高速、低溫、低損傷得以實(shí)現(xiàn)。由于高速濺射是在低氣壓下進(jìn)行，必須要使氣體的離化率得到有效地提高。磁控濺射利用將磁場往靶陰極表面引入，通過磁場約束帶電粒子來使得等離子體密度提高進(jìn)而使得濺射率增加。

非平衡磁控濺射原理

在1985年，非平衡磁控濺射的概念由Window等人shou先引入，并且將非平衡磁控濺射平面靶的原理性設(shè)計(jì)給了出來。對于一個磁控濺射靶，其外環(huán)磁場強(qiáng)度相等或接近于中部磁極的磁場強(qiáng)度，叫做“平衡磁控濺射靶”，若相對于另一極性相反的部分，某一磁極的磁場增強(qiáng)或減弱，就使得“非平衡磁控濺射靶”形成了。

非平衡磁控濺射法利用附加磁場往濺射靶前200毫米到300毫米的范圍內(nèi)引入陰極靶面的等離子，使基片在等離子體中沉浸。如此一方面濺射出來的粒子在基片表面沉積使得薄膜形成。另外一方面等離子體對基片進(jìn)行轟擊，起到離子輔助的作用，使膜層質(zhì)量得到了相當(dāng)大的改善。非平衡磁控濺射不僅具有的濺射速率比較高，可以將更多的離子往鍍膜區(qū)輸出，離子濃度與濺射靶的放電電流成正比。該技術(shù)在各種硬質(zhì)薄膜的制備方面得到了十分廣泛的應(yīng)用。