化學(xué)氣相沉積為一種化工技術(shù)，在襯底表面上含有薄膜元素的一種或幾種氣相化合物或單質(zhì)進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)使得薄膜生成為該技術(shù)的主要方法。近幾十年化學(xué)氣相淀積這種對(duì)無(wú)機(jī)材料進(jìn)行制備的新技術(shù)發(fā)展了起來(lái)。化學(xué)氣相淀積法已經(jīng)在各種單晶、多晶或玻璃態(tài)無(wú)機(jī)薄膜材料的淀積，新晶體的研制以及物質(zhì)的提純方便得到了非常廣泛地應(yīng)用。這些材料既能夠是碳化物、氮化物、硫化物、氧化物也能夠?yàn)镮II-V、II-IV、IV-VI族中的二元或多元的元素間化合物，并且能夠利用氣相摻雜的淀積過(guò)程來(lái)對(duì)它們的物理功能進(jìn)行精確地控制?；瘜W(xué)氣相淀積已經(jīng)變成無(wú)機(jī)合成化學(xué)的一個(gè)新領(lǐng)域。

氣相沉積特點(diǎn)

化學(xué)氣相沉積法之所以得到發(fā)展離不開(kāi)它本身的特點(diǎn)，下述為其特點(diǎn)

1、因?yàn)橄噍^于膜材料的熔點(diǎn)，薄膜生長(zhǎng)的溫度要低得多，所以能夠使純度高、結(jié)晶完全的膜層獲得，這也是一些半導(dǎo)體膜層所必須的。

2、通過(guò)對(duì)沉積的參數(shù)的利用和調(diào)節(jié)，能夠使覆層的化學(xué)成分、形貌、晶體結(jié)構(gòu)和晶粒度等得到有效地控制。

3、簡(jiǎn)單的設(shè)備，能夠便于操作和維修。

4、通常在需要850-1100攝氏度的反應(yīng)溫度進(jìn)行，許多基體材料對(duì)于CVD的高溫均耐受不住，對(duì)等離子或激光輔助技術(shù)加以采用能夠使沉積溫度降低。

5、有較多種類的沉積物：能夠?qū)饘俦∧?、非金屬薄膜進(jìn)行沉積，也能夠根據(jù)要求對(duì)多組分合金的薄膜，以及陶瓷或化合物層。進(jìn)行制備

6、在常壓或低真空進(jìn)行CVD反應(yīng)，鍍膜有著較好的繞射性，能夠均勻地鍍覆形狀復(fù)雜的表面或工件的深孔、細(xì)孔

7、可以使較高純度，較好致密性，較小殘余應(yīng)力以及結(jié)晶良好的薄膜鍍層獲得。因?yàn)榉磻?yīng)氣體、反應(yīng)產(chǎn)物和基體的相互擴(kuò)散，能夠使附著力好的膜層獲得，此對(duì)于表面鈍化、抗蝕及耐磨等表面增強(qiáng)膜非常重要。