化學(xué)氣相沉積為一種化工技術(shù)，在襯底表面上含有薄膜元素的一種或幾種氣相化合物或單質(zhì)進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)使得薄膜生成為該技術(shù)的主要方法。近幾十年化學(xué)氣相淀積這種對無機(jī)材料進(jìn)行制備的新技術(shù)發(fā)展了起來?；瘜W(xué)氣相淀積法已經(jīng)在各種單晶、多晶或玻璃態(tài)無機(jī)薄膜材料的淀積，新晶體的研制以及物質(zhì)的提純方便得到了非常廣泛地應(yīng)用。這些材料既能夠是碳化物、氮化物、硫化物、氧化物也能夠?yàn)镮II-V、II-IV、IV-VI族中的二元或多元的元素間化合物，并且能夠利用氣相摻雜的淀積過程來對它們的物理功能進(jìn)行精確地控制?；瘜W(xué)氣相淀積已經(jīng)變成無機(jī)合成化學(xué)的一個(gè)新領(lǐng)域。

化學(xué)氣相沉積過程

化學(xué)氣相沉積過程包括向基體表面擴(kuò)散反應(yīng)氣體、在基體表面吸附反應(yīng)氣體以及化學(xué)反應(yīng)在基體表面上發(fā)生使得固態(tài)沉積物形成與在基體表面脫離產(chǎn)生的氣相副產(chǎn)物。熱分解反應(yīng)、化學(xué)合成反應(yīng)和化學(xué)傳輸反應(yīng)等為zui為常見的化學(xué)氣相沉積反應(yīng)。一般對TiC或TiN進(jìn)行沉積，是將TiCl4，H2，CH4等氣體通入850-1100攝氏度，發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，使覆層在基體表面形成。

化學(xué)氣相沉積應(yīng)用

多晶/非晶材料膜通過化學(xué)氣相沉積技術(shù)生產(chǎn)

在半導(dǎo)體工業(yè)中，化學(xué)氣相沉積法的應(yīng)用非常的廣泛。例如作為緣介質(zhì)隔離層的多晶硅沉積層。在當(dāng)代，新型非晶態(tài)材料在微型電子學(xué)元器件中得到越來越多的使用。磷硅玻璃、硼硅玻璃、SiO2以及 Si3N4等等均屬于此種材料。除此以外，通過化學(xué)氣相沉積法來對如氧化銅-五氧化二磷、氧化銅-五氧化二釩-五氧化二磷以及五氧化二釩-五氧化二磷等一些在未來有可能發(fā)展成開關(guān)以及存儲(chǔ)記憶材料也能夠進(jìn)行生產(chǎn)。