化學(xué)氣相沉積為一種化工技術(shù)，在襯底表面上含有薄膜元素的一種或幾種氣相化合物或單質(zhì)進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)使得薄膜生成為該技術(shù)的主要方法。近幾十年化學(xué)氣相淀積這種對無機(jī)材料進(jìn)行制備的新技術(shù)發(fā)展了起來?；瘜W(xué)氣相淀積法已經(jīng)在各種單晶、多晶或玻璃態(tài)無機(jī)薄膜材料的淀積，新晶體的研制以及物質(zhì)的提純方便得到了非常廣泛地應(yīng)用。這些材料既能夠是碳化物、氮化物、硫化物、氧化物也能夠?yàn)镮II-V、II-IV、IV-VI族中的二元或多元的元素間化合物，并且能夠利用氣相摻雜的淀積過程來對它們的物理功能進(jìn)行精確地控制?；瘜W(xué)氣相淀積已經(jīng)變成無機(jī)合成化學(xué)的一個(gè)新領(lǐng)域。

化學(xué)氣相沉積分類

根據(jù)化學(xué)反應(yīng)形式能夠?qū)峄瘜W(xué)氣相沉積分成合成反應(yīng)法、熱解法以及化學(xué)輸運(yùn)法三大類。

1、合成反應(yīng)法

幾種氣體物質(zhì)在生長區(qū)內(nèi)反應(yīng)使得所生長物質(zhì)生成的過程，以上三種方法，化學(xué)輸運(yùn)法通常在塊狀晶體生長時(shí)被使用，分解反應(yīng)法一般在薄膜材料生長時(shí)被使用，上述兩種情況均可以使用合成反應(yīng)法。比Si,Cae,GaAs,InP等各種氧化物和其它材料。

2、熱解法

往生長區(qū)輸運(yùn)含有構(gòu)成薄膜元素的某種易揮發(fā)物質(zhì)。利用熱分解反應(yīng)使所需物質(zhì)生成，1000-1050攝氏度為其生長溫度。

3、化學(xué)輸運(yùn)法

構(gòu)成薄膜物質(zhì)在源區(qū)和另一種固體或液體物質(zhì)發(fā)生反應(yīng)使氣體生成，之后往一定溫度下的生長區(qū)輸運(yùn)，利用相反的熱反應(yīng)使所需材料生成，晶體生長過程的熱反應(yīng)為逆反應(yīng)，輸運(yùn)過程的熱反應(yīng)為正反應(yīng)。